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1. 发明公开

KR1019990083384A 반도체 레이저 소자 失效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1019990083384A
公开(公告)日：1999-11-25
申请号：KR1019990014332
申请日：1999-04-22
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 가미야마사토시 , 구메마사히로 , 미야나가료코 , 기도구치이사오 , 반유자부로 , 스지무라아유무 , 하세가와요시아키 , 이시바시아키히코
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34333
摘要： 본발명은자외영역에서도발진가능한반도체레이저소자를실현할수 있도록하는것과함께소자의신뢰성향상을도모하기위한것으로, 사파이어로이루어지는기판(11) 상에 GaN으로이루어지는버퍼층(12)과실리콘(Si)이도프된 n형 GaN으로이루어지는 n형컨택트층(13)이차례로형성되어있다. n형컨택트층 (13) 상의소자형성영역에는 n형 AlGaN으로이루어지는 n형클래드층 (14), n형 AlGaN으로이루어지는 n형광가이드층(15), AlGaN으로이루어지는웰층및 AlGaN으로이루어지는장벽층이번갈아적층되어이루어지는다중양자웰활성층(16)과, 마그네슘(Mg)이도프된 p형 AlGaN으로이루어지는 p형광가이드층(17)과, p형 AlGaNP로이루어지는 p형클래드층(18), p형 GaN으로이루어지는 p형컨택트층 (19)이차례로형성되어있다.

2. 发明公开

KR1020080023139A 반도체레이저장치 无效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020080023139A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：KR1020070089493
申请日：2007-09-04
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 다카야마도루 , 사토도모야 , 하야카와고이치 , 기도구치이사오
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/14
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
摘要： A semiconductor laser device is provided to repress saturation of a light emitting efficiency in a high output operating state to be saturated. A semiconductor laser device includes a first light emitting unit and a second emitting unit having a same resonator length formed on a substrate. The first light emitting unit and the second emitting unit have a first clad layer of a first conductive type, an active layer(13,23) formed on the first clad layer, and a second clad layer of a second conductive type. The first light emitting unit and the second emitting unit are a stripe structure. The stripe structure of the first emitting unit have a width varied along to a resonator direction. The stripe structure of the second emitting unit have a width varied along to the resonator direction. A length of a wavelength of the first light emitting unit is longer than that of the wavelength of the second light emitting unit.
摘要翻译：提供一种半导体激光装置，以在高输出操作状态下抑制发光效率的饱和，使其饱和。半导体激光器件包括第一发光单元和具有形成在基板上的相同谐振器长度的第二发光单元。第一发光单元和第二发光单元具有第一导电类型的第一覆盖层，形成在第一覆盖层上的有源层（13,23）和第二导电类型的第二覆盖层。第一发光单元和第二发光单元是条纹结构。第一发光单元的条纹结构具有沿谐振器方向变化的宽度。第二发光单元的条纹结构具有沿谐振器方向变化的宽度。第一发光单元的波长长度比第二发光单元的波长长。

3. 发明公开

KR1020010075149A 질화물 반도체소자의 제조방법 无效
标题翻译：制造氮化物半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020010075149A
公开(公告)日：2001-08-09
申请号：KR1020017003409
申请日：1999-09-16
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 기도구치이사오 , 이시바시아키히코 , 구메마사히로 , 반유자부로 , 가미야마사토시
IPC分类号： H01S5/323
摘要： 우선 기판온도를 1020℃로 하고, 사파이어로 이루어지는 기판(11) 상에 n형 Al
0.1 Ga
0.9 N으로 이루어지는 n형 클래드층(14)과, n형 GaN으로 이루어지는 n형 광 가이드층(15), 및 이 n형 광 가이드층(15) 구성원자의 재증발을 억제하여 n형 광 가이드층(15)의 표면 평탄성을 유지하는 n형 Al
0.2 Ga
0.8 N으로 이루어지는 평탄성 유지층(16)을 순차 성장시킨다. 다음으로 Ⅲ족 원료가스의 공급을 정지하고 기판온도를 780℃까지 내림과 동시에 캐리어가스를 수소가스에서 질소가스로 변경하고, 그 후 V족 원료로 NH
3 , Ⅲ족 원료로 TMI와 TMG를 선택적으로 도입함으로써 다중 양자웰 구조를 갖는 활성층(17)을 성장시킨다.

4. 发明公开

KR1020070035431A 릿지-스트라이프 반도체 레이저 无效
标题翻译： RIDGE-STRIPE SEMICONDUCTOR激光
公开(公告)号：KR1020070035431A
公开(公告)日：2007-03-30
申请号：KR1020060092943
申请日：2006-09-25
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이토게이지 , 기도구치이사오 , 야지마히로요시
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/2206 , H01L21/20 , H01S5/028 , H01S5/1028
摘要： 적층 합성물은 기판 위에 놓인 제 1 도전형 클래딩층; 상기 제 1 도전형 클래딩층 위에 쌓인 액티브층; 및 상기 액티브층 위에 쌓인 릿지-타입 제 2 도전형 클래딩층을 포함한다. 한 쌍의 필름이 적층 방향을 따라 서로 대향하도록 적층 합성물의 양단에 배치된다. 한 쌍의 필름은 서로 다른 분광 반사율을 갖도록 형성된다. 공진기 구조는 적층 합성물과 한 쌍의 필름으로 형성된다. 공진기의 길이방향에서, 한 쌍의 필름 중 더 작은 분광 반사율을 갖는 필름을 갖는 측이 전방 측이고, 다른 필름을 갖는 측이 후방 측일 때, 적층 합성물은 광 구속률이 후방 측에서보다 전방 측에서 더 작아지도록 구성된다.
공진기, 막, 클래딩층, 분광 반사율, 양단, 광 구속률

