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1. 发明公开

KR1019920015532A 디램 셀 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1019920015532A
公开(公告)日：1992-08-27
申请号：KR1019910000650
申请日：1991-01-16
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： H01L27/00
摘要： 내용 없음

2. 发明授权

KR1019930006979B1 스택 커패시터 셀 제조방법 失效
标题翻译：堆叠电容器电池的方法
公开(公告)号：KR1019930006979B1
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019900021637
申请日：1990-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： H01L27/108
摘要： The stacked capacitor cell is mfd. by (a) forming a field oxide film (2), a gate oxide film (3), a gate polysilicon film (4), a gate cap oxide film (5) and a gate sidewall nitride film (6) on the substrate, and then implanting n+ or n- ion to form a source/ drain, (b) depositing an insulating oxide film (7), forming a buried contact, and then etching the residual oxide film (7), (c) forming a polysilicon film (4a) for a storage node, and then photoetching it to form the storage node, and (d) depositing a capacitor dielectric film (8) and a polysilicon film (9) for a plate, and then photoetching and partially lifting off the films (8,9) to form the plate.
摘要翻译：堆叠的电容器单元是mfd。通过（a）在基板上形成场氧化膜（2），栅极氧化膜（3），栅极多晶硅膜（4），栅极氧化膜（5）和栅极侧壁氮化物膜（6）然后注入n +或n-离子以形成源极/漏极，（b）沉积绝缘氧化物膜（7），形成掩埋接触，然后蚀刻残余氧化物膜（7），（c）形成多晶硅膜（4a），然后对其进行光刻以形成存储节点，以及（d）沉积用于板的电容器电介质膜（8）和多晶硅膜（9），然后光刻并部分地剥离膜（8,9）以形成板。

3. 发明公开

KR1019900007055A 이미지 리버스 포토레지스트를 이용한 이중포토처리방법 失效
公开(公告)号：KR1019900007055A
公开(公告)日：1990-05-09
申请号：KR1019880014041
申请日：1988-10-27
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박근원 , 김홍석 , 승성표
IPC分类号： G03F7/00
摘要： 내용 없음

4. 发明授权

KR100249184B1 반도체장치에서의 콘택홀의 경사면 형성방법 失效
标题翻译：用于制造半导体器件的分解接触孔的方法
公开(公告)号：KR100249184B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019920019347
申请日：1992-10-21
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 본 발명은 반도체 장치에서의 콘택홀 형성 방법에 관한 것이다.
종래의 콘택홀 형상은 모서리가 형성되어 있으며, 이 모서리는 금속 접착시에 파손되기 쉬운 취약부로 작용하는 문제점이 있었지만, 본 발명에서는 콘택홀 형성시의 식각 조건을 조정하여 콘택홀 내에 모서리의 생성을 억제함으로서 콘택홀을 견고하게 할수 있다.

5. 发明授权

KR100069756B1 반도체 장치의 제조공정 失效
标题翻译：半导体器件的制造工艺
公开(公告)号：KR100069756B1
公开(公告)日：1994-01-12
申请号：KR1019910006021
申请日：1991-04-15
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： H01L21/31

6. 发明授权

KR100067413B1 스택 커패시터 셀 제조방법 失效
标题翻译：如何制造堆叠式电容器电池
公开(公告)号：KR100067413B1
公开(公告)日：1993-11-09
申请号：KR1019900021637
申请日：1990-12-24
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： H01L27/108

7. 发明公开

KR1019920020636A 반도체 장치의 제조공정 失效
公开(公告)号：KR1019920020636A
公开(公告)日：1992-11-21
申请号：KR1019910006021
申请日：1991-04-15
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 내용 없음

8. 发明授权

KR100121067B1 이미지 리버스 포토레지스트를 이용한 이중포토처리방법 失效
标题翻译：使用图像反向光刻胶的双照片处理方法
公开(公告)号：KR100121067B1
公开(公告)日：1997-08-25
申请号：KR1019880014041
申请日：1988-10-27
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박근원 , 김홍석 , 승성표
IPC分类号： G03F7/00

9. 发明授权

KR1019970007433B1 이미지 리버스 포토레지스트를 이용한 이중포토처리방법 失效
标题翻译：使用图像反光镜的双照片处理过程
公开(公告)号：KR1019970007433B1
公开(公告)日：1997-05-08
申请号：KR1019880014041
申请日：1988-10-27
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박근원 , 김홍석 , 승성표
IPC分类号： G03F7/00
摘要： A doublephoto treatment method using image reverse photoresist comprising the step forming image reverse photoresist on wafer; the step patterning said photoresist by masking & exposing it; the step forming photoresist on said image reverse photoresist; and the step patterning said photoresist by masking & exposing it is disclosed. Thereby, processes become simple and costs become reduced because prior high temperature heat treatment and ultra violet curing are unnecessary.
摘要翻译：使用图像反向光致抗蚀剂的双光焦度处理方法，其包括在晶片上形成图像反向光刻胶的步骤; 通过掩蔽和曝光来对所述光致抗蚀剂进行图案化; 在所述图像反向光刻胶上形成步骤形成光致抗蚀剂; 并且公开了通过掩蔽和曝光来对所述光致抗蚀剂进行图案化的步骤。因此，由于不需要先前的高温热处理和紫外线固化，工艺变得简单并且成本降低。

10. 发明公开

KR1019960005210A 미세 패턴 형성 방법 无效
公开(公告)号：KR1019960005210A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019940017690
申请日：1994-07-21
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 승성표
IPC分类号： G03F7/00

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