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1. 发明公开

KR1020110044360A 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：单壁碳纳米管的选择性组装工艺及其应用于SWNT多通道FET器件
公开(公告)号：KR1020110044360A
公开(公告)日：2011-04-29
申请号：KR1020090100982
申请日：2009-10-23
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 이석 , 우덕하 , 김신근 , 김경헌 , 김수현
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/027 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66477 , B82B3/0004 , B82B3/0038 , G01N27/3272 , G01N27/4145 , H01L29/78
摘要： PURPOSE: The selective assembling method of a single-walled carbon nanotube and a method for manufacturing a field effect transistor with a single-walled carbon nanotube multichannel using the same are provided to prevent the dropping phenomenon of the carbon nanotube from the multichannel. CONSTITUTION: The surface of a substrate is processed into the hydrophilic property. One of natural oxide film, a thermal oxide film, a spin-on-glass-based oxide film, a PECVD-based oxide film, or LPCVD-based oxide film is deposited on the substrate. Single-walled carbon nanotube is selectively assembled with the surface of the oxide film, on the surface of which is processed. The selective arranged pattern of the single-walled carbon nanotube is formed using a photo-resist pattern.
摘要翻译：目的：提供单壁碳纳米管的选择性组装方法和使用其的具有单壁碳纳米管多通道的场效应晶体管的制造方法，以防止来自多通道的碳纳米管的滴落现象。构成：将基材的表面加工成亲水性。天然氧化物膜，热氧化膜，旋涂玻璃基氧化物膜，PECVD基氧化物膜或LPCVD基氧化物膜之一沉积在衬底上。单壁碳纳米管与氧化膜的表面选择性地组装，其表面被加工。单壁碳纳米管的选择排列图案使用光刻胶图案形成。

2. 发明公开

KR1020110032466A 포토리소그래피 공정만을 이용한 나노 물질의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 나노구조 다중채널 ＦＥＴ 소자 제조 방법 无效
标题翻译：选择性组装纳米材料的方法，仅使用其使用的纳米结构多通道FET器件的光刻技术和制造方法
公开(公告)号：KR1020110032466A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：KR1020090089968
申请日：2009-09-23
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 이석 , 전영민 , 김신근 , 김경헌 , 김수현
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66477 , G03F7/162 , G03F7/422 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A selective assembled method of nano-materials by using only photolithography and a fabrication method of a nano-structure multichannel FET devices using thereof are provided to reduce a process step by enabling nano particles to be attached to a substrate through a photolithography and a solution process. CONSTITUTION: In a selective assembled method of nano-materials by using only photolithography and a fabrication method of a nano-structure multichannel FET devices using thereof, an oxide film(SiO2) is formed on a silicon substrate. A random PR pattern is formed on the oxide film through the photo lithography process(S110). A nano-material is absorbed to the surface of a sample through a solution process(S120). A photoresist pattern on the surface of the sample having the nano particles is removed(S130). A multichannel FET device is manufactured by using selectively patterned nano-material.
摘要翻译：目的：提供通过仅使用光刻法的纳米材料的选择性组装方法和使用其的纳米结构多通道FET器件的制造方法，以通过使纳米颗粒通过光刻和解决过程。构成：在仅使用光刻法的纳米材料的选择性组装方法和使用其的纳米结构多通道FET器件的制造方法中，在硅衬底上形成氧化膜（SiO 2）。通过光刻工艺在氧化膜上形成随机的PR图案（S110）。通过溶液法将纳米材料吸收到样品的表面（S120）。除去具有纳米颗粒的样品表面上的光刻胶图案（S130）。通过使用选择性图案化的纳米材料制造多通道FET器件。

3. 发明授权

KR101310866B1 탄소나노튜브 양을 조절하는 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 소자 제조방법 有权
标题翻译：用于控制碳纳米管量的方法和使用该碳纳米管制备碳纳米管装置的方法
公开(公告)号：KR101310866B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020110044490
申请日：2011-05-12
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 전영민 , 변영태 , 장지웅 , 김경헌 , 이석 , 우덕하 , 김선호
IPC分类号： B82B3/00 , B01J19/08
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L51/0003 , H01L51/0018 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/0512
摘要： 본 발명은 반도체 구조물 상에 탄소나노튜브 입자를 흡착하고, 흡착된 탄소나노튜브 입자에 산소 플라즈마 처리를 수행함으로써 흡착된 탄소나노튜브 중 일부를 제거시키는 단계를 포함하여 탄소나노튜브 소자에서 탄소나노튜브 양을 조절하는 방법을 제공한다.

