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1. 发明公开

KR1019980033351A 세정장치및세정방법 失效
公开(公告)号：KR1019980033351A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970056637
申请日：1997-10-30
申请人： 가부시키가이샤 프레테크 , 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 하라다야수유키 , 시바가주히코 , 네쯔시게요시
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 세정장치에 있어서, 세정용액 분사수단 그 자체는 OH- 이온수와 H+ 이온수의 발생기능을 가지고, 발생 즉시 피세정 기판위로 OH- 이온수와 H+ 이온수를 분사할 수 있으며,OH- 이온수와 H+ 이온수 중 하나가 세정용액으로서 선택적으로 사용될 수 있다.
이 세정장치는 피세정 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 세정용액을 기판위로 분사하기 위한 세정용액 분사수단을 갖는다. 세정용액 분사수단은 순수의 라디칼 활성화 및 이온화를 위한 전해이온 발생부재와, 그 라디칼 활성 또는 이온화수를 초음파에서 전달하여 기판위에 분사하기 위해 초음파 발생부재를 포함한다.

2. 发明公开

KR1019960039178A 반도체웨이퍼세정장치및방법 失效
标题翻译：半导体晶片清洁装置和方法
公开(公告)号：KR1019960039178A
公开(公告)日：1996-11-21
申请号：KR1019960013246
申请日：1996-04-26
申请人： 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 네쯔시게요시 , 하라다야스유끼
IPC分类号： H01L21/304

3. 发明公开

KR1020040089117A 회전식 실리콘웨이퍼 세정장치 失效
标题翻译：旋转硅片清洁器
公开(公告)号：KR1020040089117A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020047011263
申请日：2003-09-11
申请人： 가부시키가이샤 후지킨 , 오미 다다히로 , 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 시라이야수유키 , 후지타타쿠미 , 미나미유키오 , 이케다노부카즈 , 모리모토아키히로 , 카와다코지 , 오미다다히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67034 , H01L21/02052
摘要： 약품이나 순수에 의해 세정처리를 한 실리콘웨이퍼의 수소종단을 보다 완전한 것으로 함으로써, 실리콘웨이퍼의 안정성을 한층 향상시킬 수 있도록 한 회전식 실리콘웨이퍼 세정장치를 제공하는 것이다.
그것을 위해, 본원 발명에서는, 케이스본체내에 실리콘웨이퍼의 지지·회전 구동장치를 구비하고, 약품세정후의 실리콘웨이퍼를 순수에 의해 세정하도록 한 회전식 실리콘웨이퍼 세정장치에 있어서, 케이스본체에 부설되고, 0.05Vol%이상의 수소가스를 함유하는 수소가스와 불활성 가스의 혼합가스를 공급하는 가스공급패널과, 일단이 상기 가스공급패널의 가스혼합기에 연결된 혼합가스 공급관과, 상기 혼합가스 공급관내의 혼합가스를 가열하는 혼합가스 가열장치와, 상기 혼합가스 가열장치에 의해 가열된 고온 혼합가스와의 가스접촉부분에 수소 라디칼을 형성하는 백금 코팅피막을 구비한 수소 라디칼 생성장치로 이루어지는 실리콘웨이퍼 건조장치를 설치하고, 상기 수소 라디칼 생성장치에 의해 생성된 수소 라디칼을 함유하는 혼합가스를 세정 후의 회전하는 실리콘웨이퍼상에 분출함으로써, 실리콘웨이퍼의 외표면의 건조와 수소 종단처리를 행하도록 하고 있다.

4. 发明授权

KR100311180B1 세정장치및세정방법 失效
公开(公告)号：KR100311180B1
公开(公告)日：2001-12-17
申请号：KR1019970056637
申请日：1997-10-30
申请人： 가부시키가이샤 프레테크 , 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 하라다야수유키 , 시바가주히코 , 네쯔시게요시
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 세정장치에 있어서, 세정용액 분사수단 그 자체는 OH- 이온수와 H+ 이온수의 발생기능을 가지고, 발생 즉시 피세정 기판위로 OH- 이온수와 H+ 이온수를 분사할 수 있으며,OH- 이온수와 H+ 이온수 중 하나가 세정용액으로서 선택적으로 사용될 수 있다.
이 세정장치는 피세정 기판을 지지하는 기판 지지부재와, 세정용액을 기판위로 분사하기 위한 세정용액 분사수단을 갖는다. 세정용액 분사수단은 순수의 라디칼 활성화 및 이온화를 위한 전해이온 발생부재와, 그 라디칼 활성 또는 이온화수를 초음파에서 전달하여 기판위에 분사하기 위해 초음파 발생부재를 포함한다.

