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1. 发明授权

KR101042937B1 기계적인 스위치와 ＭＯＳＦＥＴ이 결합된 논리 회로 有权
标题翻译：使用组合机械开关和MOSFET的逻辑电路
公开(公告)号：KR101042937B1
公开(公告)日：2011-06-20
申请号：KR1020090000079
申请日：2009-01-02
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 송용하 , 이정언 , 김민우
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/82
摘要： 본 발명은 집적도를 향상시키고 정적 전력소모를 줄일 수 있도록 기계적인 스위치와 MOSFET을 결합하여 구현한 논리회로에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기계적인 스위치와 MOSFET이 결합된 논리회로는 기판, 상기 기판 내부에 서로 이격되어 형성되고 적어도 일부가 상기 기판 외부로 노출된 소오스 및 드레인, 상기 기판상에 형성된 게이트 절연막, 및 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트를 포함하는 MOFSET; 및 상기 소오스와 전기적으로 접속된 제1 전극, 상기 드레인과 전기적으로 접속된 제2 전극, 상기 게이트의 상부에 몸통부의 적어도 일부가 위치하고 일단이 상기 기판에 고정되며 타단이 상기 제2 전극의 상부에 위치하는 이동전극을 포함하는 기계적인 스위치를 포함한다.
기계적인 스위치는 게이트 전극에 의해 발생하는 정전기력에 따라 정전 구동(기계적인 동작)을 하고 MOS 트랜지스터는 게이트에 의해 발생하는 전기장(field)에 따라 채널을 형성(전기적인 동작)을 한다.
MEMS, 집적회로, 논리회로

2. 发明授权

KR100914929B1 화소회로 및 그 구동방법 失效
标题翻译：像素电路及其驱动方法
公开(公告)号：KR100914929B1
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：KR1020080022761
申请日：2008-03-12
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이정언
IPC分类号： G09G3/30 , G09G3/34 , G09G3/20
摘要： A pixel circuit and a driving method are provided to maintain the uniformity of the gray scale by enhancing the screen resolution and the gradient resolution. A pixel circuit comprises a selection switch(120), a storage(130), a sweep voltage generating unit(140) and a pixel display unit(150). The selection switch outputs the data voltage of data line(110) according to the scan voltage of scan line(100). The storage stores the data voltage of the selection switch by being connected to the selection switch. A sweep voltage generating unit supplies the sweep voltage to the storage. The pixel display unit is driven by the data voltage and the sweep voltage.
摘要翻译：提供像素电路和驱动方法，以通过提高屏幕分辨率和梯度分辨率来保持灰度的均匀性。像素电路包括选择开关（120），存储器（130），扫描电压产生单元（140）和像素显示单元（150）。选择开关根据扫描线（100）的扫描电压输出数据线（110）的数据电压。存储器通过连接到选择开关来存储选择开关的数据电压。扫描电压产生单元将扫描电压提供给存储器。像素显示单元由数据电压和扫描电压驱动。

3. 发明授权

KR100651825B1 기계적인 스위치를 이용한 메모리 어레이, 그의 제어 방법,기계적인 스위치를 이용한 표시 장치 및 그의 제어 방법 失效
标题翻译： 기계인인를를를，，，，，를를를를를를를
公开(公告)号：KR100651825B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020050114665
申请日：2005-11-29
申请人： 한국과학기술원
发明人： 장원위 , 권오득 , 이정언 , 윤준보
IPC分类号： H01L27/00
摘要： A memory array using a mechanical switch is provided to easily form a memory array without using a semiconductor transistor by using a mechanical switch having a dimple. A plurality of word lines are prepared. A plurality of bit lines cross the plurality of word lines. A plurality of mechanical switches are disposed in a crossing portion of the word lines and bit lines. A gate electrode(120) is connected to each word line. A drain electrode(140) is connected to a capacitor(160), separated from the gate electrode. The capacitor includes a first electrode, a second electrode and a dielectric layer formed between the first and second electrodes. An attach part is connected to each bit line, separated from the gate electrode. A transfer part is extended from the attach part, separated from the gate electrode. A source electrode(150) is extended from the transfer part, composed of a dimple of a protrusion type.
摘要翻译：提供使用机械开关的存储器阵列以通过使用具有凹坑的机械开关而不使用半导体晶体管而容易地形成存储器阵列。准备多个字线。多条位线跨过多条字线。多个机械开关设置在字线和位线的交叉部分中。栅电极（120）连接到每条字线。漏电极（140）连接到与栅电极分离的电容器（160）。该电容器包括第一电极，第二电极和形成在第一和第二电极之间的介电层。连接部分连接到每个位线，与栅电极分离。转移部分从附连部分延伸出来，与栅电极分离。源电极（150）从传送部分延伸，由突起类型的凹坑组成。

