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1. 发明授权

KR102205989B1 홀로그래픽 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102205989B1
公开(公告)日：2021-01-25
申请号：KR1020150007299
申请日：2015-01-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김용해 , 황치선 , 김기현 , 오힘찬 , 류호준 , 변춘원 , 이명래 , 이재원 , 피재은
IPC分类号： G03H1/12
摘要： 홀로그래픽표시장치는광을출사하는광원부및 공간광 변조기를포함할수 있다. 상기공간광 변조기는상기광원부에서출사된광의위상및 진폭중 적어도하나를변조하여홀로그램영상을출력할수 있다. 상기공간광변조기는기판및 상기기판상에적층된복수의광 변조층들을포함할수 있다. 상기복수의광 변조층들은굴절률, 두께, 및투명도중 적어도하나가서로상이할수 있다.

2. 发明授权

KR101775563B1 인버터, ＮＡＮＤ 게이트 및 ＮＯＲ 게이트 有权
公开(公告)号：KR101775563B1
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：KR1020110085561
申请日：2011-08-26
申请人： 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
发明人： 박상희 , 황치선 , 윤성민 , 오힘찬 , 박기찬 , 임도 , 임홍균 , 오민우 , 김지선 , 피재은 , 김병훈 , 유병곤
IPC分类号： H03K19/094 , H03K19/20
摘要： 본발명은인버터, NAND 게이트및 NOR 게이트에관한것으로서, 게이트에인가되는전압에따라제1 전원전압을출력단자로출력하는제2 박막트랜지스터로이루어지는풀업부; 게이트에인가되는입력신호에따라그라운드전압을출력단자로출력하는제5 박막트랜지스터로이루어지는풀다운부; 및상기입력신호에따라제2 전원전압또는상기그라운드전압을상기제2 박막트랜지스터의게이트에인가하는풀업구동부를포함한다.

3. 发明公开

KR1020140021096A 도핑 베리어를 가지는 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：自对准薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140021096A
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：KR1020120086234
申请日：2012-08-07
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 황치선 , 박상희 , 오힘찬
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/45
摘要： The present invention relates to a self-aligned thin film transistor with a doping barrier for controlling the diffusion level of a doping barrier using the doping barrier in a thin film transistor having a self-alignment structure and a manufacturing method thereof. A self-aligned thin film transistor with a doping barrier includes an active layer formed on a substrate and having a first doping region, a second doping region and a channel region, a gate insulating layer formed on the channel region, a gate electrode formed on the gate insulating layer, a doping source layer formed on the first and the second doping region, a doping barrier formed between the doping source and the first and the second doping region.
摘要翻译：本发明涉及具有掺杂势垒的自对准薄膜晶体管，该掺杂势垒用于在具有自对准结构的薄膜晶体管及其制造方法中使用掺杂势垒来控制掺杂势垒的扩散级。具有掺杂势垒的自对准薄膜晶体管包括形成在衬底上并具有第一掺杂区，第二掺杂区和沟道区的有源层，形成在沟道区上的栅极绝缘层，形成在栅极上的栅电极栅极绝缘层，形成在第一和第二掺杂区域上的掺杂源层，形成在掺杂源与第一和第二掺杂区之间的掺杂势垒。

4. 发明公开

KR1020130113972A 산화물 박막 트랜지스터의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造氧化物薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020130113972A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：KR1020130017100
申请日：2013-02-18
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박상희 , 유민기 , 오힘찬 , 황치선
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/66742 , H01L27/3258 , H01L29/41733 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film transistor is provided to improve barrier characteristics by including an etch stop layer. CONSTITUTION: A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the front surface of the substrate. An oxide semiconductor layer (140) is formed on the gate insulating layer. A first etch stop layer (150) is formed on the oxide semiconductor layer. A second etch stop layer (160) is formed on the first etch stop layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造氧化物薄膜晶体管的方法，以通过包括蚀刻停止层来改善阻挡特性。构成：在基板上形成栅电极。栅极绝缘层形成在基板的前表面上。在栅极绝缘层上形成氧化物半导体层（140）。在氧化物半导体层上形成第一蚀刻停止层（150）。在第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层（160）。

5. 发明授权

KR101803320B1 복소 공간 광 변조기의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101803320B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020140056633
申请日：2014-05-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김용해 , 황치선 , 김기현 , 류호준 , 변춘원 , 오힘찬 , 이명래 , 추혜용
IPC分类号： G02B26/08 , G02B5/32
CPC分类号： G03H1/02 , G02F1/0121 , G02F1/133528 , G02F1/157 , G02F2001/1635 , G02F2201/44 , G03H1/2294 , G03H2001/0224 , G03H2225/22 , G03H2225/33
摘要： 본발명은공간광 변조기및 그제조방법을제공한다. 이공간광 변조기의구조는기판상에제공되는박막트랜지스터층, 상기박막트랜지스터층과전기적으로연결되는진폭형공간광 변조기및 위상형공간광 변조기, 및상기위상형공간광 변조기상에제공되는제 1 편광기를포함하고, 상기박막트랜지스터층은상기진폭형공간광 변조기와상기위상형공간광 변조기각각과전기적으로연결되는트랜지스터들을포함하고, 상기진폭형공간광 변조기와상기위상형공간광 변조기는상기박막트랜지스터층과공통으로전기적으로연결되어구동할수 있다.

