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1. 发明公开

KR1020050116925A 반도체 나노구조체를 이용한 샤트키 전극을 포함하는전기소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：包含使用半导体纳米结构的肖特基电极的电子器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050116925A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：KR1020040042040
申请日：2004-06-09
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일 , 김진숙
IPC分类号： H01L29/812 , B82Y10/00
摘要： 본 발명은 반도체 나노선 또는 나노막대를 이용하여 형성된 샤트키(Schottky) 전극 구조를 포함하는 전기 소자, 특히 샤트키 다이오드 및 금속/반도체 전계트랜지스터(MESFET), 및 이들을 적절히 배열해서 구성한 로직회로에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 미리 형성된 금속 패턴 위에 반도체 나노구조체를 분산시켜 샤트키 컨택(Schottky contact)을 형성하도록 한 샤트키 전극을 이용함으로써, 정류특성이 우수한 샤트키 다이오드 및 우수한 성능의 금속/반도체 전계트랜지스터(MESFET)를 제작할 수 있으며, 이들 소자들을 이용하여 기존의 방법보다 훨씬 간단한 구조로 로직회로를 구현할 수 있다.

2. 发明授权

KR100455663B1 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법 有权
标题翻译： 금속/나노소재이종접합구조체및이의제조방
公开(公告)号：KR100455663B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020020023625
申请日：2002-04-30
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일 , 정석우
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , C01B31/02
摘要： PURPOSE: Provided is a metal/nano-material heterostructure, wherein a metal is deposited only at the tip of the nano-material, and an interface between the metal and the nano-material is distinct. CONSTITUTION: The metal/nano-material heterostructure is produced by the method comprising the step of depositing the metal on the nano-material that is grown on a substrate orthogonally or unidirectionally. In particular, the nano-material is selected from the group consisting of ZnO, GaN, Si and InP, and the metal is selected from the group consisting of Au, Cu, Pt, Al, Mn, Fe, Co, Ni and an alloy thereof.
摘要翻译：目的：提供一种金属/纳米材料异质结构，其中金属仅沉积在纳米材料的尖端处，并且金属和纳米材料之间的界面明显不同。构成：金属/纳米材料异质结构通过包括以下步骤的方法产生：将金属沉积在正交或单向生长在基底上的纳米材料上。特别地，纳米材料选自由ZnO，GaN，Si和InP组成的组，并且金属选自Au，Cu，Pt，Al，Mn，Fe，Co，Ni和合金它们。

3. 发明授权

KR100392783B1 유기금속 화학증착법에 의해 형성된 산화아연마그네슘박막 및 이의 제조방법 失效
标题翻译： 유기금속화학증착법에의해형성된산화아연마그네슘박막및이의제조방
公开(公告)号：KR100392783B1
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：KR1020010019300
申请日：2001-04-11
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일
IPC分类号： C23C16/18
摘要： PURPOSE: A method is provided to prepare Zn1-xMgxO thin films in a large quantities by chemical vapor deposition under temperature of 200 to 800 deg.C and pressure of 10¬-3 to 760 mmHg as controllably injecting Zn contained organic metal, Mg contained organic metal and oxygen contained gas or organic matter into each reactors. CONSTITUTION: The method for preparing Zn1-xMgxO (0
摘要翻译：目的：提供一种通过化学气相沉积在200-800℃的温度和10 -3 -760mmHg的压力下大量制备Zn 1-x Mg x O薄膜的方法，该方法可控地注入含Zn的有机金属，含Mg 有机金属和氧气中含有气体或有机物进入每个反应器。构成：通过金属有机化学气相沉积制备Zn1-xMgxO（0

