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1. 发明授权

KR101897257B1 광 검출기 및 그를 구비한 광학 소자 有权
公开(公告)号：KR101897257B1
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：KR1020120051117
申请日：2012-05-14
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박정우 , 박경현 , 류한철 , 이동훈 , 한상필 , 고현성 , 김남제
IPC分类号： G01J1/02 , G02B6/10 , H04B10/00 , H01S3/02
CPC分类号： H01L31/02 , G02F1/3534 , G02F2203/13 , H01L31/0232 , H01L31/02327 , H01L31/105 , H01S5/005 , H01S5/0092 , H01S5/4012 , H01S5/4087 , H03B2200/0084
摘要： 본발명은광 검출기및 그를구비한광학소자를개시한다. 그의소자는, 제 1 및제 2 레이저빔을생성하는제 1 및제 2 레이저들과, 상기제 1 및제 2 레이저들과연결되는광 도파로와, 상기광 도파로를통해전달되는상기제 1 및제 2 레이저빔을검출하는광 검출기를포함한다. 여기서, 상기광 검출기는, 기판과, 상기기판상의제 1 불순물층과, 상기제 1 불순물층 상의흡수층과, 상기흡수층 상의제 2 불순물층을포함할수 있다. 상기흡수층은상기제 1 및제 2 레이저빔의비팅에의해테라헤르츠파를생성하고, 0.2마이크로미터미만의두께를가질수 있다.

2. 发明公开

KR1020170102746A 쇼트키 다이오드 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：肖特基二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170102746A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160025264
申请日：2016-03-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박정우 , 박경현 , 고현성
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/30612 , H01L23/66 , H01L29/0657 , H01L29/205 , H01L29/66143 , H01L29/66212 , H01L51/0579 , H01L2223/6677
摘要： 쇼트키다이오드는, 제1 반도체층, 상기제1 반도체층상에제공된중간층, 상기중간층상에제공된제2 반도체층, 상기제2 반도체층상에제공된애노드, 및상기제1 반도체층상에제공된캐소드를포함한다. 단면상에서볼 때, 상기제2 반도체층의폭은상기중간층의폭보다크다.
摘要翻译：所述肖特基二极管包括第一半导体层，设置在中间层上的第一第二半导体层，设置在半导体层上的中间层，所述第二半导体层的阳极，以及其中所述阴极被设置在第一半导体层上设置在。当以横截面观察时，第二半导体层的宽度大于中间层的宽度。

3. 发明授权

KR101700779B1 포토믹서 및 그의 제조방법 有权
标题翻译： Photomixer及其制造方法
公开(公告)号：KR101700779B1
公开(公告)日：2017-01-31
申请号：KR1020130032972
申请日：2013-03-27
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박경현 , 김남제 , 고현성 , 이동훈 , 한상필 , 류한철 , 박정우 , 문기원 , 김대용
IPC分类号： H01S1/00 , H01S3/10
CPC分类号： G02F1/353 , G02F2203/13 , H01L31/02161 , H01L31/03046 , H01L31/14 , H01L31/1844
摘要： 기존광대역테라헤르츠분광시스템의핵심부품인 PCA 및포토믹서의현존하는제한적인요소를근본적으로해결한포토믹서및 그의제조방법을제시한다. 제시된포토믹서는기판의상면에형성되되광이입사되는영역에형성된활성층, 및기판의상면에형성되되광이입사되는영역을제외한나머지영역에형성된열전도층을포함한다. 활성층은메사형단면을갖도록형성되고, 열전도층은광이입사되는영역을제외한영역에 MOCVD법으로재성장되어평탄화된표면을갖게된다.
摘要翻译：本文公开了一种混合器和制造光混合器的方法，其可以从根本上解决作为常规宽带太赫兹光谱系统的核心部分的PCA和光混合器的现有限制因素。所提供的光混色器包括形成在基板的顶表面上的有源层，所述有源层形成在光入射的区域上，以及形成在所述基板的顶表面上的导热层，所述导热层被形成在光线入射区域以外的区域。有源层形成为具有台面横截面，并且使用MOCVD方法将导热层再生长在除了入射光的区域之外的区域上，并且具有扁平表面。

