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1. 发明授权

KR101121576B1 화학적, 기계적 연마용 콜로이달 실리카졸의 제조방법 有权
标题翻译：用于化学机械抛光的胶体二氧化硅的制造方法
公开(公告)号：KR101121576B1
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020090072176
申请日：2009-08-05
申请人： 한국세라믹기술원 , 주식회사 영일화성 , 솔브레인 주식회사
发明人： 임형미 , 이승호 , 김대성 , 정정환 , 이진호 , 박휴범 , 정은일 , 김석주 , 한덕수 , 허수현
IPC分类号： C01B33/146 , C09K3/14
摘要： 본발명의화학적, 기계적연마용콜로이달실리카의제조방법은알칼리촉매를사용하여규소로부터직접실리카졸의제조가가능하게하는실리카졸제조방법에대한것이다. 최종실리카졸내의실리카입자의크기가크고균일하며 2차입경과 1차입경의비율이 2 이상이고, 기계화학적연마율이우수한신규의실리카졸의제조방법을제공하는데 그목적이있다. 상기목적을달성하기위하여본 발명은규소의함량이 95% 이상인공업용규소분말을증류수에첨가한후 약염기성 1차촉매와강염기성 2차촉매를첨가하는실리카졸제조공정에서균일하게응집성이있는고순도연마용실리카졸을제조하는것을특징으로한다. 규소로부터실리카졸을제조하는공정에서응집된시드를추가하거나, 입자성장과정에서응집을유도하는것을특징으로하는제조방법을제공한다.

2. 发明公开

KR1020110014486A 화학적, 기계적 연마용 콜로이달 실리카졸의 제조방법 有权
标题翻译：用于化学机械抛光的胶体二氧化硅的制造方法
公开(公告)号：KR1020110014486A
公开(公告)日：2011-02-11
申请号：KR1020090072176
申请日：2009-08-05
申请人： 한국세라믹기술원 , 주식회사 영일화성 , 솔브레인 주식회사
发明人： 임형미 , 이승호 , 김대성 , 정정환 , 이진호 , 박휴범 , 정은일 , 김석주 , 한덕수 , 허수현
IPC分类号： C01B33/146 , C09K3/14
CPC分类号： C01B33/146 , C01P2004/64 , C01P2006/90 , C09K3/14
摘要： PURPOSE: A producing method of colloidal silica sol is provided to secure the excellent mechanical and chemical polishing rate of the colloidal silica sol, and to improve the purity of the colloidal silica sol. CONSTITUTION: A producing method of colloidal silica sol comprises the following steps: diluting silica seed sol to distilled water(S10); adding silicon powder to the diluted solution for forming a first dispersion solution(S20); adding a weak basic catalyst, and reacting to make a second dispersion solution(S30); inserting a strong basic catalyst, and reacting to obtain a third dispersion solution(S40); and filtering the third dispersion solution(S50).
摘要翻译：目的：提供胶体硅溶胶的制备方法，以确保胶体二氧化硅溶胶的优异的机械和化学抛光速率，并提高胶态二氧化硅溶胶的纯度。构成：胶体硅溶胶的制备方法包括以下步骤：将二氧化硅种子溶胶稀释成蒸馏水（S10）; 向所述稀释溶液中加入硅粉以形成第一分散液（S20）; 加入弱碱性催化剂，制成第二分散溶液（S30）。插入强碱性催化剂，反应得到第三分散液（S40）; 并过滤第三色散溶液（S50）。

