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1. 发明授权

KR100320282B1 플라즈마 디스플레이 패널용 유리기판상의 산화마그네슘막 형성방법 失效
标题翻译：在用于等离子体显示面板的玻璃基板上形成氧化镁膜的方法
公开(公告)号：KR100320282B1
公开(公告)日：2002-01-15
申请号：KR1019997008971
申请日：1998-03-12
申请人： 시메트릭스 주식회사 , 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 가노코타 , 파즈드아라우조,칼로스,Ａ. , 아리타고지 , 스코트,마이클,Ｃ. , 맥밀란,래리,Ｄ. , 하야시신이치로
IPC分类号： C03C17/25
CPC分类号： H01J9/20 , C03C17/25 , C03C2217/228 , C03C2218/11 , H01J2209/012 , H01J2211/40
摘要： 신규한방법(P200)이, 플라즈마디스플레이(100)에산화마그네슘층(122)을형성하기위해제공된다. 마그네슘카르복실레이트액체전구체용액은, 디스플레이패널(102)에도포된후, 건조된후, 어닐링되어, 우수한전기-광학성능을갖는액체산화마그네슘층(122) 얻는다.

2. 发明授权

KR100298017B1 트랜지스터및전력증폭기 失效
标题翻译：晶体管和功率放大器
公开(公告)号：KR100298017B1
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1019970060776
申请日：1997-11-18
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 스기무라아키히사 , 가나자와구니히코
IPC分类号： H01L29/772
摘要： 트랜지스터는 소오스 영역, 적어도 2개의 드레인 영역, 소오스 영역과 적어도 2개의 드레인 영역 사이에 각각 제공된 채널, 및 채널들 각각에 제공되어 있는 게이트 전극을 포함하고 있다. 적어도 2개의 드레인 영역은 서로 전기적으로 분리되어 있고, 드레인 전극은 각각의 드레인 영역에 제공된다.

3. 发明授权

KR100283013B1 컬러수상관 失效
公开(公告)号：KR100283013B1
公开(公告)日：2001-04-02
申请号：KR1019970020482
申请日：1997-05-23
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 하야마히데카즈 , 다카하시도시히데 , 고토마사오 , 다니나오유키
IPC分类号： H01J1/00
摘要： 본 발명은 외광에 의한 형광체막에서의 반사휘도를 저하시킴으로써, 페이스 플레이트의 광투과율을 낮게 하여 같은 반사휘도로 한 것에 비해, 높은 발광휘도와 높은 콘트라스트한 화상을 얻을 수 있으며, 또 코스트가 낮은 컬러수상관을 제공하는 것에 관한 것으로, 페이스 플레이트(4)의 내면에 적색 형광체(6R), 녹색 형광체(6G) 청색 형광체(6B)의 3색의 형광체로 이루어진 3색의 형광체막을 구비한 컬러수상관에 있어서, 상기 3색의 형광체막중 적어도 2색의 형광체막은 형광체 입자의 표면이 동색의 안료(7R, 7B, 7G중 어느 하나)로 피복되어 있는 안료피복 형광체로 형성되고, 또 3색 전체의 형광체막 반사휘도가 3색 모두에 안료피복이 없는 형광체막의 3색 전체의 형광체막 반사휘도의 70% 이하이다.