5. 发明公开

KR1020110108628A 웨이퍼 스테이지 无效
标题翻译： WAFER STAGE
公开(公告)号：KR1020110108628A
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：KR1020100027920
申请日：2010-03-29
申请人： 가부시키가이샤 프레테크 에이티
发明人： 마쓰자와미노루 , 이후쿠마사히로 , 사와다요시오 , 요시카와가즈히로
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/304
摘要： [과제] 클램프 핀을 타고 약액이 기구부에 침입하지 않는 웨이퍼 스테이지를 제공하는 것이다.
[해결수단] 본 발명의 웨이퍼 스테이지(10)는, 복수의 클램프 핀(20)에 의해서 웨이퍼(30)를 얹어놓음면에 위치 결정하고, 얹어놓음면의 주위에 형성한 복수의 오목부(12)와, 오목부(12)의 저면(12A)에 대응하는 하부에 배치한 회동원(13)과, 회동원(13)을 회동시키는 구동체(14)를 구비하고, 회동원(13)의 상부에 능동측 자석(15)를 마련하고, 클램프 핀(20)의 내부 하부에 수동측 자석(16)을 마련하여, 능동측 자석(15)과 수동측 자석(16)의 자기 결합에 의해서 클램프 핀(20)이 회동하는 것을 특징으로 한다.

6. 发明公开

KR1019980032449A 초음파 세정 장치 및 방법 无效
标题翻译：超声波清洁装置和方法
公开(公告)号：KR1019980032449A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970050568
申请日：1997-09-30
申请人： 가부시키가이샤 프레테크 , 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 시바카즈히코 , 우찌다히로아키 , 니시자와히사오
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 반도체 웨이퍼 세정용 장치는 세정액이 채워져 있는 세정조를 구비한다. 초음파가 세정액에 적용되어 반도체 웨이퍼의 파티클을 제거한다. 세정액은 세정액 생성수단에서 미리 결정된 농도의 질소 가스를 탈가스순수로 용해시킴으로써 얻어진다. 세정액의 질소 가스는 세정액에서의 정재파 생성 방지에 효과적이어서, 반도체 웨이퍼에서 일단 제거된 파티클은 정재파에 의해 구속되지 않으므로, 반도체 웨이퍼를 거의 재오염시키지 않는다.

7. 发明公开

KR1019970063548A 세정방법 및 세정장치 无效
公开(公告)号：KR1019970063548A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019970003840
申请日：1997-02-06
申请人： 가부시키가이샤 프론테크 , 오미 다다히로 , 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 오미다다히로 , 와타베코우야 , 스즈키쿠니아키 , 하라다야스유키 , 오오미타다히로
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 액정기판의 세정공정에 있어서, 브러시를 사용하는 세정이나 저주파의 초음파의 초음파 진동을 부여한 순수를 사용한 세정에서는, 유기물이나 금속 오염물을 유효하게 제거하는 것이 가능하다. 세정조(41)에 오존이 혼합된 순수(오존수)가 채워져, 그 중에 피세정물이 침적된다. 세정조(41)의 저부에 설치된 진동부(42)으로부터 발하는 초음파 진동이 순수내로 전달된다. 초음파 진동에 의한 피세정 표면의 파티클을 제거할 수 있고, 또 오존수의 산화력에 의하여, 유기력이나 금속이 제거될 수 있다. 세정조(41)는 금속제이며, 그 내면에 Cr
2 O
3 부동태막이 형성되어 있다. 이 부동태막에 의한 오존수에 의한 산화열화가 발생하기 어렵게 되고, 또 세정조(41)이 금속제이기 때문에, 진동부(42)로부터의 진동이 세정조(41)의 평면으로부터 오존수로 효과적으로 전달된다.