4. 发明授权

KR100385634B1 유기금속 화학증착법에 의한 레이저용 산화아연계 박막의제조방법 失效
标题翻译： 유기금속화학증착법에의한레이저용산화아연계박막의제조방
公开(公告)号：KR100385634B1
公开(公告)日：2003-05-27
申请号：KR1020000056341
申请日：2000-09-26
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일
IPC分类号： H01S5/32
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing zinc oxide system thin film for laser by metal organic chemical deposition method is provided to manufacture a zinc oxide system thin film for a laser in large quantities by a metal organic chemical vapor deposition method. CONSTITUTION: A zinc-containing organic metal and an oxygen-containing gas or an oxygen-containing organic matter are injected into a reaction apparatus through different lines. An injection line of the oxygen-containing gas or organic matter is located 1 through 5 cm in front of a center of a substrate surface. A film is grown on a substrate under a cold wall reaction apparatus having a pressure of 1 through 10 torr and a temperature of 250 through 700°C. The zinc-containing organic metal is a dimethyl zinc, a diethyl zinc, a zinc acetate, a zinc acetate anhydride, or a zinc acetyl acetonate. The oxygen-containing gas is O2, O3, NO2, a vapor, or CO2. The oxygen-containing organic matter is C4H8O.
摘要翻译：目的：提供一种通过金属有机化学沉积方法制造用于激光的氧化锌系统薄膜的方法，以通过金属有机化学气相沉积方法大量制造用于激光的氧化锌系统薄膜。构成：含锌有机金属和含氧气体或含氧有机物通过不同的管线注入反应装置。含氧气体或有机物的注入线位于基板表面中央的前方1至5cm处。在压力为1〜10托，温度为250〜700℃的冷壁反应装置下，在基板上生长膜。含锌有机金属是二甲基锌，二乙基锌，乙酸锌，乙酸锌乙酸酐或乙酰丙酮酸锌。含氧气体是O2，O3，NO2，蒸气或CO2。含氧有机物质是C4H8O。

5. 发明授权

KR100554155B1 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및그 제조 방법 有权
标题翻译：使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制造方法
公开(公告)号：KR100554155B1
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：KR1020030036740
申请日：2003-06-09
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일
IPC分类号： H01L33/00 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L29/22 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L21/28537 , H01L21/2855 , H01L21/44 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/475 , H01L31/035281 , H01L31/108 , H01L33/20 , Y02E10/50
摘要： 본 발명은 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 예를 들어 산화아연 반도체 나노막대의 특정 부위에 나노미터 크기의 금속을 선택적으로 증착시키고, 증착된 금속 물질의 일함수와 금속/산화아연의 계면 특성을 적절히 조절해 줌으로써, 접촉저항이 적은 오믹(Ohmic) 전극이나, 정류 특성을 보이는 쇼트키(Schottky) 전극을 형성시켜 이들 전극을 나노 크기의 쇼트키 다이오드를 포함한 다양한 전자 소자, 광소자 및 이들의 어레이에 적용할 수 있도록 한 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명은, 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물에 있어서, 소정의 기재 위에 성장된 반도체 나노막대와; 상기 반도체 나노막대의 소정부위에 증착된 금속;을 포함하고, 상기 나노막대와 상기 금속 사이에서는 일함수 차이와 계면 특성에 따라 접촉 저항이 작은 오믹(Ohmic) 특성 또는 정류특성을 보이는 쇼트키(Schottky) 특성이 나타나도록 된 것을 특징으로 한다.

6. 发明授权

KR100499274B1 이종접합구조의 산화아연계 나노선 및 그 제조방법 有权
标题翻译：基于ZnO的异质结构纳米线的制备方法
公开(公告)号：KR100499274B1
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020020006748
申请日：2002-02-06
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00
摘要： 본 발명은 산화아연과 이와 유사한 물질의 이종접합구조(heterostructure)의 산화아연계 나노선, 그 제조방법 및 응용에 관한 것이다.
본 발명 방법에 따라 제조되는 이종접합 나노선은 매우 뚜렷한 접합계면을 가질 뿐만 아니라 결함이 적어 전기적 특성과 광학적 특성까지 향상된다. 특히 산화아연 나노선에 다양한 물질을 접합하여 차세대 나노소자 제조가 용이하다. 예를 들어 이종 접합이 가능한 물질로 산화아연에 마그네슘(Mg), 카드늄(Cd) 및 망간(Mn) 등을 첨가하면, 밴드갭을 변화시킬 수 있을 뿐만 아니라 자성 특성을 띄기 때문에 이종접합 나노선을 이용하여 다양한 구조를 가지는 나노스케일의 전자소자 및 광소자를 제작하기가 용이하다.