3. 发明授权

KR100996794B1 결정성 제올라이트의 제조방법 有权
标题翻译：结晶沸石的制备方法
公开(公告)号：KR100996794B1
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：KR1020080044976
申请日：2008-05-15
申请人： 한국세라믹기술원 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이승호 , 김대성 , 임형미 , 정정환 , 김석주 , 한덕수 , 정은일 , 박휴범
IPC分类号： C01B39/02 , C01B39/20 , C01B39/36 , B82Y40/00
摘要： 본 발명은 수십 내지 수백 나노미터 크기의 결정성 제올라이트 입자를 주형물질 없이 저가 공정을 이용하여 제조할 수 있는 결정성 제올라이트의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 결정성 제올라이트의 제조방법에 따르면, 첫번째 단계로 수열합성에 의한 주형물질이 없는 제올라이트 분말을 제조하고, 제조된 마이크론 크기의 분말을 나노미터 크기로 밀링한다. 두번째 단계로 밀링과정 후에 얻어진 나노미터 크기의 비정질을 포함한 제올라이트 나노입자를 시드로 사용하여 주형물질없이 실리카 및 알루미나 전구체를 포함하는 혼합용액에 첨가하여 백 나노미터 크기 이하(수십 나노미터)의 나노 제올라이트 입자를 제조하거나, 밀링과정 후에 얻어진 나노입자를 재수열 처리하여 결정성을 갖춘 나노미터 크기의 제올라이트 입자를 제조한다. 세번째 단계로, 얻어진 ZSM-5 나노입자를 볼밀링에 의해 수계에서 분산하여 나노 졸을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 주형물질을 배제한 저가의 제올라이트를 밀링 및 재수열처리과정을 거치면서 보다 효과적으로 수십 내지 백 나노미터 크기의 결정성 제올라이트 나노분말 및 나노졸을 제조할 수 있는 효과가 있다.
주형물질 배제, 제올라이트, 나노분말, 나노졸, 밀링, 재수열처리

4. 发明公开

KR1020090119125A 결정성 제올라이트의 제조방법 有权
标题翻译：晶体沸石的制造方法
公开(公告)号：KR1020090119125A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020080044976
申请日：2008-05-15
申请人： 한국세라믹기술원 , 솔브레인 주식회사
发明人： 이승호 , 김대성 , 임형미 , 정정환 , 김석주 , 한덕수 , 정은일 , 박휴범
IPC分类号： C01B39/02 , C01B39/20 , C01B39/36 , B82Y40/00
CPC分类号： C01B39/20 , B01J13/0004 , C01B39/36 , C01B39/50 , C01P2004/64
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of crystalline zeolite is provided to produce zeolite particles of 100 nano size and sol effectively with a hydrothermal synthesis method. CONSTITUTION: A manufacturing method of crystalline zeolite comprises the following steps of: manufacturing zeolite powder of micron size by a hydrothermal synthesis method with a first zeolite precursor aqueous solution(S10); manufacturing zeolite nano powder and nano sol using ball milling or a pulverizer(S30); and manufacturing zeolite nano powder by the hydrothermal synthesis method by adding zeolite nano powder and nano sol(S40).
摘要翻译：目的：提供结晶沸石的制备方法，以水热合成法制备100纳米尺寸的沸石颗粒和溶胶。结构：结晶沸石的制造方法包括以下步骤：通过用第一沸石前体水溶液的水热合成法制备微米级的沸石粉末（S10）; 使用球磨或粉碎机制造沸石纳米粉末和纳米溶胶（S30）; 并通过添加沸石纳米粉末和纳米溶胶通过水热合成法制备沸石纳米粉末（S40）。

5. 发明公开

KR1020090011355A 제올라이트를 함유하는 구리 화학 기계적 연마 조성물 无效
标题翻译：用于包含沸石的铜的化学机械抛光组合物
公开(公告)号：KR1020090011355A
公开(公告)日：2009-02-02
申请号：KR1020070074841
申请日：2007-07-26
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김석주 , 박휴범 , 정은일
IPC分类号： C09K3/14
摘要： A chemical mechanical polishing composition for copper is provided to improve the polishing speed of a copper layer with to a small amount of complexing agent and oxidizer in the neutral region of pH 6.5~8.5, and to minimize the deformity of the copper layer due to low etching rate. A chemical mechanical polishing composition for copper comprises zeolite, oxidizer and glycine. The amount of glycine is 0.01-0.7 weight% based on the total weight of the polishing composition. The amount of zeolite is 0.1-7 weight% based on the total weight of the polishing composition. The average second particle diameter of zeolite in slurry is 10-1000 nm. The zeolite is selected from X-type, Y-shaped, 4A type or ZSM-5 type. The pH is controlled by a pH adjusting agent selected from potassium hydroxide(KOH), ammonium hydroxide(NH4OH), quaternary ammonium hydroxide, amine compound or nitric acid.
摘要翻译：提供了一种用于铜的化学机械抛光组合物，以在pH 6.5〜8.5的中性区域中提供少量络合剂和氧化剂的铜层的抛光速度，并且使由于低的铜层而导致的铜层的变形最小化蚀刻速率。用于铜的化学机械抛光组合物包括沸石，氧化剂和甘氨酸。基于抛光组合物的总重量，甘氨酸的量为0.01-0.7重量％。基于抛光组合物的总重量，沸石的量为0.1-7重量％。浆料中沸石的平均第二粒径为10-1000nm。沸石选自X型，Y型，4A型或ZSM-5型。 pH由选自氢氧化钾（KOH），氢氧化铵（NH 4 OH），季铵氢氧化物，胺化合物或硝酸的pH调节剂控制。

