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1. 发明公开

KR1019930019275A 실리콘 입자의 제트분쇄방법 失效
公开(公告)号：KR1019930019275A
公开(公告)日：1993-10-18
申请号：KR1019920004529
申请日：1992-03-19
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김희영 , 권대혁 , 송영목 , 김성우
IPC分类号： B02C19/06
摘要： 본원발명은 실리콘 입자의 제트분쇄 방법에 관한 것이다. 입경범위가 약300∼3,000미크론인 실리콘 입자들을 실리콘 입자 송입구(9)를 통해 분쇄실(2)내로 공급하고, 상기 분쇄실(2)의 하부에 설치된 제트분사노즐(3)을 통해 제트분사 노즐 출구(3′)에서의 속도가 약300∼10,000m/sec 범위인 제트기류를 흘려 상기 제트분사노즐(3) 근처에 위치한 실리콘 입자들을 가속, 상호 충돌시켜 분쇄하고, (a) 상기 분쇄실(2)내의 평균가스 유속을 약0.5∼30m/sec 내에서 조절하여 일정크기 이하의 분쇄된 실리콘 입자들이 가스흐름에 부상하여 상기 분쇄실(2) 상부에 설치된 배출구(4)를 통해 상기 분쇄실(2) 밖으로 배출되도록 하고, (b) 실리콘 입자의 공급속도를 조절하여 상기 제트분사노즐출구(3′)로부너 상기 배출구(4) 사이의 입자밀도가 약 0.2이하로 유지되도록 하고, (c) 상기 배출구(4)를 분쇄실의 단면적보다 좁게하고, 상기(a)(b)(c )의 조건을 만족시켜서 상기 분쇄실(2)내에서 유동하는 실리콘 입자층이 상부 경계가 없는 일종의 희박유동층을 형성하도록 하여서 됨을 특징으로 하는 실리콘 입자의 제트분쇄방법.
이와같이하므로서 실리콘 입자를 분쇄하여 실리콘 중 입자를 생산함에 있어서 본 발명의 제트분쇄 방법을 이용하면 종래법에 비해 훨씬 효율적으로 간편한데 그 주요효과를 들면 다음과 같다. 첫째, 종래법에서는 고순도 실리콘 봉이나 충돌판의 마모가 핌하여 이것들을 일정 주기로 교체해야 하나 본 발명에서는 거의 대부분의 분쇄가 실리콘 입자들 사이의 자체 충돌에 의해 일어나므로 분쇄실과 제트분사노즐의 마모가 적어 유지, 보수가 용이하며, 둘째, 종래법에서는 단 한번의 압착이나 충돌에 의해 분쇄되므로 실리콘 종 입자의 생산효율이 낮으로 본 발명에서는 분쇄실 내부에서 일정크기 이상의 입자는 재분쇄되므로 생산효율이 높으며, 셋재, 종래법에서는 일정 크기 이상의 입자는 별도의 분급기로 분급하여 재분쇄해야하므로 분급시스템이 복잡하나 본 발명에서는 분쇄실의 내경, 분쇄실 내의 유속 등 조업조건에 따라 임의로 실리콘 종 입자의 입경 분포를 제어할 수 있어서 분급시스템이 매우 간단하며, 넷째, 종래의 유동충형 제 분쇄방법과는 달리 본 발명에서는 원하는 크기의 분쇄된 입자 어려운 미세분말 생성을 줄일 수 있으며, 마지막으로 본 발명의 장치는 그 구조가 매우 간단하므로 고순도 실리콘, 석영등을 장치의 재료로 사용할 수 있어서 고순도의 실리콘 종 입자를 생산할 수 있는 우수한 효과가 있다.

2. 发明公开

KR1019950029382A 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR1019950029382A
公开(公告)日：1995-11-22
申请号：KR1019940008152
申请日：1994-04-19
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김희영 , 송영목 , 전종열 , 권대혁 , 이강모 , 이재송 , 박동순
IPC分类号： C30B28/14

3. 发明授权

KR1019960014593B1 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법 失效
标题翻译：用微波流化床加热制造高纯度多晶硅的方法
公开(公告)号：KR1019960014593B1
公开(公告)日：1996-10-16
申请号：KR1019940008152
申请日：1994-04-19
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김희영 , 송영목 , 전종열 , 권대혁 , 이강모 , 이재송 , 박동순
IPC分类号： C30B28/14
摘要： In the method of manufacturing granular-type polycrystal silicone using fluidized-bed reactor, the silicone containing gas is injected in the reaction region of the reactor and the silicone elements are flowed by carrier gas in the reactor, and the silicone elements are heated by microwave in the heating region of the reactor. The silicone elements in the reaction region and the silicone elements in the heating region, are mixed together, and the carrier gas is controlled so as to prevent the returning gas from the reaction region to the heating region.
摘要翻译：在使用流化床反应器制造粒状多晶硅酮的方法中，将含有机硅的气体注入反应器的反应区域，硅氧烷元素通过载气在反应器中流动，硅树脂元件通过微波加热在反应器的加热区域。将反应区域中的硅氧烷元素和加热区域中的硅氧烷元素混合在一起，并且控制载气以防止从反应区域返回到加热区域的返回气体。

