专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020040030106A 전자장치의 웨이퍼 레벨 번인 수행 시스템 无效
标题翻译：用于电子设备的晶圆级老化性能系统
公开(公告)号：KR1020040030106A
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1020047002235
申请日：2002-08-12
申请人： 피니사 코포레이숀
发明人： 하지-세이크마이클제이. , 비아드제임스알. , 허킨스바비엠. , 라비노비치시몬 , 군터제임스케이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/275 , G01R31/2831 , G01R31/2863 , G01R31/2872 , G01R31/2874 , G01R31/2884 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/423
摘要： 본 발명은 반도체 장치(210, 215)의 웨이퍼 레벨 번인(WLBI)을 위한 시스템에 관한 것이다. 상기 시스템은 웨이퍼(100)에 의하여 형성된 반도체 장치를 위한 후방(105) 및 전방(110) 전극 접촉을 갖는 웨이퍼의 각각의 측면 상에 전기적 바이어스 및/또는 열원을 적용하기 위한 적어도 두개의 전극을 갖는다. 또한 상기 시스템을 이용한 웨이퍼 레벨 번인 방법이 제시되어 있다. 게다가, 전기적 접촉에 의하여 웨이퍼의 장치 측면 상에 핀 또는 컨택트(110)를 공급하기위한 유연 도전층(220)이 제시된다. 상기 유연 도전층(200)은 상기 웨이퍼(100)에 의하여 형성된 장치들 각각에 대하여 효과적인 일련의 R을 허용할 수 있게 한다. 상기 유연 도전층은 또한 번인 동작 동안에 챔버 컨택트(210, 215) 및 상기 웨이퍼(100) 표면 상의 압력에 의하여 압력이 인가될 때 웨이퍼에 손상을 방지할 수 있다. 또한 상기 웨이퍼(100)에 균일한 온도를 적용할 수 있도록 하는 냉각 시스템(660)이 제시된다.

2. 发明授权

KR100780059B1 전자장치의 웨이퍼 레벨 번인 수행 방법 失效
标题翻译：导电水平电子装置的方法
公开(公告)号：KR100780059B1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：KR1020047002236
申请日：2002-08-12
申请人： 피니사 코포레이숀
发明人： 하지-세이크마이클제이. , 비아드제임스알. , 허킨스바비엠. , 라비노비치시몬 , 군터제임스케이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/275 , G01R31/2831 , G01R31/2863 , G01R31/2872 , G01R31/2874 , G01R31/2884 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/423
摘要： 본 발명은 반도체 장치(210, 215)의 웨이퍼 레벨 번인(WLBI)을 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법에서는 적어도 2개의 전극(210,215)을 갖는 시스템이 제공된다. 상기 웨이퍼(100)에 형성된 반도체 소자를 위한 상부 및 하부 전기적 콘택을 갖는 웨이퍼의 각 면에 전기적 바이어스 및/또는 열원이 적용된다. 또한, 전기적 콘택을 갖는 웨이퍼의 소자측면 상에 핀을 제공하고(또는) 그 표면에 적용되는 기계적 압력으로부터 웨이퍼를 보호하기 위한 연성 전도층(910)이 기재되어 있다. 번인 중인 웨이퍼 온도를 일정하게 유지할 수 있는 냉각시스템(950)의 이용방법이 기재되어 있다. 웨이퍼 레벨 번인은 상기 웨이퍼의 기판 표면에 하부 접촉판을 이용하여 전기적 물리적 접속을 적용함(915)으로써 실행될 수 있다. 이어, 상부 접촉판을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 마련된 반도체 소자와 관련된 개별 접촉에 전기적 물리적 접속을 적용하고(910), 상기 제1 및 제2 접촉판에 연결된 전원으로부터 상기 상부 및 하부 접촉판을 통해 상기 반도체 소자에 전력을 제공한다(920). 다음으로, 특정 번인조건에 따라 설명된 시간동안에 상기 반도체 소자에 전력을 모니터링하고 제어하며(935), 상기 시간이 종료될 때에 전력을 제거한다(955). 끝으로, 상기 반도체 웨이퍼로부터 전기적 물리적 접속을 제거한다(965).
번-인(burn-in), 웨이퍼 레벨(wafer level), 그래파이트(graphite), 반도체 소자(semiconductor device)