8. 发明公开

KR1020080094539A 매엽식 세정장치 无效
标题翻译：单一类型清洁装置
公开(公告)号：KR1020080094539A
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：KR1020070098031
申请日：2007-09-28
申请人： 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 시바카즈히코 , 카토마사유키 , 하토리노조미 , 나이토요스케
IPC分类号： H01L21/304
摘要： A single type cleaning device is provided to enhance cleaning capability by performing cleaning on upper and lower surfaces of substrates through ultrasound wave oscillation. A single type cleaning device includes a propagation water supply unit(6) and an oscillation unit(7). The propagation water supply unit supplies propagation water to a lower surface of a substrate. The oscillation unit disposed close to the substrate to form a propagation water film(5) under the substrate applies ultrasound wave oscillation to the propagation water film. The ultrasound wave oscillation applied to the propagation water film is penetrated through the substrate and then the penetrated ultrasound wave oscillation is applied to cleaning water(3) on an upper surface(W1) of the substrate. Then the upper surface of the substrate is cleaned.
摘要翻译：提供单一型清洁装置以通过通过超声波振荡对基板的上表面和下表面进行清洁来提高清洁能力。单一型清洁装置包括传播水供应单元（6）和振荡单元（7）。传播水供给单元将传播水供给到基板的下表面。设置在基板附近的振荡单元在基板下形成传播水膜（5），对传播水膜施加超声波振荡。施加到传播水膜的超声波振荡穿过衬底，然后将穿透的超声波振荡施加到衬底的上表面（W1）上的清洁水（3）。然后清洁基板的上表面。

9. 发明公开

KR1020070077100A 초음파 세정장치 및 초음파 세정방법 无效
标题翻译：超声波清洗设备和超声波清洗方法
公开(公告)号：KR1020070077100A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：KR1020070005791
申请日：2007-01-18
申请人： 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 시바카쥬히코 , 고토아키히로
IPC分类号： H01L21/304
摘要： An ultrasonic cleaning apparatus and an ultrasonic cleaning method are provided to prevent damages due to particle acceleration by using an ultrasonic transducer for applying an ultrasonic vibration in a transverse direction. An ultrasonic transducer(3) generates an ultrasonic vibration. The ultrasonic transducer is mounted on a unit(2) for contacting a cleaning liquid(9) to which the ultrasonic vibration is applied to a workpiece(10). The ultrasonic transducer applies the ultrasonic vibration in a transverse direction to a surface of the unit where the ultrasonic transducer is mounted, so that the ultrasonic vibration is applied to the cleaning liquid.
摘要翻译：提供了一种超声波清洗装置和超声波清洗方法，以通过使用用于在横向上施加超声波振动的超声波换能器来防止由颗粒加速引起的损坏。超声波换能器（3）产生超声波振动。超声波换能器安装在用于接触超声波振动施加于工件（10）的清洁液体（9）的单元（2）上。超声波换能器将横向超声波振动施加到安装有超声波振子的单元的表面，使超声波振动施加于清洗液。

10. 发明授权

KR100705344B1 회전식 실리콘웨이퍼 세정장치 失效
标题翻译：旋转式硅水清洗装置
公开(公告)号：KR100705344B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020047011263
申请日：2003-09-11
申请人： 가부시키가이샤 후지킨 , 오미 다다히로 , 가부시키가이샤 프레테크
发明人： 시라이야수유키 , 후지타타쿠미 , 미나미유키오 , 이케다노부카즈 , 모리모토아키히로 , 카와다코지 , 오미다다히로
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67034 , H01L21/02052
摘要： 약품이나 순수에 의해 세정처리를 한 실리콘웨이퍼의 수소종단을 보다 완전한 것으로 함으로써, 실리콘웨이퍼의 안정성을 한층 향상시킬 수 있도록 한 회전식 실리콘웨이퍼 세정장치를 제공하는 것이다.
그것을 위해, 본원 발명에서는, 케이스본체내에 실리콘웨이퍼의 지지·회전 구동장치를 구비하고, 약품세정후의 실리콘웨이퍼를 순수에 의해 세정하도록 한 회전식 실리콘웨이퍼 세정장치에 있어서, 케이스본체에 부설되고, 0.05Vol%이상의 수소가스를 함유하는 수소가스와 불활성 가스의 혼합가스를 공급하는 가스공급패널과, 일단이 상기 가스공급패널의 가스혼합기에 연결된 혼합가스 공급관과, 상기 혼합가스 공급관내의 혼합가스를 가열하는 혼합가스 가열장치와, 상기 혼합가스 가열장치에 의해 가열된 고온 혼합가스와의 가스접촉부분에 수소 라디칼을 형성하는 백금 코팅피막을 구비한 수소 라디칼 생성장치로 이루어지는 실리콘웨이퍼 건조장치를 설치하고, 상기 수소 라디칼 생성장치에 의해 생성된 수소 라디칼을 함유하는 혼합가스를 세정후의 회전하는 실리콘웨이퍼상에 분출함으로써, 실리콘웨이퍼의 외표면의 건조와 수소 종단처리를 행하도록 하고 있다.

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