7. 发明授权

KR100458162B1 양자 우물 또는 초격자 구조를 가지는 산화아연계 나노선 有权
标题翻译： 양자우물또는격격자구조를가지는산화아연계나노선
公开(公告)号：KR100458162B1
公开(公告)日：2004-11-26
申请号：KR1020020011174
申请日：2002-03-02
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일
IPC分类号： B82B1/00 , C01B31/02
摘要： PURPOSE: Provided are zinc oxide nanowires with quantum well or superlattice structures obtained from accumulating ZnO and materials with a similar lattice constant alternately by organic chemical vapor deposition without catalysts. CONSTITUTION: The zinc oxide nanowires with quantum well or superlattice structures having a 1-500nm of diameter are formed by alternately accumulating the following materials: (i) ZnO, and Zn(1-x)MgxO(0
摘要翻译：目的：提供具有量子阱或超晶格结构的氧化锌纳米线，其通过有机化学气相沉积交替地堆积ZnO和具有类似晶格常数的材料而无需催化剂。构成：具有1-500nm直径的量子阱或超晶格结构的氧化锌纳米线通过交替积聚下列材料而形成：（i）ZnO和Zn（1-x）Mg x O（0≤x≤1）或通过向ZnO中加入Mg或Cd而获得的控制带隙的Zn（1-x）Cd x O（0≤x≤1）（ii）具有磁特性的ZnO和Zn（1-x）Mn x O（0≤x≤1）或Zn 1-x Co x O（0≤x≤1）（iii）ZnO和氮化物半导体材料，例如GaN，AlN，InN及其合金。

8. 发明公开

KR1020030085272A 금속/나노소재 이종접합구조체 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：金属/纳米材料结构及其生产方法
公开(公告)号：KR1020030085272A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：KR1020020023625
申请日：2002-04-30
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일 , 정석우
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y40/00 , C01B31/02
摘要： PURPOSE: Provided is a metal/nano-material heterostructure, wherein a metal is deposited only at the tip of the nano-material, and an interface between the metal and the nano-material is distinct. CONSTITUTION: The metal/nano-material heterostructure is produced by the method comprising the step of depositing the metal on the nano-material that is grown on a substrate orthogonally or unidirectionally. In particular, the nano-material is selected from the group consisting of ZnO, GaN, Si and InP, and the metal is selected from the group consisting of Au, Cu, Pt, Al, Mn, Fe, Co, Ni and an alloy thereof.
摘要翻译：目的：提供金属/纳米材料异质结构，其中仅在纳米材料的尖端沉积金属，并且金属和纳米材料之间的界面是不同的。构成：金属/纳米材料异质结构通过包括将金属沉积在正交或单向衬底上生长的纳米材料上的步骤的方法产生。特别地，纳米材料选自ZnO，GaN，Si和InP，金属选自Au，Cu，Pt，Al，Mn，Fe，Co，Ni和合金它们。