4. 发明授权

KR102069868B1 합성가스 발효 균의 합성가스 발효 시의 대사체 분석을 위한 대사체 샘플링 및 분석 방법 有权
公开(公告)号：KR102069868B1
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：KR1020180024259
申请日：2018-02-28
申请人： 고려대학교 산학협력단 , 한국과학기술연구원
发明人： 김경헌 , 엄영순 , 김정연 , 김중석
IPC分类号： G01N30/72 , G01N33/497 , G01N30/06 , G01N30/86 , G01N30/88 , G01N1/22

5. 发明授权

KR101258681B1 수중 식물성 플랑크톤에 포함된 엽록소-ａ 농도 측정용 수질 센서 有权
标题翻译：用于检测含有浮游植物的叶绿素a浓度的传感器
公开(公告)号：KR101258681B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110056820
申请日：2011-06-13
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 김신근 , 김경헌 , 구유림 , 우덕하
IPC分类号： G01N21/64 , G01N21/31 , G01N33/18 , G01N33/483
摘要： 본 발명은 수계 환경의 식물성 플랑크톤에 가장 보편적이고 많이 포함된 엽록소-a (chlorophyll-a)의 양을 측정함으로써 식물성 플랑크톤의 농도를 실시간으로 모니터링 할 수 있는 수질 센서에 관한 것이다.
본 발명의 센서는 형광 광도법(fluorometry)과 흡광 광도법(absorption photometry)을 동시에 사용하는 것으로, 수중 식물성 플랑크톤에 포함된 엽록소-a에 의해 흡수되는 빛을 제공하는 발광부; 상기 발광부로부터 제공되는 빛이 통과하는 시료부; 상기 시료부를 통과하면서 식물성 플랑크톤의 엽록소-a에 의해 흡수된 빛의 양을 측정하는 제1센서부; 및 상기 시료부의 식물성 플랑크톤으로부터 방출되는 형광의 양을 측정하는 제2센서부를 포함한다. 상기 발광부로는 식물성 플랑크톤이 흡수할 수 있는 파장대의 광을 방출하는 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED) 또는 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)를 사용하고, 상기 제1 및 제2 센서부는 식물성 플랑크톤이 흡수한 흡광의 양 및 식물성 플랑크톤이 재방출하는 형광(fluorescence)을 감지하는 광 검출기(Photo Detector; PD)를 포함한다.
이러한 센서의 일 실시예로서 460 nm 파장 발광 다이오드를 제1센서부 및 제2센서부에 대한 공통의 발광부로 사용하고, 460 nm 파장(흡광 파장)과 680 nm 파장(형광 파장)의 광 검출기를 각각 제1센서부 및 제2센서부로 사용한다.
본 발명의 센서는 형광 광도법(fluorometry)과 흡광 광도법(absorption photometry)을 동시에 사용함으로써 센서의 정밀도를 높이며, 특히 형광의 양을 측정하는 센서부를 2개의 광 검출기로 구성함으로써 미세신호 측정이 가능하도록 한 것을 특징으로 한다.

