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1. 发明公开

KR1019990047421A 반도체장치의 소자격리방법 无效
公开(公告)号：KR1019990047421A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065829
申请日：1997-12-04
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L21/76
摘要： 본 발명은 트렌치 소자분리(trench isolation)를 이용하여 소자격리영역을 정의하는 소자격리방법에 관한 것으로, 반도체기판 상의 소정 부분을 제외한 부분에 마스크층을 형성하여 활성영역 및 소자분리영역을 한정하는 공정과, 마스크층을 식각 마스크로 사용하여 반도체기판의 노출된 소자분리영역에 트렌치 형성 및 상기 트렌치 내주면에 제 1절연막을 형성시키는 공정과, 마스크층 상에 상기 절연막을 채우도록 제 2절연막을 형성하는 공정과, 제 2절연층 및 마스크층의 일부까지 폴리싱하여 표면을 평탄화하는 공정과, 마스크층을 제거하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명의 반도체장치의 소자격리방법에서는 소자격리영역을 정의하는 트렌치 코너가 모서리져서 발생되는 문턱전압이 낮아지는 것을 방지가능하고, 또한, 이 후의 공정에서 콘택홀 형성 시, 어라인 마진(align margin) 등을 확보할 수 있는 잇점이 있다.

2. 发明公开

KR1020000066725A 반도체 소자의 커패시터 및 제조방법 有权
标题翻译：电容器及其形成方法
公开(公告)号：KR1020000066725A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019990014026
申请日：1999-04-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L27/0805
摘要： PURPOSE: A capacitor is provided to be capable of obtaining higher capacitance under the same area as a conventional capacitor. CONSTITUTION: A capacitor comprises a trench(202a), which is formed in a semiconductor substrate(200) and is filled with an insulation film(202b). A bottom electrode(203) of a capacitor(C) is buried in the insulation film(202b). A first dielectric film(204) is formed on the lower electrode(203), and a middle electrode(205) is formed on the first dielectric film(204). A second dielectric film(206) is formed on the middle electrode(205), and a top electrode(207) is formed on the second dielectric film(206).
摘要翻译：目的：提供一种能够在与常规电容器相同的区域下获得更高电容的电容器。构成：电容器包括形成在半导体衬底（200）中并填充有绝缘膜（202b）的沟槽（202a）。电容器（C）的底部电极（203）被埋在绝缘膜（202b）中。第一绝缘膜（204）形成在下电极（203）上，中间电极（205）形成在第一绝缘膜（204）上。第二电介质膜（206）形成在中间电极（205）上，顶电极（207）形成在第二电介质膜（206）上。

3. 发明授权

KR100223937B1 안티퓨즈의 구조 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：抗体结构及其形成方法
公开(公告)号：KR100223937B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019970004156
申请日：1997-02-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L21/3205
摘要： 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 서로 다른 전압에서 필드 프로그램어블 게이트 어레이(Fieod Programmable Gate Araay)의 동작에 적당하도록 한 안티퓨즈(Antifuse)의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를위한 본 발명의 안티퓨즈의 구조에 있어서, 소정간격을 갖는 도전층을 비정질 실리콘으로 연결하여 형성된 적어도 2개 이상의 안티퓨즈와, 상기 안티퓨즈 사이마다 형성되어 적층구조가 되도록 각 안티퓨즈를 절연 시키는 절연층과, 상기 절연층의 소정부위에 형성된 콘택홀에 매립되어 상기 도전층을 전기적으로 연결하기 위한 플러그로 구성됨을 특징으로 한다. 그리고 본 발명의 안티퓨즈의 제조방법은 도전층을 소정부분 식각하여 비아 홀를 형성하는 공정과, 상기 비아 홀에 비정질 실리콘층을 형성하여 제 1 안티퓨즈를 형성하는 공정과, 상기 제 1 안티퓨즈상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층에 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀에 플러그를 형성하는 공정과, 상기 플러그를 포함한 절연층상에 상기 제 1 안티퓨즈와 동일한 제 2 안티퓨즈를 형성하여 적층하는 공정를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

4. 发明授权

KR100319618B1 반도체 소자의 커패시터 및 제조방법 有权
标题翻译：用于半导体器件制造方法的电容器
公开(公告)号：KR100319618B1
公开(公告)日：2002-01-05
申请号：KR1019990014026
申请日：1999-04-20
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L27/0805
摘要： 본발명은반도체소자에관한것으로특히가변용량을갖는커패시터의구조및 제조방법에관한것이다. 본발명의커패시터의구조는, 소자분리영역(비액티브영역)에형성되며, 반도체기판상에소자분리를위한트렌치(202a)가형성되어있고, 상기트렌치(202a)내에는소자분리용절연막(202b)이형성되어있으며, 상기절연막(202b)내에커패시터의하부전극(203)이매립되어있다. 상기매립된하부전극(203)위에제1유전막(204)이형성되어있고, 상기제1유전막(204)위에중간전극(205)이형성되어있고, 상기중간전극(205)위에제2유전막(206)과상부전극(207)이형성되어있는, 3층전극구조를갖고있다. 본발명의커패시터는상기상·하부전극(203,207) 및중간전극(205)에각각인가되는전압에따라커패시터의용량이가변한다.

