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1. 发明授权

KR100397577B1 형광체 및 그의 제조방법 失效
标题翻译： 형광체및그의제조방법
公开(公告)号：KR100397577B1
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：KR1020010015159
申请日：2001-03-23
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 카타오카후미아키 , 타무라키요시 , 사토요시타카 , 노무라유지
IPC分类号： C09K11/59
CPC分类号： C09K11/7774 , C09K11/025 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
摘要： The present invention provides a phosphor of formula A2SiO5:B (A is Y or Gd, and B is Ce or Tb) which is characterized by a surface elemental composition represented by (A+B)/Si ranging from 1.5 to 2.5, wherein A is Y or Gd, and B is Ce or Tb; and method for preparing said phosphor. One embodiment of the method is as follows: a SiO2 powder is mixed with co-precipitate (Y, Ce)2O3 (Ce/Y=0.01), in an amount ranging from 10 to 110 mol % based on the amount of (Y, Ce)2O3, and the mixture is charged into the inner crucible of a double-walled aluminum crucible. After graphite is charged between the inner and outer crucible, the mixture is calcined at 1450° C. for 2 hours to obtain an Y2SiO5:Ce phosphor. The luminous efficiency of a field emission display (FED) prepared employing the Y2SiO5:Ce phosphor was measured at an anode voltage of 600V, an electric power input of 30 Wp-p and a duty rate of 1/240. It is desirable that the relative amount of SiO2 based on the amount of (Y, Ce)2O3 ranges from 40 to 70 mol %, preferably 50 to 60 mol %.
摘要翻译：本发明提供了式（A + B）/ Si表示的表面元素组成为1.5-2.5的式A2SiO5：B（A为Y或Gd，B为Ce或Tb）的磷光体，其中A 是Y或Gd，B是Ce或Tb; 和制备所述磷光体的方法。该方法的一个实施方案如下：基于（Y，Y）的量计，SiO 2粉末与共沉淀物（Y，Ce）2 O 3（Ce / Y = 0.01）混合，其量为10-110mol％ Ce）2 O 3，并将该混合物装入双壁铝坩埚的内坩埚中。在内部和外部坩埚之间装入石墨后，将混合物在1450℃煅烧。 C 2小时以获得Y 2 SiO 5：Ce荧光粉。在600V的阳极电压，30Wp-p的电功率输入和1/240的占空比下测量使用Y 2 SiO 5：Ce荧光体制备的场发射显示器（FED）的发光效率。基于（Y，Ce）2 O 3的量的SiO 2的相对量优选为40-70摩尔％，优选50-60摩尔％。

2. 发明公开

KR1020010090733A 형광체 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：荧光物质及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010090733A
公开(公告)日：2001-10-19
申请号：KR1020010015159
申请日：2001-03-23
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 카타오카후미아키 , 타무라키요시 , 사토요시타카 , 노무라유지
IPC分类号： C09K11/59
CPC分类号： C09K11/7774 , C09K11/025 , Y10T428/2991 , Y10T428/2993
摘要： PURPOSE: To improve the life and luminous efficiency of a Y2SiO5:Ce fluorescent substance performing blue luminescence and capable of being used for an FED (field emission display). CONSTITUTION: In an A2SiO5:B (wherein A is Y or Gd; and B is Ce or Tb) fluorescent substance, an elemental composition ratio (A+B)/Si on the surface is set to be 1.5-2.5. For example, coprecipitated (Y, Ce)2O3 (wherein a ratio Ce/Y is fixed in such a way as to be 1 atom.%) with, an oxalate and SiO2 fine powder are used, charge stock wherein a composition ratio of SiO2 to (Y, Ce)2O3 is set to be 10-110% as a ratio between raw materials is satisfactorily compounded and is thrown into an inner crucible of an alumina double crucible, graphite is filled between the inner and outer crucibles and synthesis is carried out in a kiln. The Y2SiO5:Ce fluorescent substance is obtained by holding the temperature at 1,450deg.C for 2 hours. The luminous efficiency of the fluorescent substance layer is measured by making a FED made as a model using the fluorescent substance emit light under conditions that an anodic voltage is 600 V, input power is 30 Wp-p and a duty ratio is 1/240. The charge of SiO2 should be 40-70%, preferably 50-60%.
摘要翻译：目的：提高执行蓝色发光并能够用于FED（场发射显示）的Y2SiO5：Ce荧光物质的寿命和发光效率。构成：在A2SiO5：B（其中A为Y或Gd; B为Ce或Tb）的荧光物质中，表面上的元素组成比（A + B）/ Si为1.5-2.5。例如，使用草酸盐和SiO 2细粉末的共沉淀（Y，Ce）2 O 3（其中Ce / Y比率固定为1原子％），其中SiO 2的组成比至（Y，Ce）2 O 3为10〜10％，原料配比良好，投入到铝坩埚的内坩埚中，在内，外坩埚之间填充石墨，进行合成在窑里出来通过将温度保持在1450℃2小时获得Y2SiO5：Ce荧光物质。在阳极电压为600V，输入功率为30Wp-p，占空比为1/240的条件下，通过使用荧光体发光来制作作为模型的FED来测量荧光物质层的发光效率。 SiO 2的电荷应为40-70％，优选为50-60％。