4. 发明授权

KR100264412B1 대상물코팅노즐, 대상물코팅노즐 제조방법, 대상물코팅방법, 대상물코팅장치 및 형광물질표면 형성방법 失效
标题翻译：液体应用喷嘴，其制造方法，液体应用喷嘴，液体应用，装置及制造阴极射线管的方法
公开(公告)号：KR100264412B1
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019970707484
申请日：1997-02-20
申请人： 파나소닉 주식회사 , 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 미타니마사토 , 나카지마가즈토 , 고타니히로유키 , 호카조노노부타카 , 나카히로유키 , 야마구찌아키라 , 이케다준지 , 아오키노부유키
IPC分类号： B05C5/00
CPC分类号： B05B7/0884 , B05B7/02 , B05B7/025 , B05C5/02 , B05C5/0208 , B05C5/0254 , B05C5/027 , B05C11/08 , H01J9/227
摘要： 액체코팅노즐(4, 4a, 124)에는, 길이방향으로 연장하는 내측 액체저장부(43)와 액체저장부(43)의 저부에서 길이방향으로 형성된 다수의 작은 구멍(44)으로 구성된 내측 배출부를 가지는 제1블록(41)과, 제1블록(41)의 외측에서 길이방향으로 연장하는 가스저장부(46)을 형성하는 내측 공간과 내측 공간의 저부에서 길이방향으로 형성되고 또한 다수의 작은 구멍(48)으로 구성되고 또한 작은 구멍(44)으로부터 하방으로 흐르는 선형 또는 커튼형 액체흐름을 외부에서 감싸는 가스흐름을 형성하는 외측배출부를 가지는 제2블록(42)이 제공되어, 코팅의 불균일성의 발생과 액체의 소비를 억제하면서 짧은 시간내에 얇은 코팅막을 형성할 수 있게 된다.

5. 发明授权

KR100259794B1 AC형 플라즈마 디스플레이 패널 失效
标题翻译： AC型等离子显示屏
公开(公告)号：KR100259794B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019970014281
申请日：1997-04-17
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 히라오가즈노리 , 히라야마도루 , 아오토고지
IPC分类号： H01J11/22 , H01J11/32
CPC分类号： H01J11/12 , H01J11/32 , H01J2211/323 , H01J2211/326
摘要： 본 발명은 방전셀 하나분에 다수개의 주사전극 및 유지전극을 배열함으로써, 고휘도, 고효율을 도모하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로써, 본 발명은 제1유리기판(1)상에 배치된 서로 평행한 다수의 주사전극과 유지전극과, 제2유리기판(7)상에 배치되고 상기 전극에 직교하도록 배열된 다수의 격벽(9)과, 이 각 격벽(9) 사이에 격벽(9)과 평행하게 제2유리기판(7)상에 배치된 데이터전극(8)을 구비하고, 2개의 격벽으로 간막이되어 형성된 방전셀(2)중 방전셀 하나분에 한쪽 절반은 주사전극(3b)(3c)이고 또 한쪽의 절반은 유지전극(4b)(4c)인 전극의 조가 배열됨으로써, 개구율을 저하시키지 않고 방전영역을 넓힐 수 있으므로, 제조공정수, 코스트를 억제한 고휘도, 고효율의 AC형 플라즈마 디스플레이 패널을 얻을 수 있다.

6. 发明授权

KR100259442B1 무선전화송신기용의 전력 증폭기 失效
标题翻译：无线电话发射机功率放大器
公开(公告)号：KR100259442B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019950048563
申请日：1995-12-12
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 스기무라아키히사 , 카나자와쿠니히코
IPC分类号： H04B1/04
摘要： 본 발명은, 애널로그변조 및 디지탈변조의 양방식에 의해 동작가능한 셀룰라전화기를 포함한 이동무선통신시스템에 관한 것으로서, 단일의 전력증폭회로를 애널로그변조, 디지탈변조의 양방식으로 겸용하고, 또한 애널로그변조방식의 경우의 높은 부가효율과 디지탈변조방식의 경우의 낮은 인접채널누설전력을 동시에 실현할수 있는 무선전화송신기용 전력증폭기를 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 애널로그변조액세스방식으로서 FDMA방식을 채용하고, 디지탈변조액세스방식으로서 CDMA방식을 채용한 듀얼모드방식의 무선전화송신기에 있어서, 전력증폭회로(5)에 인가하는 직류전원전압 Vdd를 각 변조방식에 따라서 2종류의 전압으로 강압변환함으로써, 전력증폭회로(5)의 입출력특성을 제어한다. 이 때문에, 마이크로프로세서(3)는, FDMA방식의 경우에는 Vdd로서 4.6V가 전력증폭회로(5)에 인가되고, CDMA방식의 경우에는 Vdd로서 5.0V가 전력증폭회로(5)에 인가되도록, 정전원(1)에 접속된 레귤레이터(2)의 동작을 제어한다. 전력증폭회로(5)의 직류바이어스전압 Vgg는 -3.5V로 고정되는 것을 특징으로 한 것이다.

