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1. 发明授权

KR102030466B1 레터럴 타입의 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102030466B1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：KR1020180065485
申请日：2018-06-07
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78

2. 发明授权

KR102030465B1 레터럴 타입의 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102030465B1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：KR1020180045262
申请日：2018-04-18
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H01L29/735 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/78

3. 发明授权

KR101977956B1 전력반도체 모듈의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101977956B1
公开(公告)日：2019-05-13
申请号：KR1020170078714
申请日：2017-06-21
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환 , 조한신
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/00

4. 发明授权

KR101897642B1 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101897642B1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：KR1020160168552
申请日：2016-12-12
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/36
摘要： 본발명은클로즈드셀(closed cell) 타입의전력반도체소자로서, 기판의상면과나란한단면상에서테두리가닫힌트렌치구조를가지면서기판에형성된트렌치게이트전극; 상기트렌치게이트전극과이격되어상기트렌치게이트전극의내측에배치된전류의이동통로로서의금속컨택영역; 및상기트렌치게이트전극의내측에배치되며, 일측은상기트렌치게이트전극과접합되며타측은상기금속컨택영역과접합되는, 전자소스로서의고농도제 1 도전형의도핑영역; 을포함하되, 금속컨택영역의모서리에전류가집중되어소자가파괴되는것을방지하기위하여, 기판의상면과나란한단면상에서, 상기제 1 도전형의도핑영역과상기금속컨택영역이맞닿는부분은상기금속컨택영역의테두리중에서모서리를제외한부분인것을특징으로하는전력반도체소자를제공한다.

5. 发明授权

KR101887909B1 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101887909B1
公开(公告)日：2018-08-13
申请号：KR1020160167014
申请日：2016-12-08
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L21/3215 , H01L21/768
摘要： 본발명은클로즈드셀(closed cell) 타입의전력반도체소자로서, 기판의상면과나란한단면상에서테두리가닫힌트렌치구조를가지면서기판에형성된트렌치게이트전극; 상기트렌치게이트전극과이격되어상기트렌치게이트전극의내측에배치된전류의이동통로로서의금속컨택영역; 및상기트렌치게이트전극의내측에배치되며, 일측은상기트렌치게이트전극과접합되며타측은상기금속컨택영역과접합되는, 전자소스로서의고농도제 1 도전형의도핑영역; 을포함하되, 금속컨택영역의모서리에전류가집중되어소자가파괴되는것을방지하기위하여, 기판의상면과나란한단면상에서, 상기제 1 도전형의도핑영역과상기금속컨택영역이맞닿는부분은상기금속컨택영역의테두리중에서모서리를제외한부분인것을특징으로하며, 반도체저항감소를위하여, 상기트렌치게이트전극과접합되는상기고농도제 1 도전형의도핑영역의일측은상기금속컨택영역과접합되는상기고농도제 1 도전형의도핑영역의타측보다단면적이더 넓은것을특징으로하는전력반도체소자를제공한다.

6. 发明授权

KR101870822B1 전력 반도체 소자 및 그 동작방법 有权
公开(公告)号：KR101870822B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020160155212
申请日：2016-11-21
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L21/8234
摘要： 본발명은기판상에배치된제 1 게이트전극; 상기기판내에서상기제 1 게이트전극의양단에각각이격배치된한 쌍의제 1 도전형의웰(well) 영역; 상기한 쌍의제 1 도전형의웰 영역사이에위치한제 2 도전형의웰(well) 영역; 상기제 2 도전형의웰 영역및 상기한 쌍의제 1 도전형의웰 영역의하부에위치한제 2 도전형의에피(epi)층영역; 및상기제 1 도전형의웰 영역과이격되어, 상기제 2 도전형의에피층영역및/또는상기제 2 도전형의웰 영역내에배치된제 2 게이트전극;을포함하는, 전력반도체소자를제공한다.

