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1. 发明公开

KR20210007739A 수직형 메모리 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20210007739A
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR20190084689
申请日：2019-07-12
申请人： SK HYNIX INC
发明人： KIM SEUNG HWAN , CHUNG SU OCK , CHA SEON YONG
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본기술은수직하게적층된 3차원메모리장치에관한것으로, 본기술에따른메모리장치는기판상부에위치하는제1 다층레벨서브워드라인을포함하는제1메모리셀매트; 상기제1메모리셀매트로부터수평하게이격되고, 제2 다층레벨서브워드라인을포함하는제2메모리셀매트; 상기제1메모리셀매트아래에위치하는제1서브워드라인드라이버회로; 및상기제2메모리셀매트아래에위치하는제2서브워드라인드라이버회로를포함하고, 상기제1서브워드라인드라이버회로는상기제1 다층레벨서브워드라인들의끝단부의바로아래에배치되고, 상기제2서브워드라인드라이버회로는상기제2 다층레벨서브워드라인들의끝단부의바로아래에배치될수 있다.

2. 发明公开

KR20210007503A 메모리 컨트롤러 및 이를 포함하는 메모리 시스템 审中-公开
公开(公告)号：KR20210007503A
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR20190084083
申请日：2019-07-11
申请人： SK HYNIX INC
发明人： PARK JEEN
IPC分类号： G06F3/06 , G06F12/06
摘要： 본기술은, 프로그램동작을수행하는메모리컨트롤러및 이를포함하는메모리시스템에관한것이다. 본기술은, 프로그램데이터를저장하는버퍼메모리; 상기버퍼메모리에저장되어있는프로그램데이터를타겟메모리블록들에프로그램하기위한절차가기술된인스트럭션셋을구성하는인스트럭션셋 구성부; 상기인스트럭션셋에포함된인스트럭션들을순차적으로수행하되, 상기인스트럭션들중 마지막인스트럭션의수행완료시에인터럽트를발생시키는인스트럭션셋 수행부; 및상기인스트럭션셋 수행부로부터상기인터럽트가수신되는경우, 상기버퍼메모리에저장되어있는프로그램데이터를소거하는중앙처리장치를포함하는메모리컨트롤러를포함한다. 상기상기인스트럭션셋 구성부는, 상기타겟메모리블록들중 비인터리빙블록쌍이존재하는지여부에따라상기인스트럭션셋을서로다르게구성할수 있다.

3. 发明公开

KR20200145264A 수신기, 이를 포함하는 수신 회로, 반도체 장치 및 반도체 시스템 审中-公开
公开(公告)号：KR20200145264A
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：KR20190074037
申请日：2019-06-21
申请人： SK HYNIX INC
发明人： HWANG KYU DONG
IPC分类号： H04B1/16 , H04B1/12
摘要： 수신기는증폭회로및 보상회로를포함할수 있다. 상기증폭회로는상기입력신호에기초하여상기제 1 출력노드의전압레벨을변화시키며, 상기기준전압에기초하여제 2 출력노드의전압레벨을변화시킬수 있다. 상기보상회로는상기입력신호에기초하여상기제 2 출력노드의전압레벨을변화시키며, 상기기준전압에기초하여상기제 1 출력노드의전압레벨을변화시킬수 있다. 상기증폭회로는입력신호와기준전압을수신하는제 1 타입의트랜지스터들을포함하고, 상기보상회로는상기입력신호와상기기준전압을수신하는제 2 타입의트랜지스터들을포함할수 있다.

4. 发明公开

KR20200144783A 차지 펌프 회로를 포함하는 반도체 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200144783A
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：KR20190072861
申请日：2019-06-19
申请人： SK HYNIX INC
发明人： KIM JONG SEOK , LEE GEON HWI
IPC分类号： G11C5/14 , G11C7/10 , G11C7/22
摘要： 제안발명의실시예에따른반도체장치는제 1 및제 2 메인클럭에따라입력전압을펌핑하여출력전압을생성하는차지펌프회로; 상기출력전압을기준전압과비교하여비교신호를생성하는전압검출회로; 및상기비교신호의활성화구간동안, 제 1 및제 2 외부클럭에따라상기제 1 및제 2 메인클럭을생성하며, 상기제 1 메인클럭이천이한후에상기제 2 메인클럭이천이하도록천이순서를제어하는구동제어회로를포함할수 있다.

5. 发明公开

KR20200144311A 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200144311A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：KR20190072179
申请日：2019-06-18
申请人： SK HYNIX INC
发明人： LEE JONG HWAN
IPC分类号： G11C29/42 , G06F11/10 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/04
摘要： 본기술은전자장치에관한것으로, 정정불가능한에러를정정가능하게하는메모리컨트롤러는, 데이터를저장하는메모리장치를제어하는메모리컨트롤러에있어서, 상기메모리컨트롤러는, 상기데이터에포함된프로그램상태및 소거상태의비트중 어느하나를카운트하여카운트값을생성하는비트카운터, 상기메모리장치에저장된상기데이터의어드레스를나타나는페이지정보를생성하는플래시변환계층, 상기카운트값및 상기페이지정보를기초로상기데이터가변경되었는지확인하기위한판정데이터를생성하는부가데이터생성부, 상기판정데이터및 상기메모리장치로부터리드된데이터를기초로생성된검출데이터를비교하여비교정보를생성하는비교부및 상기비교정보를기초로상기메모리장치로부터리드된데이터의에러를정정하기위한동작을수행하는리드데이터제어부를포함한다.

