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1. 发明授权

KR100362730B1 칩형 양의 온도계수 서미스터 失效
标题翻译：片式正温度系数热敏电阻
公开(公告)号：KR100362730B1
公开(公告)日：2002-11-29
申请号：KR1020007011246
申请日：1999-04-07
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이케다다카시 , 모리모토고이치 , 고지마준지 , 이케우치기요시 , 이와오도시유키
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 본 발명은, 양의 온도계수 특성을 가지는 도전성 폴리머를 이용한 칩형 PTC 서미스터에 관한 것으로, 전극과 인출부인 측면전극과의 장기적인 접속 신뢰성이 뛰어나고, 또 표면실장 대응이 가능한 칩형 PTC 서미스터를 제공하는 것을 목적으로 하는 것으로, 이 목적을 달성하기 위해 직육면체 형상을 한 PTC 특성을 가지는 도전성 폴리머(11)의 제1면에 제1 주전극(12a)과 제1 부전극(12b)을 설치하고, 또 상기 도전성 폴리머(11)의 상기 제1면에 대향하는 제2면에 제2 주전극(12c)과 제2 부전극(12d)을 설치하고, 또 상기 제1 주전극(12a)과 상기 제2 부전극(12b)의 사이, 및 상기 제1 부전극(12b)과 상기 제2 주전극(12c)과의 사이를 두께가 제1, 제2 주전극(12a, 12c)간 거리의 1/20이상인 니켈 도금층에 의해, 도전성 폴리머(11)의 측면으로부터 상하면에 돌아들어가도록 설치한 제1 , 제2 측면전극(13a, 13b)에 의해 전기적으로 접속한 것이다.

2. 发明授权

KR100575912B1 칩형 ＰＴＣ 서미스터 및 그 제조 방법 失效
标题翻译： PTC芯片热敏电阻及其制造方法
公开(公告)号：KR100575912B1
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020017004692
申请日：1999-10-12
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 고지마준지 , 이케우치기요시 , 이케다다카시 , 모리모토고이치 , 이와오도시유키
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 본 발명의 칩형 PTC 서미스터는 PTC 특성을 갖는 도전성 폴리머와, 도전성 폴리머에 접촉하여 마련된 제 1 외층 전극과, 도전성 폴리머를 거쳐 상기 제 1 외층 전극에 대향하여 마련된 제 2 외층 전극과, 제 1 외층 전극 및 상기 제 2 외층 전극과 대향하는 동시에 이들의 사이에 위치하며 또한 상기 도전성 폴리머 사이에 끼여진 1 이상의 내층 전극과, 제 1 외층 전극과 직접 전기적으로 접속하는 제 1 측면 전극과, 제 1 측면 전극과 전기적으로 독립하여 마련된 제 2 측면 전극으로 구성되어 있다. 제 1 외층 전극으로부터 세어, 기수번째의 내층 전극은 제 2 측면 전극에 직접 접속하고, 우수번째의 내층 전극은 제 1 측면 전극에 직접 접속한다. 내층 전극이 전부 기수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 1 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하고, 내층 전극이 전부로 우수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 2 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하는 구성이다. 상기 구성에 있어서, 내층 전극이 제 1 측면 전극 또는 제 1 및 제 2 측면 전극에 접속하는 부분의 두께를 다른 부분의 두께보다 두껍게 형성함으로써, 장기적인 접속 신뢰성에 우수하고, 또한 면 실장 대응이 가능한 칩형 PTC 서미스터를 제공할 수 있다.