7. 发明授权

KR100248997B1 컬러 수상관 失效
公开(公告)号：KR100248997B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019990035951
申请日：1999-08-27
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 스케노마사히코 , 와타나베다카시
IPC分类号： H01J29/50

8. 发明授权

KR100237735B1 반도체장치용 리드프레임 및 그 제조방법 및 이것을 제조하기 위한 펀치 및 금형 失效
标题翻译：用于半导体的制造框架及其制造方法，以及用于制造它的打孔机
公开(公告)号：KR100237735B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970013253
申请日：1997-04-10
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 카와바타미노루 , 이누이카쯔지
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은, 특히 광반도체장치에 호적한 반도체장치용 리드프레임 및 그 제조방법 및 이것을 제조하기 위한 펀치 및 금형에 관한 것으로서, 오목형상부에 살붙임, 컵이빠짐 및 균열이 발생하는 일없이 다수개의 발광소자 또는 칩사이즈가 큰 발광소자를 탑재할 수 있는 반도체장치용 리드프레임의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 해결수단으로서, 프레스수단에 의해 띠형상금속재료의 긴쪽 방향의 측면을 펀칭해서 돌기형상부를 형성하고, 이어서 이 돌기형상부의 선단부를 재료측면으로부터 평면형상의 펀치로 쳐서 평탄화하고, 이어서 이 평탄화한 영역을 재료측면으로부터 만곡형상펀치로 쳐서 부채형상부를 형성하고, 이어서 이 부채형상부의 선단부를 재료측면으로부터 볼록형상의 펀치로 쳐서 오목형상부를 형성하는 것을 특 징으로 한 것이다.

9. 发明授权

KR100235585B1 반도체의 제조방법 失效
标题翻译：半导体制造方法
公开(公告)号：KR100235585B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960032832
申请日：1996-08-07
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 사카이히로유키 , 가지야아쓰히로 , 오가와히사시
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/10844 , H01L27/1052
摘要： A manufacturing method for a semiconductor device, whereby poly-silicon serving as an etching stopper is formed above a redundant fuse at the same time as a cell plate is. A silicon nitride film, an oxide film, and another oxide film on the redundant fuse are consecutively etched using the poly-silicon as the etching stopper. Then the poly-silicon is etched.

10. 发明授权

KR100205845B1 컬러수상관장치 失效
公开(公告)号：KR100205845B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019960068726
申请日：1996-12-20
申请人： 마츠시다 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 오타가즈노리 , 야마우치마사히데 , 우에다야스유키 , 스케노마사히코
IPC分类号： H01J9/06
CPC分类号： H01J29/503 , H01J2229/4841
摘要： 본 발명은 양극전압으로부터 분압에 의해 포커스전압을 만들기 위한 고저항의 저항체를 이용할 필요가 없고, 2종류의 포커스전압을 외부에서 공급할 필요도 없어서 형광체 스크린면의 전체영역에서 높은 해상도를 얻을 수 있는 컬러수상관장치에 관한 것으로, 본 발명은 음극(1a-c), 제어전극(2), 가속전극(3), 제1집속전극(4), 제2집속전극(22), 최종가속전극(23)이 차례로 배치되고, 전자빔의
편향각도가 클수록 전압이 높은 다이나믹전압을 제2집속전극(22)에 인가하는 전압인가수단(36)과, 제1집속전극(4)과 제2집속전극(22) 사이에 접속된 저항체(7)가 배치되고, 제2집속전극(22) 및 최종가속전극(23)의 대향면에는 수직방향으로 긴 전자빔 통과구멍(24a),(24b), (25a), (25b), (25c)이 각각 형성되어 있다.

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