6. 发明公开

KR20200144179A 매립 게이트 구조를 구비한 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200144179A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：KR20190071525
申请日：2019-06-17
申请人： SK HYNIX INC
发明人： KIM DONG SOO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L27/108 , H01L29/40 , H01L29/423
摘要： 본기술은게이트유도드레인누설을개선하기위한반도체장치및 그제조방법에관한것으로, 본기술에따른반도체장치는기판; 상기기판내에트렌치에의해서로이격되어형성된제1도핑영역과제2도핑영역; 상기트렌치의저면및 측벽들을커버링하는제1게이트절연층; 상기제1게이트절연층상에서상기트렌치의저부를채우는하부게이트; 상기하부게이트상에형성되고상기하부게이트보다작은폭을갖는상부게이트; 및상기상부게이트와제1게이트절연층사이에형성된제2게이트절연층을포함할수 있다.

7. 发明公开

KR20200144000A 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200144000A
公开(公告)日：2020-12-28
申请号：KR20190071793
申请日：2019-06-17
申请人： SK HYNIX INC
发明人： LEE UN SANG , AN CHI WOOK
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/24
摘要： 본기술에따른향상된신뢰성를갖는메모리장치는복수의프로그램상태들중 서로인접하는제1 프로그램상태및 제2 프로그램상태중 어느하나의프로그램상태를목표프로그램상태로갖는복수의메모리셀들, 상기복수의메모리셀들이상기목표프로그램상태에해당하는문턱전압을갖도록프로그램동작을수행하는주변회로, 상기주변회로를제어하는제어회로를포함하고, 상기제어회로는, 상기프로그램동작시에, 상기메모리셀들을상기제1 프로그램상태에대응되는검증전압보다낮은전압레벨을갖는중간검증전압을이용하여중간프로그램동작을수행하고, 상기중간검증전압을이용한검증동작인중간검증동작이패스되면, 상기메모리셀들중 상기제2 프로그램상태를목표프로그램상태로갖는메모리셀들에추가프로그램전압을인가하는추가프로그램동작을수행하고, 상기메모리셀들의목표프로그램상태에대응하는문턱전압을갖도록최종프로그램동작을수행하도록상기주변회로를제어하는프로그램동작제어부를포함한다.

8. 发明公开

KR20200143885A 서포팅 기판을 포함한 스택 패키지 审中-公开
公开(公告)号：KR20200143885A
公开(公告)日：2020-12-28
申请号：KR20190071504
申请日：2019-06-17
申请人： SK HYNIX INC
发明人： LEE SEUNG YEOP
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/00 , H01L23/525
摘要： 스택패키지는제1 및제2반도체다이들을지지하는서포팅기판을포함한다. 서포팅기판은제1 및제2접속범프들에의해패키지기판에지지된다. 제1반도체다이를제1 및제2접속범프들에전기적으로연결시키는재배선패턴들이서포팅기판에구비된다. 복수의제2반도체다이들은본딩와이어들에의해패키지기판에연결된다.

9. 发明公开

KR20200143113A 반도체 장치 및 그 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200143113A
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：KR20190070998
申请日：2019-06-14
申请人： SK HYNIX INC
发明人： PARK HYUNG JIN
IPC分类号： H01L27/108
摘要： 본기술은고집적화된메모리셀을구비하는반도체장치및 그제조방법에관한것으로, 본기술에따른반도체장치는기판상의비트라인을포함하는스택형라인구조물; 상기스택형라인구조물보다높은레벨에위치하되, 상기비트라인에평행하는활성층; 상기활성층보다높은레벨에위치하는캐패시터; 상기활성층을관통하여상기비트라인에접속되도록하향연장된제1플러그; 상기활성층과캐패시터사이에형성된제2플러그; 및상기활성층을가로지르면서상기비트라인에교차하는방향으로연장된워드라인을포함할수 있다.

10. 发明公开

KR20200142698A 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200142698A
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：KR20190069800
申请日：2019-06-13
申请人： SK HYNIX INC
发明人： NA HYEONG JU
IPC分类号： G06F12/02 , G06F3/06
摘要： 본발명의실시예에따른데이터저장장치는복수의메모리블록들로구성된불휘발성메모리장치; 및상기복수의메모리블록들중 프리블록의개수가임계개수이하이면, 상기복수의메모리블록들중 클로즈드블록들각각의유효페이지수를확인하기위한블록스캔동작을수행하여상기클로즈드블록들중 희생블록을선택하고, 상기희생블록에대한가비지컬렉션동작을수행하도록상기불휘발성메모리장치를제어하는컨트롤러는포함한다. 상기컨트롤러는, 상기가비지컬렉션동작을수행할때마다상기클로즈드블록들중 상기블록스캔동작이시작되는스캔시작블록의인덱스를변경한다.

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