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    • 3. 发明公开
    • 칩형 PTC 서미스터 및 그 제조 방법
    • 片式PTC热敏电阻及其制造方法
    • KR1020010075626A
    • 2001-08-09
    • KR1020017004692
    • 1999-10-12
    • 파나소닉 주식회사
    • 고지마준지이케우치기요시이케다다카시모리모토고이치이와오도시유키
    • H01C7/02
    • 본 발명의 칩형 PTC 서미스터는 PTC 특성을 갖는 도전성 폴리머와, 도전성 폴리머에 접촉하여 마련된 제 1 외층 전극과, 도전성 폴리머를 거쳐 상기 제 1 외층 전극에 대향하여 마련된 제 2 외층 전극과, 제 1 외층 전극 및 상기 제 2 외층 전극과 대향하는 동시에 이들의 사이에 위치하며 또한 상기 도전성 폴리머에 사이에 끼여진 1 이상의 내층 전극과, 제 1 외장 전극과 직접 전기적으로 접속하는 제 1 측면 전극과, 제 1 측면 전극과 전기적으로 독립하여 마련된 제 2 측면 전극으로 구성되어 있다. 제 1 외층 전극으로부터 세어, 기수번째의 내층 전극은 제 2 측면 전극에 직접 접속하고, 우수번째의 내층 전극은 제 1 측면 전극에 직접 접속한다. 내층 전극이 전부 기수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 1 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하고, 내층 전극이 전부로 우수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 2 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하는 구성이다. 상기 구성에 있어서, 내층 전극이 제 1 측면 전극 또는 제 1 및 제 2 측면 전극에 접속하는 부분의 두께를 다른 부분의 두께보다 두텁게 형성함으로써, 장기적인 접속 신뢰성에 우수하고, 또한 면 실장 대응이 가능한 칩형 PTC 서미스터를 제공할 수 있다.
    • 9. 发明授权
    • 칩형 PTC 서미스터 및 그 제조 방법
    • PTC芯片热敏电阻及其制造方法
    • KR100575912B1
    • 2006-05-02
    • KR1020017004692
    • 1999-10-12
    • 파나소닉 주식회사
    • 고지마준지이케우치기요시이케다다카시모리모토고이치이와오도시유키
    • H01C7/02
    • 본 발명의 칩형 PTC 서미스터는 PTC 특성을 갖는 도전성 폴리머와, 도전성 폴리머에 접촉하여 마련된 제 1 외층 전극과, 도전성 폴리머를 거쳐 상기 제 1 외층 전극에 대향하여 마련된 제 2 외층 전극과, 제 1 외층 전극 및 상기 제 2 외층 전극과 대향하는 동시에 이들의 사이에 위치하며 또한 상기 도전성 폴리머 사이에 끼여진 1 이상의 내층 전극과, 제 1 외층 전극과 직접 전기적으로 접속하는 제 1 측면 전극과, 제 1 측면 전극과 전기적으로 독립하여 마련된 제 2 측면 전극으로 구성되어 있다. 제 1 외층 전극으로부터 세어, 기수번째의 내층 전극은 제 2 측면 전극에 직접 접속하고, 우수번째의 내층 전극은 제 1 측면 전극에 직접 접속한다. 내층 전극이 전부 기수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 1 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하고, 내층 전극이 전부로 우수개의 경우에는 제 2 외층 전극과 제 2 측면 전극이 직접 전기적으로 접속하는 구성이다. 상기 구성에 있어서, 내층 전극이 제 1 측면 전극 또는 제 1 및 제 2 측면 전극에 접속하는 부분의 두께를 다른 부분의 두께보다 두껍게 형성함으로써, 장기적인 접속 신뢰성에 우수하고, 또한 면 실장 대응이 가능한 칩형 PTC 서미스터를 제공할 수 있다.