3. 发明授权

KR100384397B1 ＧａＮ 형광체의 제조방법 失效
标题翻译：氮化镓체의제조방법
公开(公告)号：KR100384397B1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：KR1019990062528
申请日：1999-12-27
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 사토요시타카 , 스다요리코 , 가타오카후미아키 , 도키히토시 , 노무라유지
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/62
CPC分类号： C09K11/62 , C09K11/66 , Y10S438/935
摘要： A method for preparing a gallium nitride phosphor which is capable of emitting light at luminance increased to a degree sufficient to permit the phosphor to be practically used. A dopant compound containing elements reacted with H2 and gasified by heating is arranged on an upstream side in a calcination oven in which NH3 is flowed and a matrix element compound is arranged on the downstream side therein, resulting in calcination of the compound being carried out. This permits GaN to be surrounded with ammonia and the dopant during the calcination, so that the GaN phosphor may be fully doped with the dopant.
摘要翻译：一种制备氮化镓荧光粉的方法，该荧光粉能够以高亮度发光，其程度足以使荧光粉实际使用。将含有与H 2反应并通过加热气化的元素的掺杂剂化合物布置在其中流动NH 3的煅烧炉中的上游侧，并将基体元素化合物布置在其中的下游侧，导致正在进行的化合物的煅烧。这允许GaN在煅烧过程中被氨和掺杂剂包围，使得GaN磷光体可以被掺杂剂完全掺杂。

4. 发明公开

KR1019960042897A 전자선여기발광소자 失效
公开(公告)号：KR1019960042897A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019960016614
申请日：1996-05-17
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 이토시게오 , 와타나베데루오 , 야마우라다츠오 , 도네가와다케시 , 니이야마다카히로 , 노무라유지
IPC分类号： H01J31/20
摘要： 에미터의 에미션이 장시간 열화되지 않게 한다.
애노드전극(15)간의 애도느기판(2)이 노출되어 있는 부분을 덮도록 소수성 절연막(17)을 형성한다. 이에 의해 유리 애노드기판(2)이 전자선으로 직접 두드러지는 것이 없어지고, 유리의 표면에 함유되는 수분 등의 분해가 방지된다. 따라서, 산소가스가 방출되지 않고 에미터콘(14)의 에미션 저하를 방지할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020020073265A 형광 표시관의 제조 방법 및 형광 표시관 有权
标题翻译：真空荧光显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020073265A
公开(公告)日：2002-09-23
申请号：KR1020020013116
申请日：2002-03-12
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 오카모토요시나리 , 노무라유지 , 와다히로유키 , 다나카가즈유키 , 나카야마마사히로 , 시미즈노리오 , 미나토츠카사
IPC分类号： H01J31/15
摘要： PURPOSE: A vacuum fluorescent display and a method of manufacturing the same are provided to allow for ease of formation of fine through holes and multi-layer wiring, while obtaining a vacuum fluorescent display operating at a low voltage. CONSTITUTION: A vacuum fluorescent display comprises an anode substrate(1) formed of an insulation substrate. A cathode electrode(3) for emitting thermal electrons, a grid electrode(2) for accelerating the thermal electrons emitted from the cathode electrode, and an anode electrode(11) are disposed on the insulation substrate. The anode electrode includes a wiring layer, an insulation layer stacked on the wiring layer and which has a through hole, an anode conductor stacked on the insulation layer, and a phosphor deposited on the anode conductor and which emits light by the collision of the thermal electrons emitted from the cathode electrode. The insulation layer of the anode substrate is made of an insulation thin film which is formed by maintaining the insulation substrate at a predetermined temperature.
摘要翻译：目的：提供真空荧光显示器及其制造方法，以便在获得在低电压下工作的真空荧光显示器时，容易形成细通孔和多层布线。构成：真空荧光显示器包括由绝缘基板形成的阳极基板（1）。用于发射热电子的阴极电极（3），用于加速从阴极发射的热电子的栅极（2）和阳极电极（11）设置在绝缘基板上。阳极电极包括布线层，堆叠在布线层上的绝缘层，并且具有通孔，堆叠在绝缘层上的阳极导体和沉积在阳极导体上的荧光体，并且通过热的碰撞而发光从阴极发射的电子。阳极基板的绝缘层由绝缘薄膜制成，该绝缘薄膜通过将绝缘基板保持在预定温度而形成。