3. 发明公开

KR1020010042578A 칩형 양의 온도계수 서미스터 失效
公开(公告)号：KR1020010042578A
公开(公告)日：2001-05-25
申请号：KR1020007011246
申请日：1999-04-07
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이케다다카시 , 모리모토고이치 , 고지마준지 , 이케우치기요시 , 이와오도시유키
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H01C17/006 , H01C1/1406 , H01C7/027 , H01C7/028 , H05K3/3442
摘要： 본발명은, 양의온도계수특성을가지는도전성폴리머를이용한칩형 PTC 서미스터에관한것으로, 전극과인출부인측면전극과의장기적인접속신뢰성이뛰어나고, 또표면실장대응이가능한칩형 PTC 서미스터를제공하는것을목적으로하는것으로, 이목적을달성하기위해직육면체형상을한 PTC 특성을가지는도전성폴리머(11)의제1면에제1 주전극(12a)과제1 부전극(12b)을설치하고, 또상기도전성폴리머(11)의상기제1면에대향하는제2면에제2 주전극(12c)과제2 부전극(12d)을설치하고, 또상기제1 주전극(12a)과상기제2 부전극(12b)의사이, 및상기제1 부전극(12b)과상기제2 주전극(12c)과의사이를두께가제1, 제2 주전극(12a, 12c)간거리의 1/20이상인니켈도금층에의해, 도전성폴리머(11)의측면으로부터상하면에돌아들어가도록설치한제1, 제2 측면전극(13a, 13b)에의해전기적으로접속한것이다.

4. 发明公开

KR1020010102536A 칩형 ＰＴＣ 서미스터 失效
标题翻译：片式PTC热敏电阻
公开(公告)号：KR1020010102536A
公开(公告)日：2001-11-15
申请号：KR1020017011405
申请日：2000-03-02
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이와오도시유키 , 고지마준지 , 다나카아키라 , 이케다다카시 , 이케우치기요시
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 과전류가 흘렀을 때의 저항값 상승률을 크게 할 수 있고, 내전압을 높일 수 있는 칩형 PTC 서미스터로서, 이 서미스터는 PTC 특성을 갖는 도전성 폴리머(11)의 제 1 면에 마련한 제 1 주전극(12a) 및 제 1 부전극(12b)과, 대향하는 제 2 면에 마련한 제 2 주전극(12c) 및 제 2 부전극(12d)과, 도전성 폴리머(11)의 측면에 마련된 제 1, 제 2 측면 전극(13a), (13b)을 구비하되, 제 1 주전극(12a)에서의 제 1 측면 전극(13a)의 접속부 근방 위치 및 제 2 주전극(12c)에서의 측면 전극(13b)의 접속부 근방 위치에, 각각 절결부(14)를 마련한 구성을 갖는다.

5. 发明公开

KR1020010075626A 칩형 ＰＴＣ 서미스터 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：片式PTC热敏电阻及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010075626A
公开(公告)日：2001-08-09
申请号：KR1020017004692
申请日：1999-10-12
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 고지마준지 , 이케우치기요시 , 이케다다카시 , 모리모토고이치 , 이와오도시유키
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 본 발명의 칩형 PTC 서미스터는 PTC 특성을 갖는 도전성 폴리머와, 도전성 폴리머에 접촉하여 마련된 제 1 외층 전극과, 도전성 폴리머를 거쳐 상기 제 1 외층 전극에 대향하여 마련된 제 2 외층 전극과, 제 1 외층 전극 및 상기 제 2 외층 전극과 대향하는 동시에 이들의 사이에 위치하며 또한 상기 도전성 폴리머에 사이에 끼여진 1 이상의 내층 전극과, 제 1 외장 전극과 직접 전기적으로 접속하는 제 1 측면 전극과, 제 1 측면 전극과 전기적으로 독립하여 마련된 제 2 측면 전극으로 구성되어 있다. 제 1 외층 전극으로부터 세어, 기수번째의 내층 전극은 제 2 측면 전극에 직접 접속하고, 우수번째의 내층 전극은 제 1 측면 전극에 직접 접속한다. 내층 전극이 전부 기수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 1 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하고, 내층 전극이 전부로 우수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 2 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하는 구성이다. 상기 구성에 있어서, 내층 전극이 제 1 측면 전극 또는 제 1 및 제 2 측면 전극에 접속하는 부분의 두께를 다른 부분의 두께보다 두텁게 형성함으로써, 장기적인 접속 신뢰성에 우수하고, 또한 면 실장 대응이 가능한 칩형 PTC 서미스터를 제공할 수 있다.