5. 发明授权

KR100272553B1 트랜지스터 失效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR100272553B1
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019980017844
申请日：1998-05-18
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L29/68
摘要： PURPOSE: A transistor is provided to be capable of having various output levels and reducing its size by forming transistors of crossed shape, and of easily forming more various signals by having many kinds of signal systems. CONSTITUTION: A first gate(21) having a predetermined width is formed in one direction on an active area(20) of a semiconductor, and a second gate(22) wider than the first gate(21) is formed to be crossed with the first gate(21). A source area(23) and a drain area(24) are respectively formed on the active area(20) on both sides of the first and second gates(21,22), and contact areas(25) are respectively formed in the source area(23) and the drain area(24). Here, the source area(23) and the drain area(24) form one transistor. Further, the transistors formed of the first and second gates(21,22) and the source and drain areas(24) have threshold voltage different from each other.
摘要翻译：目的：提供一种晶体管，能够通过形成交叉形状的晶体管而具有各种输出电平并减小其尺寸，并且通过使用多种信号系统容易地形成更多种类的信号。构成：在半导体的有源区域（20）上沿一个方向形成具有预定宽度的第一栅极（21），并且形成比第一栅极（21）更宽的第二栅极（22）与第一门（21）。源极区域（23）和漏极区域（24）分别形成在第一和第二栅极（21,22）两侧的有源区域（20）上，接触区域（25）分别形成在源极区域（23）和排水区域（24）。这里，源极区域（23）和漏极区域（24）形成一个晶体管。此外，由第一和第二栅极（21,22）和源极和漏极区域（24）形成的晶体管具有彼此不同的阈值电压。

6. 发明公开

KR1019990085432A 트랜지스터 失效
公开(公告)号：KR1019990085432A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980017844
申请日：1998-05-18
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L29/68
摘要： 본 발명은 여러 가지의 출력 레벨(Output Level)을 갖도록 한 트랜지스터(Transister)에 관한 것으로서, 액티브영역이 정의된 반도체 기판과, 상기 액티브영역에 제 1 폭을 갖고 일방향으로 형성되는 제 1 게이트와, 상기 제 1 게이트와 수직한 방향으로 제 2 폭을 갖고 형성되는 복수개의 제 2 게이트들과, 그리고 상기 제 1, 제 2 게이트 양측의 액티브영역에 형성되는 소오스 및 드레인 영역을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

7. 发明公开

KR1019980067844A 안티퓨즈의 구조 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：反熔丝的结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1019980067844A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004156
申请日：1997-02-12
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 오보석
IPC分类号： H01L21/3205
摘要： 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 서로 다른 전압에서 필드 프로그램어블 게이트 어레이(Fieod Programmable Gate Araay)의 동작에 적당하도록 한 안티퓨즈(Antifuse)의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를위한 본 발명의 안티퓨즈의 구조에 있어서, 소정간격을 갖는 도전층을 비정질 실리콘으로 연결하여 형성된 적어도 2개 이상의 안티퓨즈와, 상기 안티퓨즈 사이마다 형성되어 적층구조가 되도록 각 안티퓨즈를 절연 시키는 절연층과, 상기 절연층의 소정부위에 형성된 콘택홀에 매립되어 상기 도전층을 전기적으로 연결하기 위한 플러그로 구성됨을 특징으로 한다. 그리고 본 발명의 안티퓨즈의 제조방법은 도전층을 소정부분 식각하여 비아 홀를 형성하는 공정과, 상기 비아 홀에 비정질 실리콘층을 형성하여 제 1 안티퓨즈를 형성하는 공정과, 상기 제 1 안티퓨즈상에 절연층을 형성한 후, 상기 절연층에 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀에 플러그를 형성하는 공정과, 상기 플러그를 포함한 절연층상에 상기 제 1 안티퓨즈와 동일한 제 2 안티퓨즈를 형성하여 적층하는 공정를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

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