4. 发明授权

KR101509340B1 방사 패턴 변조를 지원하는 안테나 장치 有权
标题翻译：用于支持辐射图调制的天线
公开(公告)号：KR101509340B1
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：KR1020130115509
申请日：2013-09-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 최일도 , 이정언 , 이주용 , 조동호
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/24
摘要： 본발명은방사패턴변조를지원하는안테나장치에관한것으로, 이는기판; 상기기판의하부면에결합되며, 다수의슬롯이분산형성된외곽영역을구비하는접지면; 상기기판의상부면중앙부에형성되며, 비아홀을통해상기접지면에연결되는제1 방사체; 및상기제1 방사체의외곽주변부에위치하도록상기기판의상부면에분산형성되며, 비아홀을통해상기접지면의다수의슬롯에각각연결되는다수의제2 방사체를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种支持辐射图形调制的天线装置。本发明包括：基材; 一个结合到底部底部的接地平面，其周边分散有多个槽; 位于基板顶部中间的第一辐射体，其通过通孔与接地面相连; 多个第二散热器散布地位于基板周围围绕第一散热器的周边的第二散热器，其通过通孔与接地平面上的槽连接。

5. 发明授权

KR101225601B1 대면적 나노스케일 패턴형성방법 有权
标题翻译：大面积纳米图案的制作方法
公开(公告)号：KR101225601B1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020100129255
申请日：2010-12-16
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 한국과학기술원
发明人： 이영재 , 유경종 , 김진수 , 이준 , 이용인 , 윤준보 , 연정호 , 이주형 , 이정언
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0337 , B82Y10/00 , H01L21/0338 , Y10S438/947
摘要： 본 발명은 보호층으로 격리된 다층의 메인 박막을 형성하는 1단계와 제1메인박막을 패터닝하여 제1메인 패턴을 형성하는 2단계, 상기 제1메인패턴을 기준으로 제1스페이서패턴을 형성하는 3단계, 상기 제1스페이서패턴을 제2메인박막에 전사하여 제2메인패턴을 형성하는 4단계를 포함하여 구성되는 대면적 나노스케일 패턴형성방법을 제공할 수 있도록 한다.
본 발명에 따르면, 이종(異種)의 보호막으로 격리되어 다층 중첩된 메인 박막을 사용하여, 패턴 피치를 저감할 수 있는 스페이서 리소그라피를 반복적으로 시행할 수 있어, 마이크로미터 스케일의 패턴을 형성한 후 형태의 왜곡 없이 반복적으로 패턴 피치를 줄여나감으로써, 나노미터 스케일의 미세 패턴을 넓은 영역에 걸쳐 균일하게 구현할 수 있는 효과가 있다.

