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1. 发明授权

KR101705740B1 보안펜스 침입 감지장치 有权
标题翻译：感知入侵安全围栏的装置
公开(公告)号：KR101705740B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020140154900
申请日：2014-11-09
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 전홍기
IPC分类号： G08B13/12 , G08B13/22
摘要： 본발명은보안펜스침입감지장치에관한것으로, 지지체와, 고리부가있고지지체의관통공을관통하는감시용광케이블만으로구성되며, 그구조가아주간단하여제조, 설치및 유지가간단용이하고, 제조, 설치및 유지를위한비용과인력이크게절감되는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及一种安全栅侵入感测装置，包括：支架; 以及用于观察的光缆，其包括环部并且穿透支撑件的通孔。本发明能够具有简单的结构，从而能够容易且简单地制造，安装和维护，并且显着降低了用于制造，安装和维护的成本和人力。

2. 发明公开

KR1020170006717A 센서용 광케이블의 설치방법 审中-实审
标题翻译：用于感应的光缆安装方法
公开(公告)号：KR1020170006717A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020150097801
申请日：2015-07-09
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 전홍기
IPC分类号： G08B13/12 , G02B6/46
摘要： 본발명은보안펜스에설치되는센서용광케이블의설치방법에관한것으로, 수평으로설치되는광케이블의선에 (ㄹ)형형상부를형성시키고 (ㄹ)형형상부의 2개의 (ㄷ)형절곡부를지지핀으로각각지지시켜서, 침입또는탈출하기위하여수평으로설치된광케이블의선을어느지점에서상부로밀어올리거나하부로내려누르면 (ㄷ)형절곡부의양쪽에서로다른방향의인력이발생하여 2개의 (ㄷ)형절곡부가각각곡률반경이내로절곡되므로광케이블망에연결된감지시스템에서침입이나탈출시도를틀림없이감지할수 있는효과가있다.

3. 发明授权

KR100378961B1 보상패턴을 구비한 포토마스크 및 보상패턴을 이용한반도체 제조 방법 失效
标题翻译：如果您有任何疑问，请与我们联系。
公开(公告)号：KR100378961B1
公开(公告)日：2003-04-08
申请号：KR1020000044107
申请日：2000-07-29
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 윤의식
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A photomask having a compensation pattern is provided to easily design the photomask for manufacturing a semiconductor having a corner part or convex part, by using the photomask wherein the compensation pattern of a relatively narrower width is added to an original pattern having a corner part. CONSTITUTION: The original pattern(40) has the corner part. The compensation pattern(52) is extended from the original pattern. One side(52a) of the compensation pattern is extended from one side(51) of the corner part, and the other side(52b) of the compensation pattern has a predetermined length in the direction of the one side and by a predetermined width.
摘要翻译：目的：提供具有补偿图案的光掩模，以通过使用光掩模容易地设计用于制造具有角部或凸部的半导体的光掩模，其中将具有较窄宽度的补偿图案添加到具有角部的原始图案。构成：原始图案（40）具有角落部分。补偿模式（52）从原始模式延伸。补偿图案的一侧（52a）从角部的一侧（51）延伸，并且补偿图案的另一侧（52b）在一侧的方向上具有预定长度并且具有预定宽度。

4. 发明授权

KR101799457B1 비절단형 광섬유 케이블망 有权
标题翻译：非光纤电缆网络
公开(公告)号：KR101799457B1
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020150116664
申请日：2015-08-19
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 전완진 , 김만진
IPC分类号： G02B6/44 , G08B13/12
摘要： 본발명은비절단형광섬유케이블망(100)에관한것이다. 본발명은다수의제1 케이블(C1)들과다수의제2 케이블(C2)들이서로꼬임구조(C)를이루고, 다시인접되어있는다수의제1 케이블(C1)들과다수의제2 케이블(C2)들이서로꼬임구조(C)를이룬다음, 다시최초의위치로되돌아와서처음의다수의제1 케이블(C1)들과다수의제2 케이블(C2)들이서로꼬임구조(C)를이루게되고, 이러한과정을반복적으로수행하고있는광섬유케이블망에있어서, 상기광섬유케이블망의최초의시작지점에있는다각형상의케이블망눈은하나의케이블로형성된것으로서제1 케이블(C1)들과연결케이블(C3)들및 제2 케이블(C2)들에의하여 5각형망눈(110)들로형성되어있고, 그이후에는상기제1 케이블(C1)들과상기제2 케이블(C1)들에의해통상적인방식으로 6각형망눈(120)들로연속적이고계속적반복적으로형성되어있는것을특징으로한다.
摘要翻译：切割光缆网络（100）技术领域本发明涉及一种切割光缆网络（100）。本发明的特征在于，多个第一电缆（C1）和多个第二电缆（C2）形成相互扭绞的结构（C）和多个第一电缆（C1）第一线缆C2和第二线缆C2形成绞合结构C，然后返回到原始位置，使得第一多个线缆C1和多个第二线缆C2形成绞合结构C 在反复进行该处理的光缆网络中，光缆网络初始起点的多边形电缆网由一根电缆形成，第一电缆（C1）和连接电缆（C3）通过第一电缆C1和第二电缆C1和C2由五边形网110形成，然后通过第一电缆C1和第二电缆C1以常规方式形成并且在六边形网120中连续重复地形成。

