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1. 发明授权

KR102008277B1 전력 반도체 칩 有权
公开(公告)号：KR102008277B1
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：KR1020170143883
申请日：2017-10-31
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 박태영
IPC分类号： H01L23/58 , H01L23/52 , H01L29/739 , H01L29/70

2. 发明公开

KR1020170143391A 전력 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：功率半导体器件
公开(公告)号：KR1020170143391A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160077605
申请日：2016-06-21
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김영준 , 우혁 , 김태엽 , 조한신 , 박태영 , 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/402 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/407 , H01L29/7397
摘要： 본발명은액티브(active) 영역및 에지(edge) 영역을포함하고, 제 1 도전형의불순물이도핑된반도체를함유하는기판, 상기기판의에지영역상에형성된절연막, 상기절연막상에형성된필드플레이트패턴및 상기기판의에지영역내부에매립되어상기기판의상부면과나란한벡터성분을가지는방향으로신장하는적어도하나이상의제 2 도전형의제 1 도핑영역을포함하는전력반도체소자를제공한다.
摘要翻译：本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括有源区和边缘区，并且包括掺杂有第一导电类型杂质的半导体;绝缘膜，形成在衬底的共晶相上; 并且至少一个第二导电类型的第一掺杂区域嵌入在衬底的边缘区域中并且沿着具有平行于衬底上表面的矢量分量的方向延伸。

3. 发明授权

KR101887906B1 전력 소자 모듈의 온도 센싱 장치 有权
公开(公告)号：KR101887906B1
公开(公告)日：2018-08-13
申请号：KR1020160168549
申请日：2016-12-12
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 박태영
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 본발명에따른전력소자모듈의온도센싱장치는마이크로컨트롤러유닛으로부터구동신호를공급받아게이트신호를제공하는게이트드라이버; 상기게이트신호를수신하는게이트단자, 접지부와연결되는제 1 에미터단자, 제 2 에미터단자및 상기제 1 에미터단자와상기제 2 에미터단자사이에연결된온도센싱소자를포함하는전력소자; 및상기제 2 에미터단자에연결된션트저항에걸린전압을측정하는전류검출회로;를포함하며, 상기게이트드라이버는상기전류검출회로의출력전압이상기게이트신호가온(On) 상태가될 때부터기준시간이내에제 1 기준전압까지도달하지못하는경우에온도이상신호를출력하는온도감지부를포함할수 있다. 따라서, 본발명에따르면, 전력소자모듈의외부핀 개수의감소로, 모듈원가절감효과발생하고, 외부핀간단락고장(Pin-short) 등을방지하여전력소자모듈의신뢰도를향상시킬수 있다.

4. 发明授权

KR101870808B1 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101870808B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020160069550
申请日：2016-06-03
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김영준 , 우혁 , 김태엽 , 조한신 , 박태영 , 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/66348 , H01L29/7397
摘要： 본발명은기판의트렌치내에배치된게이트전극, 상기기판내에서상기게이트전극의일측에배치된제 1 도전형의바디영역과상기제 1 도전형의바디영역내에상기게이트전극에인접하여배치된제 2 도전형의소스영역, 상기기판내에서상기게이트전극의타측에배치된제 1 도전형의플로팅영역, 상기기판내에서상기제 1 도전형의플로팅영역과이격배치되되상기소스영역과는전기적으로연결된제 1 도전형의에지도핑영역, 상기기판내에서상기제 1 도전형의플로팅영역과상기제 1 도전형의에지도핑영역사이에개재된제 2 도전형의에지정션분리(edge junction isolation) 영역및 상기기판내에서상기제 1 도전형의플로팅영역, 상기제 1 도전형의에지도핑영역및 상기제 2 도전형의에지정션분리영역아래에배치된제 2 도전형의드리프트영역을포함하고, 상기에지정션분리영역의제 2 도전형도핑농도는상기드리프트영역의제 2 도전형도핑농도보다상대적으로더 높은, 전력반도체소자를제공한다.

5. 发明授权

KR101786738B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101786738B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020160057678
申请日：2016-05-11
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김태엽 , 우혁 , 김영준 , 박태영 , 조한신 , 최윤철
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0623 , H01L29/0847 , H01L29/0865 , H01L29/1608 , H01L29/42376 , H01L29/7827 , H01L29/7828 , H01L29/7831
摘要： 반도체장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른반도체장치는제1 면및 상기제1 면과마주보는제2 면을포함하는기판, 상기기판의제1 면상에형성되고제1 도전형을갖는에피층, 상기에피층 내에형성되고, 상기제1 도전형과다른제2 도전형을갖는베이스영역, 상기베이스영역내에형성되고, 상기제1 도전형을갖는소오스영역, 상기베이스영역내에, 상기소오스영역과이격되어형성되고, 상기제1 도전형을갖는채널영역, 상기소오스영역과상기채널영역사이에형성되고, 상기제2 도전형을갖는베리어영역을포함한다.
摘要翻译：公开了一种半导体器件。根据本发明实施例的半导体器件包括：衬底，包括第一表面和面对第一表面的第二表面;外延层，形成在衬底的第一表面上并具有第一导电类型; 形成在所述金属陶瓷层中并具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的基极区;形成在所述基极区中并具有所述第一导电类型的源极区; 具有第一导电类型的沟道区，以及形成在源极区和沟道区之间并具有第二导电类型的势垒区。