6. 发明授权

KR101076625B1 텅스텐 배선 형성용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：用于形成钨线的浆料组合物及其制造使用其的半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101076625B1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020090010415
申请日：2009-02-10
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김석주 , 한덕수 , 정은일 , 박휴범
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
摘要： 보다구체적으로텅스텐/절연막연마속도비의조절이가능하면서확산방지막연마속도의향상을통해확산방지막의잔존에의해발생할수 있는전기적연결(bridge) 현상및 잔류물을감소시켜최종생산수율을향상시킬수 있으며, 텅스텐의부식방지제를포함함으로서텅스텐의키홀(key hole) 불량을저감시킬수 있는 2차화학기계적연마용조성물및 이를이용한반도체소자의텅스텐배선형성방법에관한것이다.

7. 发明授权

KR100772929B1 구리 다마신 공정용 화학-기계적 연마 슬러리 조성물 有权
标题翻译：用于铜镶嵌工艺的CMP浆料组成
公开(公告)号：KR100772929B1
公开(公告)日：2007-11-02
申请号：KR1020050098156
申请日：2005-10-18
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김석주 , 안정율 , 박종관 , 이태경 , 정은일 , 한덕수 , 박휴범 , 백귀종
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 본 발명은 구리 다마신 공정중 화학 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing)를 하기 위한 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 슬러리 조성물은 슬러리 총 중량에 대하여, 발연 실리카 5 내지 12 중량%, 아세트산염 또는 아세트산 0.001 내지 1 중량%, 부식억제제로서 벤조트리아졸 또는 아미노테트라졸 0.0001 내지 0.01 중량% 및 pH를 9 내지 11이 되도록 하는 pH 조절제를 함유하는 것을 특징으로 하며, 이 슬러리 조성물에 연마 목적에 따라 과산화수소 0 내지 2.0 중량%를 추가적으로 함유시킬 수 있다.
본 발명에 따른 슬러리 조성물은 산화제 함량을 조절함으로써 구리 다마신 공정의 기판을 구성하는 각막들의 연마속도 및 연마 선택비를 디바이스 제조업체에서 용이하게 조절할 수 있는 장점을 가지고 있다.
아세트산염, 산화제, 과산화수소, 슬러리, 구리, 질화탄탈륨, 발연 실리카

8. 发明授权

KR100762094B1 고단차 산화막의 평탄화를 위한 화학기계적 연마조성물 有权
标题翻译：用于抛光晶片的研磨组合物
公开(公告)号：KR100762094B1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：KR1020060012370
申请日：2006-02-09
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 안정율 , 박종관 , 김석주 , 정은일 , 한덕수 , 박휴범 , 백귀종
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： 본 발명은 반도체 소자 제조 기술 중 단차가 큰 요철부를 가지는 산화규소막을 화학기계적 연마하는 공정에 사용되는 조성물 및 이를 이용한 화학 기계적 연마 방법에 관한 것으로서, 단차가 제거되어 평탄화된 이후에는 연마속도가 매우 느려지는 자동 연마정지 기능을 가지는 것으로서, i) 금속산화물 연마입자; ii) 카르복시기 개수와 히드록시기 개수의 합이 3 이상인 히드록시 카르복시산 혹은 그 염으로 구성된 것을 특징으로 한다. 본 발명의 조성물에는 연마 정지 기능 강화를 위한 아미노알콜 화합물이 첨가될 수 있으며, 고분자 유기산, 방부제, 윤활제, 계면활성제가 추가로 첨가될 수 있다. 본 발명에 따른 자동 연마정지 기능을 가지는 화학 기계적 연마 조성물은 피연마막의 증착시간 단축 및 증착원료 절감과 화학기계적 연마 시간 단축 및 사용 슬러리 절감의 효과가 있어 원료비 절감과 공정시간의 단축을 할 수 있고, 연마속도 자동감소 기능에 의한 공정 마진의 증가를 통해 생산성 향상을 할 수 있는 장점이 있다.
자동 연마 정지, 단차, 연마슬러리, 히드록시카르복시산, 아미노알콜, 트리에탄올아민