3. 发明公开

KR1020040030107A 전자장치의 웨이퍼 레벨 번인 수행 방법 失效
标题翻译：电话号码
公开(公告)号：KR1020040030107A
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1020047002236
申请日：2002-08-12
申请人： 피니사 코포레이숀
发明人： 하지-세이크마이클제이. , 비아드제임스알. , 허킨스바비엠. , 라비노비치시몬 , 군터제임스케이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/275 , G01R31/2831 , G01R31/2863 , G01R31/2872 , G01R31/2874 , G01R31/2884 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/423
摘要： 본 발명은 반도체 장치(210, 215)의 웨이퍼 레벨 번인(WLBI)을 위한 방법에 관한 것이다. 상기 방법에서는 적어도 2개의 전극(210,215)을 갖는 시스템이 제공된다. 상기 웨이퍼(100)에 형성된 반도체 소자를 위한 상부 및 하부 전기적 콘택을 갖는 웨이퍼의 각 면에 전기적 바이어스 및/또는 열원이 적용된다. 또한, 전기적 콘택을 갖는 웨이퍼의 소자측면 상에 핀을 제공하고(또는) 그 표면에 적용되는 기계적 압력으로부터 웨이퍼를 보호하기 위한 연성 전도층(910)이 기재되어 있다. 번인 중인 웨이퍼 온도를 일정하게 유지할 수 있는 냉각시스템(950)의 이용방법이 기재되어 있다. 웨이퍼 레벨 번인은 상기 웨이퍼의 기판 표면에 하부 접속판을 이용하여 전기적 물리적 접속을 적용함(915)으로써 실행될 수 있다. 이어, 상부 접속판을 이용하여 상기 반도체 웨이퍼에 마련된 반도체 소자와 관련된 개별 콘택트에 전기적 물리적 접속을 적용하고(910), 상기 제1 및 제2 접속판에 연결된 전원으로부터 상기 상부 및 하부 접속판을 통해 상기 반도체 소자에 전력을 제공한다(920). 다음으로, 특정 번인기준에 따라 설명된 시간동안에 상기 반도체 소자에 전력을 모니터링하고 제어하며(935), 상기 시간이 종료될 때에 전력을 제거한다(955). 끝으로, 상기 반도체 웨이퍼로부터 전기적 물리적 접속을 제거한다(965).
摘要翻译：公开了用于向具有衬底（1720），至少一个有源层（1765）和至少一个表面层（1710）的半导体晶片（1700）提供晶片光子流控制的方法。可以通过形成在所述晶片（1700）中形成的沟槽（1725）和/或绝缘注入物（1730）来实现光子流动控制，由此有源区域（1760）由沟槽（1725）限定，所述沟槽作为非导电区域）。还公开了用于半导体器件的晶片级老化（WLBI）的方法和系统。在使用WLBI方法和系统时，晶圆级的光子流控制很重要。