6. 发明授权

KR101168667B1 단일벽 탄소나노튜브의 선택적 조립 방법 및 이를 이용한 단일벽 탄소나노튜브 다중 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법 有权
标题翻译：单壁碳纳米管的选择性组装工艺及其在SWNT多通道FET器件中的应用
公开(公告)号：KR101168667B1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020090100982
申请日：2009-10-23
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 이석 , 우덕하 , 김신근 , 김경헌 , 김수현
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/027 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 본 발명은 반도체 제조 공정 중 하나인 포토리소그래피 공정과 산소플라즈마 표면처리를 이용하여 단일벽 카본나노튜브(single-walled carbon nanotube; SWNT)를 기판에 선택적으로 조립하는 공정 방법에 관한 것이다. 기존에 단일벽 탄소나노튜브를 기판상에 특정한 영역에 자기조립하기 위해 사용하는 OTS 폴리머 공정을 제거하고 포토레지스트만을 이용하여 패턴을 만들기 때문에 공정이 단순하고, 비용이 절감되는 효과가 있다. 또한 기존의 단일벽 탄소나노튜브 공정에 이용되지 않은 산소 플라즈마 표면처리를 함으로서 단일벽 탄소나노튜브가 조립되는 영역을 소수성에서 친수성 표면으로 변환시켜 단일벽 탄소나노튜브가 효율적으로 조립되게 한다. 따라서 본 발명은 나노소자의 대량생산에 적합하고 전자소자 및 바이오센서로 응용 가능한 단일벽 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor) 소자를 제작할 수 있는 공정기술과 직접적인 관련이 있다.
탄소나노튜브, 단일벽 탄소나노튜브, SWNT, 전계 효과 트랜지스터, FET, 포토레지스트, 포토리소그래피, 산소 플라즈마 처리, 친수성, 소수성

7. 发明授权

KR101078005B1 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：场效应晶体管传感器阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101078005B1
公开(公告)日：2011-10-31
申请号：KR1020090117374
申请日：2009-11-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 이석 , 김재헌 , 김신근 , 김경헌 , 김수현
IPC分类号： H01L29/84 , B82B3/00 , H01L21/28
摘要： 즉, 본발명에따른전계효과트랜지스터센서어레이에서는검지하고자하는물질수에대응하는게이트전극및 센서의각 행과열에대한공통된드레인전극및 소오스전극을포함하도록구성하고, 이러한전극배열을효과적으로구성할수 있는설계구조및 이를제작할수 있는제조방법을제공함으로써, 다수의검지물질을동시에측정할수 있는소형화된전계효과트랜지스터(Field effect transistor; FET) 센서어레이(Sensor Array) 및이의제조방법을제공하고자한다.

8. 发明公开

KR1020120137773A 수중 식물성 플랑크톤에 포함된 엽록소-ａ 농도 측정용 수질 센서 有权
标题翻译：用于检测含氯木酚含量浓度的传感器
公开(公告)号：KR1020120137773A
公开(公告)日：2012-12-24
申请号：KR1020110056820
申请日：2011-06-13
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 김신근 , 김경헌 , 구유림 , 우덕하
IPC分类号： G01N21/64 , G01N21/31 , G01N33/18 , G01N33/483
摘要： PURPOSE: A sensor for measuring concentration of chlorophyll-a which is included in underwater plant plankton is provided to detect fluorescence quantity with a photo detection part comprising two photo detectors, thereby being effective in easily measuring a micro signal . CONSTITUTION: A sensor for measuring concentration of chlorophyll-a included in underwater plant plankton comprises a light emitting part, a sample part, a first sensor part, and a second sensor part. The light emitting part provides light to be absorbed in chlorophyll-a. The chlorophyll-a is included in underwater plant plankton. The light emitted from the light emitting part passes through the sample part. The first sensor part measures the quantity of light which is absorbed in chlorophyll-a by passing through the sample part. The second sensor part measures the quantity of fluorescence which is emitted from plant plankton in the sample part. [Reference numerals] (AA) Motor; (BB) Wiper; (CC) LED; (DD) PD[λ=680nm] fluorescence detector; (EE) PD[λ460nm] light absorption detector
摘要翻译：目的：提供一种用于测量水下植物浮游生物中包含的叶绿素a浓度的传感器，以便利用包含两个光电检测器的光检测部分检测荧光量，从而有效地容易地测量微信号。构成：用于测量水下植物浮游生物中包含的叶绿素a浓度的传感器包括发光部分，样品部分，第一传感器部分和第二传感器部分。发光部分提供被叶绿素a吸收的光。叶绿素a包括在水下植物浮游生物中。从发光部发出的光通过样品部。第一传感器部件通过通过样品部分来测量在叶绿素a中吸收的光量。第二传感器部分测量样品中植物浮游生物发出的荧光量。（标号）（AA）马达; （BB）雨刮器; （CC）LED; （DD）PD [λ= 680nm]荧光检测器; （EE）PD [λ460nm]光吸收检测器