6. 发明授权

KR100944408B1 유기발광다이오드 구동회로, 이를 포함하는 디스플레이장치 및 그 구동방법 有权
标题翻译：有机发光二极管的驱动电路，包括其的显示装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR100944408B1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：KR1020070019349
申请日：2007-02-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이정언 , 장원위
IPC分类号： G09G3/30
摘要： 본 발명은 유기발광다이오드 구동회로, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 그 구동방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 유기발광다이오드 구동회로는 데이터라인 및 스캔라인과 전기적으로 연결되고, 데이터라인에 입력되는 데이터신호와 스캔라인에 입력되는 스캔신호에 따라 데이터신호를 출력하는 제1스위치, 제1스위치와 전기적으로 연결되어, 제1스위치로부터 출력되는 데이터신호를 저장하는 저장부, 전원공급부와 전기적으로 연결된 유기발광소자 및 저장부에 저장되는 데이터신호에 따라 유기발광소자와 기준전압을 전기적으로 연결하는 제2스위치를 포함한다.
유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED), 기계식 스위치, 마이크로전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System, MEMS), 나노전기기계시스템(Nano Elector Mechanical System, NEMS)

7. 发明授权

KR100818239B1 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그동작방법 失效
标题翻译：使用机械开关的非易失性存储器单元及其驱动方法
公开(公告)号：KR100818239B1
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：KR1020070034728
申请日：2007-04-09
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이정언 , 장원위
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/24
摘要： A non-volatile memory cell using a mechanical switch and an operating method thereof are provided to perform reading, writing and erasing operation by using one mechanical switch and one FET. A source(102) and a drain(103) are spaced apart from each other in a substrate(101), and an insulating layer(104) is formed on the substrate. A floating gate(105) is formed on the surface of the insulating layer between the source and the drain. A selection gate(106) is formed on the surface of the insulating layer between the source and the drain, and is spaced apart from one side of the floating gate. A control gate(107) is formed on the surface of the insulating layer, and is spaced apart from the other side of the floating gate. A moving electrode(108) applies a potential of the selection gate to the floating gate.
摘要翻译：提供使用机械开关及其操作方法的非易失性存储单元，通过使用一个机械开关和一个FET来执行读取，写入和擦除操作。源极（102）和漏极（103）在衬底（101）中彼此间隔开，并且在衬底上形成绝缘层（104）。在源极和漏极之间的绝缘层的表面上形成浮栅（105）。选择栅极（106）形成在源极和漏极之间的绝缘层的表面上，并且与浮动栅极的一侧间隔开。在绝缘层的表面上形成控制栅极（107），并且与浮动栅极的另一侧间隔开。移动电极（108）将选择栅极的电位施加到浮动栅极。

8. 发明授权

KR100663076B1 반도체 기판 상의 소정 영역에 탄소나노튜브를 형성시키는 방법, 이를 이용한 반도체 도선 형성방법 및 이를 이용하여 인덕터 소자 제조 방법 失效
标题翻译： 반도체기판상의소정영역에탄소나노튜브를형성시키는방법，이를이용한반도체도선형성방법및이를이용하여인덕터소자제조방법
公开(公告)号：KR100663076B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050080632
申请日：2005-08-31
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이병철 , 이정언 , 최양규 , 윤준보
IPC分类号： H01L21/28 , H01L27/04 , B82Y40/00
摘要： A method for forming a carbon nanotube on a predetermined region of a semiconductor substrate, a semiconductor metal wire forming method using the same, and an inductor device manufacturing method using the same are provided to use various molds by performing a process at low temperature. A first mold(20a) is patterned on a substrate(10) to form a groove. A first metal electrode layer(60a) is formed on the groove that is formed through patterning. A carbon nano tube(30) is applied to the groove and the first metal electrode layer. The carbon nano tube applied to the first metal electrode is gap-filled into the groove. A second mold(20b) having the same shape as the first mold is formed on the first metal electrode. A second metal electrode layer(60b) is coated on the carbon nanotube gap-filled into the groove. The first mold, the second mole, and the first metal electrode layer are selectively removed.
摘要翻译：提供一种在半导体衬底的预定区域上形成碳纳米管的方法，使用该方法的半导体金属线形成方法以及使用该方法的电感器器件制造方法，以通过在低温下执行处理来使用各种模具。在基板（10）上图案化第一模具（20a）以形成凹槽。第一金属电极层（60a）形成在通过图案化形成的凹槽上。碳纳米管（30）被施加到沟槽和第一金属电极层。应用于第一金属电极的碳纳米管被间隙填充到凹槽中。在第一金属电极上形成与第一模具形状相同的第二模具（20b）。第二金属电极层（60b）涂布在间隙填充到沟槽中的碳纳米管上。选择性地去除第一模具，第二模具和第一金属电极层。