6. 发明授权

KR100693057B1 전지팩 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：电池组及其制造方法
公开(公告)号：KR100693057B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020027017404
申请日：2001-06-21
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이케우치기요시 , 고야마야스카즈
IPC分类号： H01M2/10
CPC分类号： H01C1/14 , H01C1/1406 , H01M2/1016 , H01M10/42 , H01M2200/00 , H01M2200/10 , H05K1/0201 , H05K1/181 , Y10T29/49108 , Y10T29/49114
摘要： 보호 회로 유닛(52)은, 면실장형 PTC 서미스터(49)를 프린트 기판(44) 상에 보호용 IC(45)나 FET 유닛(46)과 함께 리플로우 납땜법 등의 납땜에 의해 실장하여 이루어지는 복합체이다. 면실장형 PTC 서미스터(49)는, 리드 부착 PTC 서미스터에 비해 리드 단자의 구부림 가공이나 전기 용접에 의해 각형 소전지(41)의 음극 단자나 프린트 기판과 접속하여 회로를 구성할 필요가 없이, 프린트 기판(44) 상에 실장할 수 있다. 그 결과, 구부림 가공 스트레스 및 고온의 열 스트레스 등에 기인하는 저항값 변동을 없앨 수 있다. 또한, 서미스터(49)의 배치에 의해 소전지(41)와의 열결합 정도를 조절할 수 있어, 다양한 제어 기능을 실현할 수 있다.

7. 发明授权

KR100479964B1 칩형 ＰＴＣ 서미스터 失效
标题翻译： PTC芯片热敏电阻
公开(公告)号：KR100479964B1
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：KR1020017011405
申请日：2000-03-02
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이와오도시유키 , 고지마준지 , 다나카아키라 , 이케다다카시 , 이케우치기요시
IPC分类号： H01C7/02
摘要： 과전류가 흘렀을 때의 저항값 상승률을 크게 할 수 있고, 내전압을 높일 수 있는 칩형 PTC 서미스터로서, 이 서미스터는 PTC 특성을 갖는 도전성 폴리머(11)의 제 1 면에 마련한 제 1 주전극(12a) 및 제 1 부전극(12b)과, 대향하는 제 2 면에 마련한 제 2 주전극(12c) 및 제 2 부전극(12d)과, 도전성 폴리머(11)의 측면에 마련된 제 1, 제 2 측면 전극(13a), (13b)을 구비하되, 제 1 주전극(12a)에서의 제 1 측면 전극(13a)의 접속부 근방 위치 및 제 2 주전극(12c)에서의 측면 전극(13b)의 접속부 근방 위치에, 각각 절결부(14)를 마련한 구성을 갖는다.

8. 发明公开

KR1020030038560A 전지팩 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：电池组及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030038560A
公开(公告)日：2003-05-16
申请号：KR1020027017404
申请日：2001-06-21
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이케우치기요시 , 고야마야스카즈
IPC分类号： H01M2/10
CPC分类号： H01C1/14 , H01C1/1406 , H01M2/1016 , H01M10/42 , H01M2200/00 , H01M2200/10 , H05K1/0201 , H05K1/181 , Y10T29/49108 , Y10T29/49114
摘要： 보호 회로 유닛(52)은, 면실장형 PTC 서미스터(49)를 프린트 기판(44) 상에 보호용 IC(45)나 FET 유닛(46)과 함께 리플로우 납땜법 등의 납땜에 의해 실장하여 이루어지는 복합체이다. 면실장형 PTC 서미스터(49)는, 리드 부착 PTC 서미스터에 비해 리드 단자의 구부림 가공이나 전기 용접에 의해 각형 소전지(41)의 음극 단자나 프린트 기판과 접속하여 회로를 구성할 필요가 없이, 프린트 기판(44) 상에 실장할 수 있다. 그 결과, 구부림 가공 스트레스 및 고온의 열 스트레스 등에 기인하는 저항값 변동을 없앨 수 있다. 또한, 서미스터(49)의 배치에 의해 소전지(41)와의 열결합 정도를 조절할 수 있어, 다양한 제어 기능을 실현할 수 있다.

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