9. 发明公开

KR1020120126586A 탄소나노튜브 양을 조절하는 방법 및 이를 이용한 탄소나노튜브 소자 제조방법 有权
标题翻译：用于控制碳纳米管量的方法和使用该碳纳米管制备碳纳米管装置的方法
公开(公告)号：KR1020120126586A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：KR1020110044490
申请日：2011-05-12
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 전영민 , 변영태 , 장지웅 , 김경헌 , 이석 , 우덕하 , 김선호
IPC分类号： B82B3/00 , B01J19/08
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L51/0003 , H01L51/0018 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/0512
摘要： PURPOSE: A controlling method of carbon nano-tube adsorption rate and a manufacturing method of carbon nano-tube using the same are provided to uniformly obtain adsorption quantity of carbon nano-tubes. CONSTITUTION: A controlling method of carbon nano-tube adsorption rate comprises the following steps: absorbing the carbon nano-tube particles on a semiconductor structure; and removing a part of absorbed carbon nano-tube by performing oxygen plasma treatment on the carbon nano-tube particles. The first step includes the following step: dipping a substrate on which photoresist pattern is formed in a solution in which carbon nano-tubes are dispersed in dichlorobenzene. The oxygen plasma treatment is performed for 5-30 seconds. A carbon nano-tube device manufacture method comprises the following steps: forming an insulating layer(210) on the substrate(200); forming a mask pattern(220) on an insulating layer; absorbing carbon nano-tube particles which are more than the reference amount in the opened domain among the mask pattern; and removing a part of absorbed carbon nano-tubes by performing the oxygen plasma treatment on the carbon nano-tube particles.
摘要翻译：目的：提供碳纳米管吸附率的控制方法和使用其的碳纳米管的制造方法，以均匀地获得碳纳米管的吸附量。构成：碳纳米管吸附速率的控制方法包括以下步骤：在半导体结构上吸收碳纳米管颗粒; 并通过对碳纳米管颗粒进行氧等离子体处理来去除一部分吸收的碳纳米管。第一步包括以下步骤：在其中将碳纳米管分散在二氯苯中的溶液中浸渍形成有光致抗蚀剂图案的基板。氧等离子体处理进行5-30秒。碳纳米管装置制造方法包括以下步骤：在基板（200）上形成绝缘层（210）; 在绝缘层上形成掩模图案（220）; 吸收比掩模图案中的开放域中的参考量大的碳纳米管粒子; 并通过对碳纳米管颗粒进行氧等离子体处理来除去一部分吸收的碳纳米管。

10. 发明公开

KR1020110060704A 전계 효과 트랜지스터 센서 어레이 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：场效应晶体管传感器阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110060704A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090117374
申请日：2009-11-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 변영태 , 김선호 , 이석 , 김재헌 , 김신근 , 김경헌 , 김수현
IPC分类号： H01L29/84 , B82B3/00 , H01L21/28
摘要： PURPOSE: A field effect transistor sensor array and a manufacturing method thereof are provided to simultaneously measure a plurality of materials by increasing the number of gate electrodes of a field effect transistor according to the kind of materials. CONSTITUTION: An n x n sensor array is arranged on a substrate. A plurality of gate electrodes corresponds to materials. A common source electrode commonly connects n sources comprising each row of the n x n sensor array. A common drain electrode commonly connects n drains comprising each row of the n x n sensor array. A nano wire channel is formed between the common source electrode and the common drain electrode.
摘要翻译：目的：提供场效应晶体管传感器阵列及其制造方法，以通过根据材料的种类增加场效应晶体管的栅电极的数量来同时测量多种材料。构成：一个n x n传感器阵列布置在基片上。多个栅电极对应于材料。公共源电极通常连接包括n×n个传感器阵列的每一行的n个源。公共漏电极通常连接包括n×n个传感器阵列的每行的n个漏极。在公共源电极和公共漏电极之间形成纳米线通道。

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