6. 发明授权

KR102153550B1 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR102153550B1
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：KR1020190053685
申请日：2019-05-08
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이주환 , 박태영 , 윤성환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L21/8234 , H01L21/66

7. 发明授权

KR102110249B1 전력 반도체 칩 有权
公开(公告)号：KR102110249B1
公开(公告)日：2020-05-13
申请号：KR1020180156993
申请日：2018-12-07
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 박태영
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L29/78

8. 发明授权

KR101870807B1 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101870807B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020160077602
申请日：2016-06-21
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김영준 , 우혁 , 김태엽 , 조한신 , 박태영 , 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/7813
摘要： 본발명은상기전력반도체소자는기판내에서로이격된제 1 트렌치및 제 2 트렌치에각각배치된한 쌍의게이트전극, 상기기판내에서상기제 1 트렌치및 상기제 2 트렌치사이에배치된제 1 도전형의바디영역, 상기기판내에서상기제 1 트렌치및 제 2 트렌치의바닥면과적어도일측면을각각둘러싸면서서로이격배치된한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역, 및상기기판내에서상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역아래로부터상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역사이를통과하여상기제 1 도전형의바디영역까지이어지는, 제 2 도전형의드리프트영역을포함하며, 상기드리프트영역에서상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역사이의제 2 도전형도핑농도는상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역아래의제 2 도전형도핑농도보다상대적으로더 높은전력반도체소자를제공한다.

9. 发明授权

KR101870809B1 전력 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101870809B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020160077605
申请日：2016-06-21
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김영준 , 우혁 , 김태엽 , 조한신 , 박태영 , 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/402 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/407 , H01L29/7397
摘要： 본발명은액티브(active) 영역및 에지(edge) 영역을포함하고, 제 1 도전형의불순물이도핑된반도체를함유하는기판, 상기기판의에지영역상에형성된절연막, 상기절연막상에형성된필드플레이트패턴및 상기기판의에지영역내부에매립되어상기기판의상부면과나란한벡터성분을가지는방향으로신장하는적어도하나이상의제 2 도전형의제 1 도핑영역을포함하는전력반도체소자를제공한다.

10. 发明公开

KR1020170143390A 전력 반도체 소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：功率半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170143390A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：KR1020160077602
申请日：2016-06-21
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 김영준 , 우혁 , 김태엽 , 조한신 , 박태영 , 이주환
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/66 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/1095 , H01L29/66348 , H01L29/7813
摘要： 본발명은상기전력반도체소자는기판내에서로이격된제 1 트렌치및 제 2 트렌치에각각배치된한 쌍의게이트전극, 상기기판내에서상기제 1 트렌치및 상기제 2 트렌치사이에배치된제 1 도전형의바디영역, 상기기판내에서상기제 1 트렌치및 제 2 트렌치의바닥면과적어도일측면을각각둘러싸면서서로이격배치된한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역, 및상기기판내에서상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역아래로부터상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역사이를통과하여상기제 1 도전형의바디영역까지이어지는, 제 2 도전형의드리프트영역을포함하며, 상기드리프트영역에서상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역사이의제 2 도전형도핑농도는상기한 쌍의제 1 도전형의플로팅영역아래의제 2 도전형도핑농도보다상대적으로더 높은전력반도체소자를제공한다.
摘要翻译：设置在所述功率半导体器件之间的第一导电性的本发明是在一对的栅电极，每一个设置在所述第一沟槽和从彼此在基板间隔开的第二沟槽，所述第一沟槽并在所述衬底中的第二沟槽型的体区，所述第一沟槽的衬底内并同时分别包围所述底表面和在浮置区域上方的第二沟槽的至少一个侧面，和布置在第一导电类型的对彼此间隔开的基片一对根据权利要求1的，从导电性类型的一对第一导线到所述第一导电类型的体区中的所述第一浮置区之间的导电通路的浮置区的下方，和第一包括第二导电类型的漂移区，所述漂移该区域中的该对第一导电类型浮置区之间的第二导电类型掺杂浓度相对高于该对第一导电类型浮置区之下的第二导电类型掺杂浓度提供。

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