6. 发明公开

KR1020150100088A 산화물 반도체 형성방법 审中-实审
标题翻译：形成氧化物半导体的方法
公开(公告)号：KR1020150100088A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020140021441
申请日：2014-02-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오힘찬 , 황치선 , 양종헌 , 추혜용
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/324 , H01L21/28008
摘要： 본 발명은 산화물 반도체 형성방법을 제공한다. 이 산화물 반도체 형성방법은 반응기 내에 용매를 채우는 것, 상기 반응기에 산화물반도체막이 형성된 기판을 넣는 것, 및 상기 반응기를 가열하여 상기 산화물반도체막을 용매열처리하는 것을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种形成氧化物半导体的方法。形成氧化物半导体的方法可以包括以下步骤：用溶剂填充反应器; 将具有氧化物半导体层的衬底插入反应器中; 并通过加热反应器对氧化物半导体层进行溶剂热处理。

7. 发明公开

KR1020140080589A 트렌지스터 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020140080589A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120144277
申请日：2012-12-12
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오힘찬 , 황치선
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： A transistor according to an embodiment of the present invention includes source/drain electrodes on a substrate, a semiconductor layer which is interposed between the source/drain electrodes on the substrate, a reducing prevention layer which is arranged on the semiconductor layer, and a gate electrode which is arranged in a region corresponding to the semiconductor layer. The semiconductor layer includes a first semiconductor oxide layer. The source/drain electrodes include the same element as a first oxide semiconductor layer. The source/drain electrodes include a second semiconductor oxide having a lower oxygen content ratio. The transistor has improved reliability and operates with high speed.
摘要翻译：根据本发明实施例的晶体管包括衬底上的源/漏电极，介于衬底上的源/漏电极之间的半导体层，布置在半导体层上的还原防止层，以及栅极电极，其布置在与半导体层对应的区域中。半导体层包括第一半导体氧化物层。源极/漏极包括与第一氧化物半导体层相同的元件。源极/漏极包括具有较低氧含量比的第二半导体氧化物。晶体管具有改进的可靠性并以高速运行。

8. 发明公开

KR1020120127166A 빛과 전압 스트레스에 강한 산화물 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：非常稳定的薄膜晶体管在偏置和照明应力下的制造方法
公开(公告)号：KR1020120127166A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110094568
申请日：2011-09-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 오힘찬 , 박상희 , 황치선 , 유민기
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66742 , H01L29/78606
摘要： PURPOSE: An oxide thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability of a photovoltage by forming a diffusion preventing layer which prevents a hole and an ionized oxygen vacancy from moving in a low temperature of 50°C-200°C. CONSTITUTION: A gate electrode(20) is formed on a substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the upper side of the substrate including the gate electrode. A source electrode(40a) and a drain electrode(40b) are formed on both sides of the gate insulating layer. An active layer(50) and a protective layer(60) are formed on the top of the substrate including a part of the drain electrode and the source electrode. The active layer comprises an oxide semiconductor and a diffusion preventing layer.
摘要翻译：目的：提供一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，以通过形成防止空穴和电离氧空位在50℃-200℃的低温下移动的扩散防止层来提高光电压的可靠性。构成：在基板（10）上形成栅电极（20）。在包括栅电极的基板的上侧形成栅极绝缘层（30）。源极电极（40a）和漏电极（40b）形成在栅极绝缘层的两侧。在包括漏电极和源电极的一部分的衬底的顶部上形成有源层（50）和保护层（60）。有源层包括氧化物半导体和扩散防止层。

9. 发明公开

KR1020120108894A 인버터, ＮＡＮＤ 게이트 및 ＮＯＲ 게이트 有权
标题翻译：逆变器，NAND门和NOR门
公开(公告)号：KR1020120108894A
公开(公告)日：2012-10-05
申请号：KR1020110085561
申请日：2011-08-26
申请人： 한국전자통신연구원 , 건국대학교 산학협력단
发明人： 박상희 , 황치선 , 윤성민 , 오힘찬 , 박기찬 , 임도 , 임홍균 , 오민우 , 김지선 , 피재은 , 김병훈 , 유병곤
IPC分类号： H03K19/094 , H03K19/20
CPC分类号： H03K19/094 , H03K19/00 , H03K19/02 , H03K19/08 , H03K19/20
摘要： PURPOSE: An inverter, an NAND gate, and an NOR gate are provided to provide a digital logic gate driven in low consumption power equal to power in a CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor) circuit by controlling the flow of a current according to an input and output signal. CONSTITUTION: An inverter comprises a pull-up part(210), a pull down part(220), and a pull up drive part(230). The pull-up part is composed of a second TFT(Thin Film Transistor) outputting a first power supply voltage to an output terminal according to a voltage applied to a gate. The pull down part is composed of a fifth TFT outputting a ground voltage to the output terminal according to the input signal voltage applied to the gate. The pull up drive part applies a second power supply voltage or the ground voltage to the gage in a second TFT according to the input signal.
摘要翻译：目的：提供一个反相器，一个与非门和一个或非门，以通过控制电流的流动来提供在CMOS（互补金属氧化物半导体）电路中等于功率的低功耗驱动的数字逻辑门输入和输出信号。构成：逆变器包括上拉部分（210），下拉部分（220）和上拉驱动部分（230）。上拉部分由根据施加到栅极的电压将第一电源电压输出到输出端的第二TFT（薄膜晶体管）组成。下拉部分由根据施加到栅极的输入信号电压向输出端输出接地电压的第五TFT组成。上拉驱动部件根据输入信号将第二电源电压或接地电压施加到第二TFT中的量规。

10. 发明授权

KR102172254B1 디스플레이 장치 有权
公开(公告)号：KR102172254B1
公开(公告)日：2020-11-02
申请号：KR1020140113198
申请日：2014-08-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 황치선 , 김기현 , 김용해 , 변춘원 , 오힘찬 , 추혜용 , 이명래 , 피재은
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/786

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