5. 发明公开

KR1020170022101A 광섬유 케이블망의 제조방법 有权
标题翻译：制造光纤网的方法
公开(公告)号：KR1020170022101A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150116663
申请日：2015-08-19
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 전완진 , 김만진
IPC分类号： G02B6/44 , G08B13/12
摘要： 본발명은광섬유케이블망을자동으로생산할수 있는광섬유케이블망의제조방법에관한것이다. 본발명은제1 케이블(C1)과제2 케이블(C2)을이용하여광섬유케이블망을제조하는방법에있어서, 하나의케이블을이용하여서로연결된제1 케이블(C1)과연결케이블(C3) 및제2 케이블(C2)을형성하고, 상기제1 케이블(C1)과연결케이블(C3) 및제2 케이블(C2)을이용하여광섬유케이블망의초기에형성된한쪽끝단에 5각형망눈(101)을형성하되, 상기 5각형망눈(101)은절단된부분이존재하지아니하고전체적으로완전히연결되어있는상태의 5각형망눈(101)을형성하고, 상기 5각형망눈(101)을형성한이후, 상기제1 케이블(C1)과상기제2 케이블(C2)을이용하여 6각형망눈(103)을계속적반복적으로형성하는것을특징으로한다.

6. 发明公开

KR1020160055392A 보안펜스 침입 감지장치 有权
标题翻译：感染安全防范的手段
公开(公告)号：KR1020160055392A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140154900
申请日：2014-11-09
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 전홍기
IPC分类号： G08B13/12 , G08B13/22
CPC分类号： G08B13/124 , G08B13/22
摘要： 본발명은보안펜스침입감지장치에관한것으로, 지지체와, 고리부가있고지지체의관통공을관통하는감시용광케이블만으로구성되며, 그구조가아주간단하여제조, 설치및 유지가간단용이하고, 제조, 설치및 유지를위한비용과인력이크게절감되는효과가있다.
摘要翻译：本发明涉及一种安全栅侵入感测装置，包括：支架; 以及用于观察的光缆，其包括环部并且穿透支撑件的通孔。本发明能够具有简单的结构，从而能够容易且简单地制造，安装和维护，并且显着降低了用于制造，安装和维护的成本和人力。

7. 发明授权

KR100493595B1 초고속 데이터 전송을 위한 티오 팩키지 失效
标题翻译：用于高速数据通信的To-Can Package
公开(公告)号：KR100493595B1
公开(公告)日：2005-06-10
申请号：KR1020020084840
申请日：2002-12-27
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 윤의식 , 주필연
IPC分类号： G02B6/43
摘要： 광소자; 광소자를 실장하는 스템(stem); 상기 스템에 삽입되어 광소자와 전기적으로 연결된 전송라인;을 포함하는 티오 패키지(to-can package)에 있어서, 상기 스템의 재질은 금속 필름(metal film) 패턴 공정이 가능한 비 전도성 유전체 물질인 것을 특징으로 하는 초고속 데이터 전송을 위한 티오 패키지(to-can package)가 개시된다.