6. 发明授权

KR100282796B1 컬러필터 및 그 제조방법과 이에 관한 컬러필터 부착식 표시장치 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100282796B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019970008195
申请日：1997-03-12
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 노무라유지 , 다나카사토시 , 나이토야스유키
IPC分类号： G02B5/20
摘要： 두께가 균일하고, 표면이 평활한 박막필터를 제조한다.
미립자 안료와, 감광성 유기 Si 화합물과 고비점 극성 용제를 함유하는 필터형성액을 유리기판표면에 도포하여 필터박막을 형성하고, 필터박막에 마스크를 통하여 노광한후 현상하여 패터닝하고, 유리기판을 소성하여 컬러필터를 제조한다. 감광성 유기 Si 화합물은 소성에 의해 SiO
2 가 되므로, 필터의 고착강도는 현저히 높다. 필터특성은 양호하고, (a) 필터 표면은 판유리같이 평탄하고 양호한 광택성을 갖는다. (b) 종래의 필터는 안료(1)가 응집하여 표면이 요철로되어 있다. 감광성 유기 Si 화합물이 소성되어 SiO
2 를 생성할때에 필터박막내부에 발생하는 응력은 감광성 유기 Si 화합물 감광기가 완화한다. 본예의 필터는 두껍게 할 수 있고, 25㎛ 정도의 막두께의 경우는 제조시에 갈라지는 일이 없다.

7. 发明公开

KR1020000048415A ＧａＮ 형광체의 제조방법 失效
标题翻译：制造GAN磷的方法
公开(公告)号：KR1020000048415A
公开(公告)日：2000-07-25
申请号：KR1019990062528
申请日：1999-12-27
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 사토요시타카 , 스다요리코 , 가타오카후미아키 , 도키히토시 , 노무라유지
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/62
CPC分类号： C09K11/62 , C09K11/66 , Y10S438/935
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a GaN phosphor is provided which emits practically sufficient luminance by the excitation of an electron line, and whose color is not darkened even though it is cured with a high temperature to improve the crystallization. CONSTITUTION: According to a method for fabricating a GaN phosphor, a dope material compound(3) containing an atom reacting with H2 and is gasified by heating is placed on an end part(b) of the heating range of the upper part, in a curing furnace(1). And, a Ga compound(4) is placed on a center part(a) of the heating range of the lower part. And, the furnace is heated as flowing NH3. The Ga compound is heated in a higher temperature than the dope material compound. The dope material compound is decomposed by NH3, and an atmosphere containing S, O and dope material is generated around the Ga compound. By S and O, the reduction of hydrogen is suppressed and the decomposition of GaN becomes difficult. And, the vicinity of the Ga compound is coated with NH3 and gas-phase dope material, and sufficient amount of dope material is diffused to the GaN. And, thus a GaN phosphor of high crystallization doped with the dope material is obtained.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造GaN荧光体的方法，其通过电子线的激发发射实际上足够的亮度，并且即使其在高温下固化以改善结晶，其颜色也不变暗。构成：根据制造GaN荧光体的方法，将含有与H 2反应并通过加热气化的原子的掺杂材料化合物（3）放置在上部的加热范围的端部（b）上，固化炉（1）。并且，将Ga化合物（4）放置在下部的加热范围的中心部（a）上。并且，炉子以NH3流动的方式加热。 Ga化合物在比掺杂材料化合物高的温度下加热。掺杂材料化合物被NH 3分解，并且在Ga化合物周围产生含有S，O和掺杂材料的气氛。通过S和O，氢的还原被抑制并且GaN的分解变得困难。并且，Ga化合物附近涂覆有NH 3和气相掺杂材料，并且足够量的掺杂材料扩散到GaN。因此，获得掺杂有掺杂材料的高结晶性的GaN荧光体。