9. 发明公开

KR1020070080889A 고단차 산화막의 평탄화를 위한 화학기계적 연마조성물 有权
标题翻译：用于抛光抛光的磨料组合物
公开(公告)号：KR1020070080889A
公开(公告)日：2007-08-14
申请号：KR1020060012370
申请日：2006-02-09
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 안정율 , 박종관 , 김석주 , 정은일 , 한덕수 , 박휴범 , 백귀종
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： A chemical-mechanical abrasive composition for polishing semiconductor wafer is provided to remove unevenness of silicon oxide film and to polish surface of the film, which is applied to surface of semiconductor wafers, and stop the polishing after completing planarization by comprising metal oxide abrasive particles and hydroxy carboxylic acid or salts thereof. An abrasive composition includes: (i) 0.1-20wt.% of metal oxide abrasive particles; and (ii) 0.05-15wt.% of a compound selected from hydroxy carboxylic acid or its salts or mixture thereof represented by the formula of (OH)n-R-(COOH)m wherein R is selected from C1-C6 linear or branched chain alkylene, C5-C7 cycloalkylene, phenylene or C7-C9 aralkylene group, n and m are integers of 1 to 5, and n+m is 3 or more. The metal oxide abrasive particle is selected from silica, cerium oxide, zirconium oxide and aluminum oxide. The composition further contains at least one selected from pH controller, quaternary ammonium salt, polymer organic acid, preservative, surfactant and lubricant.
摘要翻译：提供了一种用于抛光半导体晶片的化学机械磨料组合物，以去除施加到半导体晶片表面的氧化硅膜的不均匀性和抛光膜的表面，并且通过包括金属氧化物磨料颗粒和羟基羧酸或其盐。研磨组合物包括：（i）0.1-20重量％的金属氧化物磨料颗粒; 和（ii）0.05-15重量％的由式（OH）nR-（COOH）m表示的羟基羧酸或其盐或其混合物的化合物，其中R选自C 1 -C 6直链或支链亚烷基 C5-C7亚环烷基，亚苯基或C7-C9亚芳基，n和m为1〜5的整数，n + m为3以上。金属氧化物磨料颗粒选自二氧化硅，氧化铈，氧化锆和氧化铝。组合物还含有选自pH控制剂，季铵盐，聚合物有机酸，防腐剂，表面活性剂和润滑剂中的至少一种。

10. 发明公开

KR1020100118246A 구리 다마신 공정용 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 有权
标题翻译： CMP浆料组合物用于铜矿化工艺
公开(公告)号：KR1020100118246A
公开(公告)日：2010-11-05
申请号：KR1020090036978
申请日：2009-04-28
申请人： 솔브레인 주식회사
发明人： 김석주 , 한덕수 , 정은일 , 박휴범
IPC分类号： C09K3/14
摘要： PURPOSE: A chemical mechanical polishing slurry composition for a copper damascene process is provided to economically produce the composition with a simple producing process, and to reduce the content amount of impurities. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing slurry composition for a copper damascene process contains colloidal silica formed by oxidizing silicon powder, an oxidizer, a complexing agent, an anticorrosive agent, and amino-alcohol. The colloidal silica is produced by oxidizing the silicon powder inside an aqueous solution with a base catalyst. The average particle size of the colloidal silica is 5~200 nanometers. 0.1~30wt% of colloidal silica is mixed with the total amount of the slurry.
摘要翻译：目的：提供一种用于铜镶嵌工艺的化学机械抛光浆料组合物，以简单的生产方法经济地生产组合物，并降低杂质含量。构成：用于铜镶嵌工艺的化学机械抛光浆料组合物包含通过氧化硅粉，氧化剂，络合剂，防腐剂和氨基醇形成的胶体二氧化硅。胶体二氧化硅是通过用碱催化剂氧化水溶液内的硅粉来制备的。胶体二氧化硅的平均粒径为5〜200纳米。将0.1〜30重量％的胶体二氧化硅与浆料的总量混合。

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