8. 发明授权

KR100397320B1 광 모드 크기 변환기 失效
标题翻译： 광모드크기변환기
公开(公告)号：KR100397320B1
公开(公告)日：2003-09-06
申请号：KR1020000058582
申请日：2000-10-05
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 윤의식 , 전홍준 , 고한준 , 최민호
IPC分类号： H01L31/12 , G02B6/02
CPC分类号： G02B6/4206 , G02B6/1228
摘要： A optical mode size converter may increase alignment error allowance in an optical input unit combined with a semiconductor optical element as well as in an optical output unit combined with an optical fiber. The optical mode size converter positioned between a semiconductor light source and an optical transfer medium for receiving output light from the light source, converting its size and outputting includes a substrate, a buffer layer laminated on the substrate, a lower waveguide formed on a predetermined area on the buffer layer, a lower clad layer formed on the lower waveguide and the buffer layer, an upper waveguide formed on the lower clad layer corresponding to the lower waveguide and having a branched optical input unit, and an upper clad layer formed on the upper waveguide and the lower clad layer.
摘要翻译：光学模式尺寸转换器可以增加与半导体光学元件组合的光学输入单元以及与光纤组合的光学输出单元中的对准误差容限。位于半导体光源和用于接收来自光源的输出光并转换其大小并输出的半导体光源和光学传输介质之间的光学模式尺寸转换器包括衬底，层叠在衬底上的缓冲层，形成在预定区域上的下部波导在所述缓冲层上形成有在所述下部波导和所述缓冲层上形成的下部包覆层，在与所述下部波导对应的下部包层上形成的上部波导，所述上部波导具有分支光输入部，在所述上部包层上形成波导和下部包层。

9. 发明公开

KR1020020010403A 상이한 깊이를 가진 박막층에 의한 3차원 실리콘 웨이퍼제조 방법 失效
标题翻译：通过使用具有不同深度的薄膜制造三维硅波的方法
公开(公告)号：KR1020020010403A
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1020000044108
申请日：2000-07-29
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 윤의식
IPC分类号： H01L21/02
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a three-dimensional silicon wafer by using a thin films having different depths is provided to simplify a manufacturing process, by omitting the repeated process for forming and removing the thin film, wherein a new thin film is formed, a remaining thin film is eliminated after the shape of a silicon wafer is formed and a new thin film is formed again. CONSTITUTION: The thin films(31) having different heights corresponding to various types of three-dimensional shapes to be formed on the silicon wafer(30) are formed. The thin films having the different heights are sequentially removed to selectively expose the silicon wafer. The exposed silicon wafer is etched.
摘要翻译：目的：提供通过使用具有不同深度的薄膜制造三维硅晶片的方法，以简化制造工艺，通过省略形成和去除薄膜的重复工艺，其中形成新的薄膜，在形成硅晶片的形状之后，剩余的薄膜被消除，并再次形成新的薄膜。构成：形成与在硅晶片（30）上形成的各种三维形状对应的具有不同高度的薄膜（31）。依次去除具有不同高度的薄膜以选择性地暴露硅晶片。暴露的硅晶片被蚀刻。

10. 发明公开

KR1020020010402A 보상패턴을 구비한 포토마스크 및 보상패턴을 이용한반도체 제조 방법 失效
标题翻译：具有补偿图案的光电元件及使用补偿图案制造半导体的方法
公开(公告)号：KR1020020010402A
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1020000044107
申请日：2000-07-29
申请人： 주식회사 에이티아이
发明人： 윤의식
IPC分类号： H01L21/027
摘要： PURPOSE: A photomask having a compensation pattern is provided to easily design the photomask for manufacturing a semiconductor having a corner part or convex part, by using the photomask wherein the compensation pattern of a relatively narrower width is added to an original pattern having a corner part. CONSTITUTION: The original pattern(40) has the corner part. The compensation pattern(52) is extended from the original pattern. One side(52a) of the compensation pattern is extended from one side(51) of the corner part, and the other side(52b) of the compensation pattern has a predetermined length in the direction of the one side and by a predetermined width.
摘要翻译：目的：提供具有补偿图案的光掩模，以容易地设计用于制造具有角部或凸部的半导体的光掩模，通过使用光掩模，其中相对较窄宽度的补偿图案被添加到具有角部分的原始图案。规定：原始图案（40）具有角部。补偿图案（52）从原始图案延伸。补偿图案的一侧（52a）从角部的一侧（51）延伸，并且补偿图案的另一侧（52b）在一侧的方向上具有预定的长度并且具有预定的宽度。

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