4. 发明公开

KR1020120065809A 멀티 코어 중앙처리장치를 위한 광네트워크 구조 无效
标题翻译：多核CPU的光网络结构
公开(公告)号：KR1020120065809A
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：KR1020100127118
申请日：2010-12-13
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박상기 , 김경옥 , 김인규 , 박정우 , 김상훈 , 김도원
IPC分类号： H04B10/2581
CPC分类号： H04J14/028 , G02B6/12007 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/4087 , H04J14/02 , H04J14/0201
摘要： PURPOSE: An optical network structure of a multicore central processing apparatus is provided to develop a CPU chip comprising hundreds of or thousands of cores. CONSTITUTION: An optical network structure of a multicore central processing apparatus comprises: ring resonator WDM(wavelength division multiplexing) filters corresponding to a plurality cores(CR1-CR12); one or more control units(CU) for receiving optical signal transformed to a waveguide and transmistting the optical signal to the waveguide.
摘要翻译：目的：提供多核心处理装置的光网络结构，以开发包含数百或数千个核心的CPU芯片。构成：多芯中央处理装置的光网络结构包括：对应于多个核（CR1-CR12）的环形谐振器WDM（波分复用）滤波器; 一个或多个控制单元（CU），用于接收转换到波导的光信号，并将光信号传输到波导。

5. 发明公开

KR1020100073738A 이동 평균 필터 有权
标题翻译：移动平均过滤器
公开(公告)号：KR1020100073738A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080132492
申请日：2008-12-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박정우 , 유현규
IPC分类号： H03H7/12 , H04R3/02 , H03K5/00
CPC分类号： H03H7/12 , H03H17/02 , H03H17/026 , H03K5/00
摘要： PURPOSE: A moving average filter is provided to obtain a high frequency band pass feature by switching switches according to a signal with timing. CONSTITUTION: A plurality of capacitors(Cr0,Cr1,Cr2,Cr3) receives an input signal from each signal input terminal. A plurality of first switches is connected between the corresponding capacitor and the signal input terminal among the capacitors. The first switches supply the input signal to the corresponding capacitor for a preset time section. A plurality of second switches is connected between the ground and the corresponding capacitor among the capacitor. The second switches are switched through the synchronization with the first switch. Adjacent capacitors are connected in parallel to have opposite polarities in an output state. The capacitors provide the moving average filtered output of the input signal.
摘要翻译：目的：提供移动平均滤波器，以通过根据具有定时的信号切换开关来获得高频带通功能。构成：多个电容器（Cr0，Cr1，Cr2，Cr3）从每个信号输入端子接收输入信号。多个第一开关连接在相应的电容器和电容器中的信号输入端子之间。第一个开关将输入信号提供给相应的电容器一段预设的时间段。多个第二开关连接在电容器之间的接地和对应的电容器之间。通过与第一开关的同步来切换第二开关。相邻的电容器并联连接以在输出状态下具有相反的极性。电容器提供输入信号的移动平均滤波输出。

6. 发明授权

KR100921517B1 ＮＡＵＴＡ 연산 상호 컨덕턴스 증폭기 有权
标题翻译： Nauta操作跨导放大器
公开(公告)号：KR100921517B1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：KR1020070058789
申请日：2007-06-15
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박정우 , 김천수
IPC分类号： H03F3/45
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F3/45183 , H03F2203/45138
摘要： 본 발명의 OTA에서는 고주파용 Gm-C 필터 집적회로(IC)를 구현하는데 사용되는 기존의 Nauta 트랜스컨덕터를 새로운 방법과 관점에서 재해석함으로써 그 구성요소중 잉여요소를 제거하여 단순화하고, 잔존하는 인버터를 서로 역할 분담을 시키는 방법을 통해 보다 단순하면서도 효율적인 회로구조를 안출하였다. 본 발명의 재해석 관점에 비추어 볼 경우 기존의 Nauta 트랜스컨덕터에서는 입력단의 공통모드 신호가 출력단에 증폭이 되어 나타나는 약점이 드러남에 반하여, 본 발명에 의한 새로운 구조에 동일한 해석방법을 적용할 경우 입력단의 공통모드 신호가 출력단에 전혀 나타나지 않고 효과적으로 제거됨을 알 수 있다. 그리고 이러한 특성 개선을 기존의 Nauta-Transconductor에 비해 적은 갯수의 인버터로써 달성할 뿐 아니라, 필터 전체의 주파수 특성을 위해 요구되는 트랜스컨덕턴스값에 전혀 영향을 주지 않으면서 퀄리티 팩터만을 독립적으로 제어할 수단을 마련함으로써 필터 특성을 효과적으로 개선할 수 있다.
능동필터, Gm-C 필터, Nauta-Transconductor, OTA

7. 发明授权

KR100833498B1 스트레인드 베리드 채널을 구비하는 광소자 失效
标题翻译：具有染色掩埋通道的光学器件
公开(公告)号：KR100833498B1
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 박정우 , 김현수 , 김경옥
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
摘要： 스트레인드 베리드 채널 (strained buried channel) 영역을 구비하는 광소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 광소자는 제1 도전형의 반도체 기판과, 게이트 절연막과, 제2 도전형의 게이트와, 게이트의 아래에 형성되고 반도체 기판보다 더 높은 농도의 제1 도전형 불순물로 도핑된 고농도 불순물 확산 영역을 포함한다. 게이트 절연막과 반도체 기판과의 사이에는 고농도 불순물 확산 영역에 접촉되는 스트레인드 베리드 채널 영역이 연장되어 있다. 스트레인드 베리드 채널 영역은 반도체 기판 구성 물질과는 다른 격자 상수를 가지는 반도체 재료로 구성된다. 게이트 절연막과 상기 스트레인드 베리드 채널 영역과의 사이에는 반도체 캡층이 형성되어 있다.
스트레인드 베리드 채널, 광소자, MOS 커패시터형, 전하, 이동도, 광 변조