9. 发明公开

KR1020030060619A 유기금속 화학증착법에 의한 산화아연계 나노선의 제조방법 및 이로부터 제조된 나노선 有权
标题翻译：通过金属有机化学气相沉积生产基于氧化锌的纳米微粒
公开(公告)号：KR1020030060619A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：KR1020020001394
申请日：2002-01-10
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일 , 김동혁
IPC分类号： C01G9/02 , B82B3/00
CPC分类号： C01G9/02 , C01P2004/16 , C01P2004/64 , C07F3/06
摘要： PURPOSE: Provided is a production method of high quality zinc oxide(ZnO)-based nanowires with controllable diameter, uniform thickness and no pollution by metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) without catalysts. Accordingly, the resultant nanowires have excellent electric and optical characteristics. CONSTITUTION: The zinc oxide(ZnO)-based nanowires are produced by the following steps of: putting Zn-contained organics such as dimethyl zinc, diethyl zinc, zinc acetate, etc., O-contained gases such as O2, O3, NO2, CO2 and vapor, and O-contained organics such as C4H8O into a vessel through separate lines; reacting between 200-1000deg.C under atmospheric pressure(760torr) and preferably 100torr for depositing ZnO-based nanowires on substrates such as semiconductors(Si, GaN, and AlN), single crystal oxides(glass, quartz, SiO2/Si, Al2O3 and MgO), and amorphous oxides. The resultant nanowires are less than 200nm in diameter and well aligned along the c-axis.
摘要翻译：目的：提供一种高品质的氧化锌（ZnO）基纳米线的制造方法，其直径可控，厚度均匀，无催化剂的金属有机化学气相沉积（MOCVD）无污染。因此，所得的纳米线具有优异的电学和光学特性。构成：通过以下步骤制备基于氧化锌（ZnO）的纳米线：将含有Zn的有机物如二甲基锌，二乙基锌，乙酸锌等，含O气体，O 3，NO 2， CO2和蒸汽，以及含O的有机物如C4H8O通过分开的管线进入容器; 在大气压（760torr）下优选为200-1000℃，优选为100torr，用于在诸如半导体（Si，GaN和AlN）的基底上沉积ZnO基纳米线，单晶氧化物（玻璃，石英，SiO 2 / Si，Al 2 O 3和 MgO）和无定形氧化物。所得的纳米线直径小于200nm，并且沿着c轴良好对准。

10. 发明公开

KR1020030037563A 반도체 광소자 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体照明器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030037563A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：KR1020010068812
申请日：2001-11-06
申请人： 학교법인 포항공과대학교
发明人： 이규철 , 박원일
IPC分类号： H01L33/12
摘要： PURPOSE: A semiconductor lighting device and a manufacturing method thereof are provided to improve quality and luminous efficiency at a low cost by forming a ZnO and ZnO-related compound thin film on an amorphous or polycrystalline substrate. CONSTITUTION: A ZnO buffer layer(10) is formed on a substrate(1) selected from group consisting of an amorphous silicon oxide, quartz, glass and polycrystalline substrate. At this time, the stress between the ZnO buffer layer(10) and the substrate(1) is minimized by forming the ZnO buffer layer(10) at a low temperature, and then annealing at a high temperature. An N-type ZnO and ZnMgO thin film(20n,22n), and a quantum well structure layer(24) are sequentially formed on the resultant structure. At this time, the luminous efficiency of the semiconductor photo diode is improved by efficiently binding electric charge carriers and photons using the quantum well structure layer(24). After sequentially forming a P-type ZnMgO and ZnO thin film(26p,20p) on the resultant structure, A P-type electrode(5p) is formed on the P-type ZnO thin film(20p) and an N-type electrode(5n) is formed on the predetermined portion of the N-type ZnO thin film(20n).
摘要翻译：目的：提供一种半导体照明装置及其制造方法，通过在非晶或多晶基板上形成ZnO和ZnO相关化合物薄膜，以低成本提高质量和发光效率。构成：在选自非晶硅氧化物，石英，玻璃和多晶基板的基板（1）上形成ZnO缓冲层（10）。此时，通过在低温下形成ZnO缓冲层（10），然后在高温下进行退火，使ZnO缓冲层（10）和基板（1）之间的应力最小化。在所得结构上依次形成N型ZnO和ZnMgO薄膜（20n，22n）和量子阱结构层（24）。此时，通过使用量子阱结构层（24）有效地结合电荷载流子和光子来提高半导体光电二极管的发光效率。在所得结构上依次形成P型ZnMgO和ZnO薄膜（26p，20p）之后，在P型ZnO薄膜（20p）和N型电极（20p）上形成P型电极（5p） 5n）形成在N型ZnO薄膜（20n）的预定部分上。

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