4. 发明授权

KR1019940006017B1 실리콘 입자의 제트분쇄방법 失效
标题翻译：硅颗粒的喷射铣削方法
公开(公告)号：KR1019940006017B1
公开(公告)日：1994-07-02
申请号：KR1019920004529
申请日：1992-03-19
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김희영 , 권대혁 , 송영목 , 김성우
IPC分类号： B02C19/06
CPC分类号： B01J8/245 , B01J2/16 , C01B33/027 , F27B15/006
摘要： Silicon particles of 300-3000 micron is supplied into the pulverizing room (2) through the silicon particle inlet hole (9). Air jet is issued out of a nozzle (3) installed on the bottom of the pulverizing room at a velocity of 300-1000 m/sec so that the silicon particles near the nozzle are accelerated to collide with one another to be further pulverized. The pulverized particles smaller than a designated size are elevated to the upper part of the pulverizing room by the air flow controlled in a velocity of 0.5-3.0 m/sec, are discharged through the outlet hole (4). The supply velocity of the silicon particles are controlled to keep the particle density in between the nozzle and the outlet hole lower than 0.2.
摘要翻译：通过硅颗粒入口孔（9）将300-3000微米的硅颗粒供应到粉碎室（2）中。从喷雾器（3）以300-1000m /秒的速度从粉末室的底部排出喷气嘴，使喷嘴附近的硅颗粒相互碰撞，进一步粉碎。小于指定尺寸的粉碎颗粒通过以0.5-3.0m / sec的速度控制的气流升高到粉碎室的上部，通过出口孔（4）排出。控制硅颗粒的供应速度，以保持喷嘴和出口孔之间的颗粒密度低于0.2。

5. 发明授权

KR100025965B1 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR100025965B1
公开(公告)日：1988-08-27
申请号：KR1019850009938
申请日：1985-12-28
申请人： 한국화학연구원
发明人： 윤풍 , 송영목
IPC分类号： C01B33/02

6. 发明授权

KR100111744B1 초단파에 의한 유동층 가열 방법에 의한 고순도 입상 다결정 실리콘의 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR100111744B1
公开(公告)日：1997-02-04
申请号：KR1019940008152
申请日：1994-04-19
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김희영 , 송영목 , 전종열 , 권대혁 , 이강모 , 이재송 , 박동순
IPC分类号： C30B28/14

7. 发明授权

KR100078217B1 실리콘 입자의 제트분쇄방법 失效
公开(公告)号：KR100078217B1
公开(公告)日：1994-10-13
申请号：KR1019920004529
申请日：1992-03-19
申请人： 한국화학연구원
发明人： 김희영 , 권대혁 , 송영목 , 김성우
IPC分类号： B02C19/06

8. 发明授权

KR100026931B1 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조장치 失效
公开(公告)号：KR100026931B1
公开(公告)日：1988-12-27
申请号：KR1019860008505
申请日：1986-10-10
申请人： 한국화학연구원
发明人： 윤풍 , 송영목
IPC分类号： C01B33/02

9. 发明授权

KR1019880001252B1 초단파 가열 유동상 반응에 의한 고순도 다결정 실리콘의 제조장치 失效
标题翻译：多晶硅的制备装置
公开(公告)号：KR1019880001252B1
公开(公告)日：1988-07-16
申请号：KR1019860008505
申请日：1986-10-10
申请人： 한국화학연구원
发明人： 윤풍 , 송영목
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： B01J8/42 , C01B33/029 , C01B33/03
摘要： This invention relates to the preparation apparatus for the ultrapure polycrystalline Si in the fluidized bed reactor heated by a microwave radiation. The reactor tube (2) is enclosed by a heater (1). Several barriers (22) are used to prevent gases from the heater from entering. A stainless steel shield (23) reflects the microwaves. The tube wall (2) is cooled to avoid Sideposition. Graphite-seals (4, 16) are used to avoid gas-leakage from the reactor. Si-particles are fed in via the funnel (8). Gas is supplied via a preheater (17) and tube (11) into a gasdistributor (12).
摘要翻译：本发明涉及通过微波辐射加热的流化床反应器中超纯多晶Si的制备装置。反应器管（2）由加热器（1）包围。使用几个障碍物（22）来防止来自加热器的气体进入。不锈钢屏蔽（23）反射微波。管壁（2）被冷却以避免沉积。石墨密封（4,16）用于避免气体从反应器泄漏。 Si颗粒通过漏斗（8）进料。通过预热器（17）和管（11）将气体供应到气体分布器（12）中。

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