4. 发明公开

KR1020040030105A 웨이퍼 생성 반도체 소자에 오버레이어 패턴을 사용한전류 제어 제공방법 无效
标题翻译：在晶片生产半导体元件上使用覆盖图案提供电流控制的方法
公开(公告)号：KR1020040030105A
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1020047002234
申请日：2002-08-12
申请人： 피니사 코포레이숀
发明人： 하지-세이크마이클제이. , 비아드제임스알. , 허킨스바비엠. , 군터제임스케이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/275 , G01R31/2831 , G01R31/2863 , G01R31/2872 , G01R31/2874 , G01R31/2884 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/423
摘要： 기판(1240), 적어도 하나의 활성층(1240) 및 적어도 하나의 표면층(1240)을 갖는 반도체 웨이퍼에 웨이퍼 기생 전류 제어를 제공하는 방법 및 시스템이 개시된다. 전류 제어는 접촉 주위의 패턴(1240)의 형성를 통해 이루어진다. 상기 패턴(1240)은 상기 접촉(1215)에 의해 나타나는 활성 소자 사이에 형성되는 절연성 임플란트 및/또는 희생층을 포함한다. 상기 접촉(1215) 및 활성 소자와 연결된 활성 영역(1260)을 통해 전류가 흐른다. 또한, 반도체 소자의 웨이퍼 단계 번인(WLBI) 방법 및 시스템이 개시된다. WLBI 방법 및 시스템을 사용할 때, 웨이퍼 단계에서 전류 제어는 중요하다.

5. 发明公开

KR1020040030104A 웨이퍼 생성 반도체 소자에 대한 광자 제어 제공방법 无效
标题翻译：用于为晶圆制造半导体装置提供光子控制的方法
公开(公告)号：KR1020040030104A
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1020047002233
申请日：2002-08-12
申请人： 피니사 코포레이숀
发明人： 하지-세이크마이클제이. , 비아드제임스알. , 허킨스바비엠. , 군터제임스케이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/275 , G01R31/2831 , G01R31/2863 , G01R31/2872 , G01R31/2874 , G01R31/2884 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/423
摘要： 기판(1720), 적어도 하나의 활성층(1765) 및 적어도 하나의 표면층(1710)을 갖는 반도체 웨이퍼(1700)에 웨이퍼 광자흐름 제어를 제공하는 방법이 개시된다. 광자 흐름 제어는 상기 웨이퍼(1700)내에 형성된 트렌치 및/또는 절연 임플랜트(1730)를 형성함으로써 구현될 수 있다. 여기서, 활성 영역(1760)은 비전도성 영역(1750)으로 동작하는 트렌치에 의해 정의된다. 또한, 반도체 장치의 웨이퍼 레벨 번인(WLBI)을 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 상기 웨이퍼 레벨에서의 광자 흐름 제어는 WLBI 방법 및 시스템을 이용하는 경우에 있어 중요하다.

6. 发明公开

KR1020040030103A 웨이퍼 생성 반도체 소자에 트렌치를 사용한 전류 제어제공방법 无效
标题翻译：利用沟槽向晶片生成半导体器件提供电流控制的方法
公开(公告)号：KR1020040030103A
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：KR1020047002232
申请日：2002-08-12
申请人： 피니사 코포레이숀
发明人： 하지-세이크마이클제이. , 비아드제임스알. , 허킨스바비엠. , 군터제임스케이.
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/275 , G01R31/2831 , G01R31/2863 , G01R31/2872 , G01R31/2874 , G01R31/2884 , H01S5/0021 , H01S5/005 , H01S5/423
摘要： 기판(1520)과, 적어도 하나의 활성층(1565) 및 표면층(1510)과, 상기 표면층(1510) 상에 형성된 전기적 접촉(1515)을 갖는 반도체 웨이퍼(1500)에 웨이퍼 기생전류 제어를 제공하는 방법이 개시된다. 전류 제어는 전기적 접촉 주위에 트렌치를 형성함으로써 구현될 수 있다. 여기서, 전기적 접촉 및 관련 층은 전기적 장치를 정의한다. 절연성 주입부(1530)는 트렌치(1525) 내에 배치되고(또는) 희생층(1540)은 전기적 접촉(1515) 사이에 형성될 수 있다. 트렌치는 활성층(예, 전도층)(1560) 내에서 전류흐름을 촉진하고 비활성영역(예, 비전도성영역)(1550)을 통한 전류흐름을 억제함으로써 전류를 제어한다. 반도체 소자의 웨이퍼레벨 번인(WLBI)시스템이 개시되어 있다. 웨이퍼 레벨에서 WLBI방법 및 시스템을 이용하여 전류를 제어하는 것은 중요하다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式