8. 发明公开

KR1019970066616A 컬러필터 및 그 제조방법과 이에 관한 컬러필터 부착식 표시장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：彩色滤光片及其制造方法，彩色滤光片安装型显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970066616A
公开(公告)日：1997-10-13
申请号：KR1019970008195
申请日：1997-03-12
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 노무라유지 , 다나카사토시 , 나이토야스유키
IPC分类号： G02B5/20

9. 发明公开

KR1020000053557A 형광체 및 형광체를 사용한 형광표시장치 无效
标题翻译：磷光体和真空荧光显示装置使用磷
公开(公告)号：KR1020000053557A
公开(公告)日：2000-08-25
申请号：KR1020000002802
申请日：2000-01-21
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 스다요리코 , 다무라기요시 , 가타오카후미아키 , 도키히토시 , 노무라유지 , 야마모토하지메
IPC分类号： H01J31/10
摘要： PURPOSE: A phosphor and a vacuum fluorescent display device are provided which accomplish the satisfactory performance in brightness and lifetime by improving the phosphor. CONSTITUTION: An electric field emission display device(1) comprises an envelope(4) whose inside is exhausted in vacuum, an electric field emission cathode(5) installed in the inside of the envelope and an anode(11) having a fluorescent layer(13) installed by being faced to the electric field emission cathode in the envelope. The fluorescent layer comprises a phosphor shown as Ln3(Al(1-x)Ga(x))5O12:Re, wherein Ln = Y, La, Gd, Re = Tb, Ce, Eu, 0.8≤x≤1.0. With the above Ga composition, the life characteristics is improved.
摘要翻译：目的：提供一种荧光体和真空荧光显示装置，其通过改善荧光体而实现令人满意的亮度和寿命性能。构成：电场发射显示装置（1）包括其内部在真空中排出的外壳（4），安装在外壳内部的电场发射阴极（5）和具有荧光层的阳极（11） 13）通过面向外壳中的电场发射阴极而安装。荧光层包括以Ln3（Al（1-x）Ga（x））5O12：Re表示的荧光体，其中Ln = Y，La，Gd，Re = Tb，Ce，Eu，0.8≤x≤1.0。以上Ga组成，寿命特性得到改善。

10. 发明公开

KR1019990063062A 표시관용 양극기판과 그 제조방법 无效
标题翻译：显示管用阳极基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990063062A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980055023
申请日：1998-12-15
申请人： 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤
发明人： 노무라유지 , 나미카와마모루 , 나이토야스유키
IPC分类号： H01J9/02
摘要： 컬러 필터가 표시관용 양극 기판 내면을 평활층에 따라 평활한다.
1) 붕규산 유리 기판(1)위에 무기 안료계 재료로 적녹청 각색의 컬러 필터(R,G,B)을 형성한다. 3) ZnO-B
2 O
3 -SIO
2 계 저융점 유리의 평활층(2)을 형성한다. 4)∼6) 내산성 보호막(3)과 투명도전막(4)위에 포토레지스트(5)를 도포하고, 마스크(6)를 통해 노광한다. 7) 현상후, 8) 기판(1)을 에칭하고, 9) 세정한다. 10) 형광층(r,g,b)을 형성한다. 평활층(2)을 구성하는 ZnO계 저융점 유리는 연화점과 왜곡점의 온도차가 적다. ZnO계 저융점 유리는 왜곡점이 대략 500℃이고, 표시관 제작의 후공정에 있어서의 소성 온도와 동일 정도로 되어 있어서 투명 도전막(4)이 단선될 위험이 없다. 평활층(2)을 구성하는 ZnO계의 저융점 유리의 연화점은 유리 기판의 왜곡점보다 충분히 낮고, 안전하다.

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