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1. 发明公开

KR1020090077510A ＶＬＳＲＲ을 이용한 전압 제어 발진기 无效
标题翻译：电压控制振荡器使用变压器负载分离环谐振器
公开(公告)号：KR1020090077510A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003503
申请日：2008-01-11
申请人： 한국과학기술원
发明人： 명로훈 , 배기웅 , 서동욱 , 임상호 , 임호 , 오영철
IPC分类号： H03B5/18
CPC分类号： H03B5/1847 , H01P1/20381 , H03B5/1243 , H03B2201/0208 , H03L7/099
摘要： A voltage controlled oscillator using a VLSRR(Varactor-Loaded Split-Ring Resonator) is provided to obtain a very thin thickness by etching a metal on a substrate. A split ring resonator(101) is comprised of an inner ring and an outer ring. A microstrip transmission line(111) is separated from the split ring resonator with a predetermined interval. Both ends of a varactor diode(102) are connected to the inner ring and the outer ring of the split ring resonator. An amplifier is connected on the microstrip line and generates the oscillation signal. The oscillation frequency of the amplifier is controlled according to both ends of the varactor diode. In the varactor diode, one end connected to the inner ring of the spit ring resonator is grounded. The other end connected to the outer ring is connected to the power supply unit.
摘要翻译：提供使用VLSRR（变容二极管分压环谐振器）的压控振荡器，以通过蚀刻衬底上的金属来获得非常薄的厚度。开环谐振器（101）由内圈和外圈构成。微波传输线（111）以预定间隔与开环谐振器分离。变容二极管（102）的两端连接到分离环谐振器的内环和外环。放大器连接在微带线上并产生振荡信号。放大器的振荡频率根据变容二极管的两端进行控制。在变容二极管中，连接到吐出环谐振器的内环的一端接地。连接到外环的另一端连接到电源单元。

2. 发明授权

KR102094595B1 신뢰 지수의 시간 의존 특징을 이용한 신뢰지수 예측 방법 및 시스템 有权
公开(公告)号：KR102094595B1
公开(公告)日：2020-03-30
申请号：KR1020180036065
申请日：2018-03-28
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤태성 , 배기웅
IPC分类号： G06Q30/06 , G06N3/02 , G06F17/18

3. 发明授权

KR100886132B1 ＤｏｕｂｌｅＰＩＦＡ 구조의 광대역 ＲＦＩＤ 태그안테나 失效
标题翻译：具有双PIFA结构的宽带RFID标签天线
公开(公告)号：KR100886132B1
公开(公告)日：2009-02-27
申请号：KR1020070025407
申请日：2007-03-15
申请人： 한국과학기술원
发明人： 명로훈 , 임상호 , 오영철 , 임호 , 배기웅
IPC分类号： H01Q9/04 , H01Q1/22 , H01Q5/328 , G06K19/077
摘要： 본 발명은 Double-PIFA 구조의 광대역 RFID 태그 안테나에 관한 것으로서, 단부가 단락되도록 꺾인 전송선로로 근접 결합 급전 구조를 이용하여 급전부를 형성시킴으로써, 임피던스의 정합이 용이하고, Double-PIFA(Planar Inverted-F Antenna)구조의 방사부는 1/8 파장의 크기로 금속위에 방사 패치층이 형성됨으로써 금속부착이 가능하고 소형화가 가능한 구조이며, 입력 리액턴스 특성은 급전부의 길이 또는 주 급전부와 부 급전부 사이의 폭을 조절함으로써, 입력 저항 특성은 급전부와 방사 패치 사이의 거리를 조절함으로써 용이하게 조정가능하고, 금속 표면에 부착되더라도 공진 주파수가 일정하여 산업화가 가능하며, 북미의 RFID 주파수 대역인 902MHz~928MHz에서 동작하는 광대역 RFID 태그 안테나를 제공하기 위한 것으로서, 그 기술적 구성은 하부에 형성된 PIFA(Planer Inverted-F Antenna) 하부 방사 패치층과, 상기 하부 방사 패치층의 상부면에 적층되는 PIFA(Planer Inverted-F Antenna) 상부 방사 패치층으로 이루어지는 더블 방사 패치층; 상기 하부 방사 패치층의 타면에 형성된 접지층; 상기 하부 방사 패치층과 동일한 면에 평행하도록 형성시켜 RF 전력을 상기 각 방사 패치층으로 공급하는 급전부; 상기 급전부의 일측에 구비되는 태그칩; 상기 각 방사 패치층의 일측 및 상기 급전부의 일측을 접지면과 단락시키는 단락부; 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Double-PIFA, RFID, 태그 안테나, 패치, 급접 결합 급전 구조

4. 发明授权

KR102150158B1 암호화폐 평가 방법 및 암호화폐 지수 有权
公开(公告)号：KR102150158B1
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：KR1020180081177
申请日：2018-07-12
申请人： 한국과학기술원
发明人： 윤태성 , 한승헌 , 배기웅
IPC分类号： G06Q40/06 , G06Q20/06 , G06Q10/06

5. 发明公开

KR1020080084133A ＤｏｕｂｌｅＰＩＦＡ 구조의 광대역 ＲＦＩＤ 태그안테나 失效
标题翻译：宽带RFID标签天线与双重PIFA结构
公开(公告)号：KR1020080084133A
公开(公告)日：2008-09-19
申请号：KR1020070025407
申请日：2007-03-15
申请人： 한국과학기술원
发明人： 명로훈 , 임상호 , 오영철 , 임호 , 배기웅
IPC分类号： H01Q9/04 , H01Q1/22 , H01Q5/328 , G06K19/077
CPC分类号： H01Q9/0421 , G06K19/07779 , H01Q1/2225 , H01Q5/328
摘要： A wide-band RFID(Radio Frequency Identification) tag antenna with a double PIFA(Planar Inverted-F Antenna) structure is provided to control an input reactance characteristic easily by controlling a width between main and sub feed units or length of the main feed unit. A wide-band RFID tag antenna(1) with a double PIFA structure includes a double radiation patch layer(10), a ground layer, a feed unit(30), a tag chip(40), and short-circuit units(11a,13a,33a,41a). The double radiation patch layer is composed of a PIFA lower radiation patch layer(13) and a PIFA upper radiation patch layer(11) stacked on an upper surface of the PIFA lower radiation patch layer. The ground layer is formed on a lower surface of the PIFA lower radiation patch layer. The feed unit is parallel formed on the same surface as the PIFA lower radiation patch layer to feed RF power to each of the radiation patch layers. The tag chip is arranged at one side of the feed unit. The short-circuit units short-circuit one side of each of the radiation patch layers and one side of the feed unit to a ground plane.
摘要翻译：提供具有双重PIFA（平面倒F天线）结构的宽带RFID（射频识别）标签天线，通过控制主馈送单元之间的宽度或主馈送单元的长度来容易地控制输入电抗特性。具有双PIFA结构的宽带RFID标签天线（1）包括双辐射贴片层（10），接地层，馈送单元（30），标签芯片（40）和短路单元（11a ，13A，33A，41A）。双辐射贴片层由PIFA低辐射贴片层（13）和堆叠在PIFA下部辐射贴片层的上表面上的PIFA上部辐射贴片层（11）组成。接地层形成在PIFA低辐射贴片层的下表面上。馈送单元平行地形成在与PIFA下部辐射贴片层相同的表面上，以将RF功率馈送到每个辐射贴片层。标签芯片布置在馈送单元的一侧。短路单元将每个辐射贴片层的一侧和馈送单元的一侧短路到接地平面。

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