9. 发明授权

KR100717870B1 기계적인 스위치를 이용한 논리 회로 失效
标题翻译：逻辑电路使用机械开关
公开(公告)号：KR100717870B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050105387
申请日：2005-11-04
申请人： 한국과학기술원
发明人： 권오득 , 장원위 , 이정언 , 윤준보
IPC分类号： H01H36/00
摘要： 정전 구동 방식의 기계적인 스위치 및 그를 이용한 논리 회로가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기계적인 스위치는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 제 2 전극 및 절연층 상에 제 2 전극과 이격되어 형성된 부착부 및 부착부로부터 연장 형성되고, 절연층 및 제 2 전극과 이격되어 형성된 이동부로 구성된 이동 전극을 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 기계적인 스위치를 이용한 논리 회로는 제 1 전극, 제 1 전극 상에 형성된 절연층, 절연층 상에 형성된 제 2 전극 및 절연층 상에 제 2 전극과 이격되어 형성된 부착부 및 부착부로부터 연장 형성되고, 절연층 및 제 2 전극과 이격되어 형성된 이동부로 구성된 이동 전극을 포함한 기계적인 스위치들을 다양하게 배선함으로써 구성한다.
기계적인 스위치, 논리 회로, 정전 구동
摘要翻译：提供静电驱动型的机械开关和使用该机械开关的逻辑电路。根据本发明的一个实施例的机械开关包括第一电极，在第二电极上的第二附接部和形成在所述绝缘层，形成于间隔开的第一电极和第二电极的绝缘层上的绝缘层和一个安装部并且由绝缘层和与第二电极间隔开的移动部分形成的移动电极。根据本发明的一个实施例的使用机械开关的逻辑电路包括：第一电极，形成在第一电极层上的绝缘性，在所述第二电极以及形成从形成在所述第二电极隔开的绝缘层上的绝缘层以及从所述附接部分和所述附接部分延伸并由绝缘层和与所述第二电极隔开的可移动部分组成的可动电极。

10. 发明公开

KR1020100027272A 비휘발성 다중 비트 메모리 셀 및 이의 구동 방법 失效
标题翻译：非挥发性多位记忆细胞及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020100027272A
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：KR1020080086118
申请日：2008-09-02
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤준보 , 이정언 , 양현호
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/30
CPC分类号： G11C11/565 , G11C5/063 , G11C7/1069 , G11C7/1096
摘要： PURPOSE: A non-volatile multiple bit memory cell and a method for driving the same are provided to realize the integration of the non-volatile multiple bit memory cell using a machine switch. CONSTITUTION: A data signal line(100) applies a data voltage signal corresponding to data. A writing switch(102) includes a writing switch line as a gate input unit. A writing switch includes a data signal line as a source electrode. The writing signal line applies a writing voltage in case of writing the data voltage signal on a memory cell. One end of a capacitor(104) is connected to an electrode which functions as the drain electrode of the writing switch. The other end of the capacitor is connected to a reading signal line(106). The reading signal line applies a reading voltage in case of reading the data voltage signal stored in the memory cell. A reading switch(107) includes an electrode(103) as the gate input unit. The reading switch includes the source electrode connected to a reference voltage.
摘要翻译：目的：提供非易失性多位存储单元及其驱动方法，以使用机械开关实现非易失性多位存储单元的集成。构成：数据信号线（100）施加与数据对应的数据电压信号。写开关（102）包括写入开关线作为栅极输入单元。写入开关包括作为源电极的数据信号线。在将数据电压信号写入存储单元的情况下，写入信号线施加写入电压。电容器（104）的一端与用作写入开关的漏电极的电极连接。电容器的另一端连接到读取信号线（106）。在读取存储在存储单元中的数据电压信号的情况下，读取信号线施加读取电压。读取开关（107）包括作为栅极输入单元的电极（103）。读取开关包括连接到参考电压的源电极。

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