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    • 4. 发明授权
    • 신규한 벤즈아미드 유도체, 그의 제조방법 및 이를 함유하는 약제학적 조성물
    • KR100290112B1
    • 2001-05-15
    • KR1019940007553
    • 1994-04-11
    • 후지사와 야꾸힝 고교 가부시키가이샤
    • 세토이히로유키오카와다케히코젠코다추야헤미게이지다나카히로카즈
    • C07D215/16
    • 본 발명은 약제로서 유용한 다음 일반식(I)의 신규한 벤즈아미드 유도체 및 그의 약제학적으로 허용되는 염에 관한 것이다.

      상기식에서,
      R
      1 은 수소 또는 저급 알킬이고,
      R
      2 는 수소, 저급 알킬, 할로(저급)알킬, 할로겐 또는 저급 알콕시이며,
      R
      3 및 R
      4 는 각각 수소 또는 저급 알킬이거나, 함께는 옥소를 형성하고,
      R
      5 는 수소, 할로겐, 니트로, 하이드록시, 보호된 하이드록시, 저급 알킬, 또는 저급 알킬아미노에 의해 임의로 치환된 저급 알콕시이며,
      R
      6 은 수소, 저급 알킬 또는 아실이고,
      A는 또는 이며,
      여기에서,
      R
      7 은 수소; 할로겐, 아미노, 저급 알킬아미노, 보호된 아미노, 아실, 헤테로사이클릭 그룹, 하이드록시 또는 보호된 하이드록시에 의해 임의로 치환된 저급 알킬; 또는 아실이고,
      R
      8 및 R
      9 는 각각 수소이거나, 함께는 옥소 또는 티옥소를 형성하거나,
      R
      7 및 R
      8 은 함께 결합을 형성하며,
      R
      9 는 저급 알킬아미노, N-저급 알킬피페라지닐 또는 저급 알킬아미노에 의해 임의로 치환된 저급 알킬티오이고,
      R
      10 은 수소이며,
      R
      11 은 수소, 하이드록시, 저급 알킬아미노, 또는 아실에 의해 임의로 치환된 저급 알킬이거나,
      R
      10 및 R
      11 은 함께 옥소, 또는 아실에 의해 임의로 치환된 저급 알콕시이미노를 형성하고,
      R
      12 는 아실에 의해 임의로 치환된 저급 알킬이며,
      R
      13 은 저급 알킬이고,
      X
      1 은 CH 또는 N 이며,
      X
      2 는 CH 또는 N 이고,
      Y는 또는 이며
      여기에서,
      R
      14 는 수소, 할로겐, 하이드록시 또는 저급 알콕시이고,
      R
      15 는 아릴옥시, 나프틸 또는 저급 알킬, 저급 알콕시, 할로겐, 할로(저급)알킬, 하이드록시, 아미노(저급)알킬, 아지도(저급)알킬, 저급 알킬아미노(저급)알킬, 아실아미노(저급)알킬, 하이드록시(저급)알킬, 시아노 및 아실로 구성된 그룹중에서 선택된 치환체(들)에 의해 치환된 페닐, 또는 헤테로사이클릭 그룹이며,
      R
      16 은 아릴이고,
      n은 0, 1, 2 또는 3 이다.