7. 发明授权

KR101870808B1 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101870808B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020160069550
申请日：2016-06-03
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김영준 , 우혁 , 김태엽 , 조한신 , 박태영 , 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要： 본발명은기판의트렌치내에배치된게이트전극, 상기기판내에서상기게이트전극의일측에배치된제 1 도전형의바디영역과상기제 1 도전형의바디영역내에상기게이트전극에인접하여배치된제 2 도전형의소스영역, 상기기판내에서상기게이트전극의타측에배치된제 1 도전형의플로팅영역, 상기기판내에서상기제 1 도전형의플로팅영역과이격배치되되상기소스영역과는전기적으로연결된제 1 도전형의에지도핑영역, 상기기판내에서상기제 1 도전형의플로팅영역과상기제 1 도전형의에지도핑영역사이에개재된제 2 도전형의에지정션분리(edge junction isolation) 영역및 상기기판내에서상기제 1 도전형의플로팅영역, 상기제 1 도전형의에지도핑영역및 상기제 2 도전형의에지정션분리영역아래에배치된제 2 도전형의드리프트영역을포함하고, 상기에지정션분리영역의제 2 도전형도핑농도는상기드리프트영역의제 2 도전형도핑농도보다상대적으로더 높은, 전력반도체소자를제공한다.

8. 发明公开

KR1020160144710A ＬＥＤ 구동 장치 无效
标题翻译：驱动发光二极管的装置
公开(公告)号：KR1020160144710A
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020150081170
申请日：2015-06-09
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H05B37/02 , F21K99/00 , F21S2/00 , H05B33/08 , H05B37/03 , G01R19/165 , G08B21/18
摘要： 본발명은 LED 구동장치에관한것으로, 복수의발광다이오드(LED)를포함하는 LED 모듈과, 상기 LED 모듈의일단에연결되는 LED 구동스위치와, 상기 LED 구동스위치의스위칭동작을제어하여, 상기 LED 모듈에공급되는출력전류를제어하는 LED 구동부와, 상기 LED 모듈과상기 LED 구동스위치의사이에연결되며, 입력전압에따라저항값이가변하는반도체소자와, 상기반도체소자의저항값이기 설정된기준저항값으로가변되도록입력전압을조절하는제어부를포함함으로써, 회로의간소화, 집적화및 원가절감할수 있는효과가있다.

9. 发明授权

KR101647695B1 긴급 모드를 지원하는 전자 제어 장치 및 그 동작 방법 有权
标题翻译：用于支持应急模式的电子控制装置及其操作方法
公开(公告)号：KR101647695B1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020140183213
申请日：2014-12-18
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： B60R16/02 , B60R16/023 , B60R16/03 , H01Q1/24 , B60W50/02
摘要： 본명세서는차량의전자제어장치및 그동작방법에관한것으로서, 더욱상세하게는캔 버스로부터데이터를수신하는수신모드및 상기캔 버스로부터데이터가수신되지않으면상기데이터를수신하는동작을정지하는슬립모드중 어느하나의모드로동작하는캔 버스수신기; 상기캔 버스수신기를상기슬립모드에서상기수신모드로전환시키는웨이크업모드및 상기캔 버스수신기의오동작시상기캔 버스수신기를대신하여상기캔 버스로부터데이터를수신하는지원모드중 어느하나의모드로동작하는저전력수신기; 긴급모드시, 상기캔 버스수신기및 상기저전력수신기를각각동작시켜수신된데이터를비교하여정상데이터인지를판단하고, 정상데이터로판단되면상기수신된데이터를긴급모드데이터로처리하는긴급모드지원부; 및파워온이된 후상기긴급모드지원부를긴급모드로동작시켜상기처리된데이터를 MCU(Micro Controller Unit)로전송하는제어부를포함한다.

10. 发明授权

KR101637997B1 차량의 전자식 안정성 제어 장치용 반도체 칩 설계 방법 및 그 장치 有权
标题翻译：设计用于车辆及其装置的半导体芯片的方法
公开(公告)号：KR101637997B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020140164692
申请日：2014-11-24
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환
IPC分类号： H01L21/00 , B60G17/00
摘要： 본발명은차량의전자식안정성제어장치(Electronic Stability Control, ESC)의제어신호를출력하는복수의핀을하나의칩에설계하기위한반도체칩 설계방법에관한것으로, 제어부가제어신호에대응되는복수의핀을각각결정하는단계, 전자식안정성제어장치로부터출력되는제어신호각각의빈도수에기초하여복수의핀 각각의위치를결정하는단계및 결정되는위치에기초하여핀 배치부가복수의핀 각각을배치하는단계를포함한다.

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