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    • 비자성의 제2 배향 제어층(37)은 자성의 제1 배향 제어층(36)의 표면에 펼쳐져서, 서로 인접하는 결정립으로 구성된다. 기록 자성층(38)은 제2 배향 제어층(37)의 표면에 펼쳐져, 제2 배향 제어층(37)의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성된다. 제1 및 제2 배향 제어층(36, 37)의 작용으로 기록 자성층(38)에서 결정의 배향은 충분히 갖춰진다. 동일한 막 두께로 비자성의 제2 배향 제어층(37)만이 이용되는 경우에 비해서 기록 자성층(38)에서 결정의 배향은 확실하게 제어될 수 있다. 더구나, 제1 배향 제어층(36)의 작용으로 제2 배향 제어층(37)의 막 두께는 축소될 수 있다. 제2 배향 제어층(36)의 막 두께의 감소에도 불구하고 기록 자성층(38)에서는 충분한 배향은 확립될 수 있다. 따라서, 높은 전자 변환 특성을 얻을 수 있다.
    • 非磁性第二取向控制层37扩散到磁特性的第一取向控制层36的表面上,并且由彼此相邻的晶粒组成。 记录磁性层38由扩散在第二取向控制层37的表面上并且从第二取向控制层37的各个颗粒生长的晶粒组成。 通过第一和第二取向控制层36和37的作用充分提供记录磁性层38中晶体的取向。 与仅以相同膜厚度使用非磁性第二取向控制层37的情况相比,可以可靠地控制记录磁性层38中晶体的取向。 此外,通过第一取向控制层36的作用可以减小第二取向控制层37的膜厚。 尽管第二取向控制层36的膜厚减小,但可以在记录磁性层38中建立足够的取向。 因此,可以获得高电子转换特性。