8. 发明授权

KR100825733B1 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기 失效
标题翻译：硅半导体高速环形光调制器
公开(公告)号：KR100825733B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060096455
申请日：2006-09-29
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박정우 , 김경옥 , 김현수 , 민봉기
IPC分类号： G02B6/10 , G02F1/00
CPC分类号： G02F1/025 , G02F1/3133 , G02F2001/0152 , G02F2203/15
摘要： 본 발명은 링 광변조기의 PIN 구조의 변조속도제한 문제를 해결하고 광 구속률을 향상시켜 작은 전류 인가를 통해서도 고속으로 광변조 할 수 있는 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기를 제공한다. 그 고속 링 광변조기는 굴절률 변화부분이 형성되어 있는 링 광도파로, 및 굴절률의 변화가 없는 광도파로를 포함하고, 굴절률 변화부분은 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 형성된다. 본 발명에 의한 실리콘 반도체 기반의 고속 링 광변조기는 굴절률 변화부분에 바이폴라 트랜지스터 구조가 이용됨으로써, 빛이 통과되는 영역으로의 캐리어의 공급과 배출을 고속으로 수행할 수 있고 그에 따라 광변조 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 광 구속률을 향상시켜 작은 전류 인가를 통해서도 고속으로 광변조 수행할 수 있다.

9. 发明授权

KR100825723B1 에지효과를 갖는 게이트절연막을 포함하는 광소자 失效
标题翻译：光学器件包括具有边缘效应的栅极绝缘体
公开(公告)号：KR100825723B1
公开(公告)日：2008-04-29
申请号：KR1020060071657
申请日：2006-07-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김현수 , 박정우 , 민봉기 , 임영안 , 김경옥
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： G02F1/025 , G02F2203/50 , G11C13/04
摘要： 광소자의 동적특성을 저하시키지 않고 위상변화와 전파손실을 증대시킬 수 있는 에지 효과를 용이하게 구현하는 광소자를 제공한다. 그 광소자는 제1의 도전형의 불순물로 도핑되고 상부에 리세스된 홈이 형성된 제1 반도체층 상의 일부를 덮는 게이트절연막 및 게이트절연막의 상부면을 덮고 제1 도전형과 반대되는 제2 도전형으로 도핑된 제2 반도체층을 구비한다
광소자, 위상변화, 전파손실, 에지효과

10. 发明公开

KR1020080035386A 스트레인드 베리드 채널을 구비하는 광소자 失效
标题翻译：具有裸露通道的光学设备
公开(公告)号：KR1020080035386A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060102036
申请日：2006-10-19
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 박정우 , 김현수 , 김경옥
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： G02F1/025 , G02F1/2257 , H01L33/0037
摘要： An optical device with a strained buried channel is provided to guarantee a desired switching speed and an improved operation speed by increasing modulation efficiency while avoiding a light attenuation phenomenon. A gate insulation layer(120) is formed on a semiconductor substrate of a first conductivity type. A gate(122) of a second conductivity type opposite to the first conductivity type is formed on the gate insulation layer. A high-density impurity diffusion region(132,134) is formed under the gate in the semiconductor substrate, doped with first conductive impurities having a higher density than that of the semiconductor substrate. A strained buried channel region(140) is extended to a portion between the gate insulation layer and the semiconductor substrate to come in contact with the high-density impurity diffusion region, made of a semiconductor material having a different lattice constant from that of a material constituting the semiconductor substrate. A semiconductor cap layer(142) is formed between the gate insulation layer and the strained buried channel region. The first conductivity type can be a p-type, having compressive stress.
摘要翻译：提供具有应变埋入通道的光学器件，以通过提高调制效率同时避免光衰减现象来保证期望的开关速度和改善的操作速度。在第一导电类型的半导体衬底上形成栅绝缘层（120）。在栅极绝缘层上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的栅极（122）。在半导体衬底的栅极下形成高浓度杂质扩散区（132,134），掺杂有比半导体衬底的密度高的第一导电杂质。应变埋入沟道区域（140）延伸到栅极绝缘层和半导体衬底之间的部分，以与由与材料不同的晶格常数的半导体材料制成的高密度杂质扩散区域接触构成半导体基板。在栅极绝缘层和应变埋入沟道区之间形成半导体盖层（142）。第一导电类型可以是具有压应力的p型。

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