5. 发明授权

KR100603681B1 반도체 레이저 소자 失效
标题翻译：半导体激光装置
公开(公告)号：KR100603681B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1019990014332
申请日：1999-04-22
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 가미야마사토시 , 구메마사히로 , 미야나가료코 , 기도구치이사오 , 반유자부로 , 스지무라아유무 , 하세가와요시아키 , 이시바시아키히코
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/343 , H01S5/34333
摘要： 본 발명은 자외영역에서도 발진 가능한 반도체 레이저 소자를 실현할 수 있도록 하는 것과 함께 소자의 신뢰성 향상을 도모하기 위한 것으로, 사파이어로 이루어지는 기판(11) 상에 GaN으로 이루어지는 버퍼층(12)과 실리콘(Si)이 도프된 n형 GaN으로 이루어지는 n형 컨택트층(13)이 차례로 형성되어 있다. n형 컨택트층 (13) 상의 소자 형성영역에는 n형 Al
0.3 Ga
0.7 N으로 이루어지는 n형 클래드층 (14), n형 Al
0.25 Ga
0.75 N으로 이루어지는 n형 광가이드층(15), Al
0.2 Ga
0.8 N으로 이루어지는 웰층 및 Al
0.25 Ga
0.75 N으로 이루어지는 장벽층이 번갈아 적층되어 이루어지는 다중양자웰 활성층(16)과, 마그네슘(Mg)이 도프된 p형 Al
0.25 Ga
0.75 N으로 이루어지는 p형 광가이드층(17)과, p형 Al
0.4 Ga
0.6 N
0.98 P
0.02 로 이루어지는 p형 클래드층(18), p형 GaN으로 이루어지는 p형 컨택트층 (19)이 차례로 형성되어 있다.
摘要翻译：由GaN和硅（Si）构成的缓冲层（12）堆叠在由蓝宝石制成的衬底（11）上，缓冲层（12）并且顺序地形成由掺杂的n型GaN制成的n型接触层13。在n型接触层13上的元件形成区域中形成n型Al

6. 发明公开

KR1020090031506A 반도체 레이저장치 无效
标题翻译：半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020090031506A
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：KR1020087028788
申请日：2007-06-19
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 사토도모야 , 다카야마도루 , 하야카와고이치 , 기도구치이사오
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
摘要： A semiconductor laser device (100) having a ridge-stripe structure comprises an n-type clad layer (105) having a protrusion, and an n-type current block layer (107) covering the clad layer excluding the upper surface of the protrusion. Assuming the width of the upper surface is W, the distance between front and rear cleavage planes is L, the width of the upper surface in the front cleavage plane is Wf, and the width of the upper surface in the rear cleavage plane is Wr, the following relation is satisfied; Wf>Wr. Within the range of distance L/2 from the front cleavage plane, area Sc occupied by the upper surface falls within the following range; L/8x(3Wf+Wr)
摘要翻译：具有脊条结构的半导体激光器件（100）包括具有突起的n型覆盖层（105）和覆盖该突起的上表面以外的覆盖层的n型电流阻挡层（107）。假设上表面的宽度为W，前后解理面间的距离为L，前解理面的上表面的宽度为Wf，后解理面的上表面的宽度为Wr，满足以下关系： WF> Wr的。在与前解理面的距离L / 2的范围内，由上表面占据的面积Sc落在以下范围内; L / 8×（3WF + WR）<钪<= L / 2xWf。在上述范围内的任意位置，W落在以下范围内; 1/2（Wf的+ WR）

7. 发明公开

KR1020080014661A 반도체레이저장치 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体激光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080014661A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020070080177
申请日：2007-08-09
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 다카야마도루 , 사토도모야 , 하야카와고이치 , 기도구치이사오
IPC分类号： H01S5/00 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
摘要： A semiconductor laser device is provided to simplify a manufacturing process and reduce loss of waveguide by forming a red-light-emission portion and an infrared-light-emission portion are provided on a single substrate. A semiconductor laser device includes a red emitting part and an infrared emitting part formed on a same substrate(10). The red emitting part has a double hetero structure with a first clad layer(12) and a second clad layer(22). The first clad layer made of the AlGaInP-based material of a first conductive type has a red-side stripe for injecting current. A red-side active layer(13) is inserted in the double hetero structure. The infrared emitting part has a double hetero structure with a third clad layer(14) and a fourth clad layer(24). The third clad layer made of the AlGaInP-based material of a second conductive type has an infrared-side stripe for injecting current. An infrared-side active layer(23) is inserted in the double hetero structure.
摘要翻译：提供一种半导体激光器件，以简化制造工艺并通过形成红色发光部分减少波导损耗，并且在单个基板上设置红外发光部分。半导体激光器件包括形成在同一衬底（10）上的红色发射部分和红外发射部分。红色发射部分具有双异质结构，其具有第一覆盖层（12）和第二覆盖层（22）。由第一导电类型的AlGaInP基材料制成的第一覆盖层具有用于注入电流的红色侧条纹。在双异质结构中插入红色侧活性层（13）。红外发射部分具有双异质结构，具有第三覆层（14）和第四覆层（24）。由第二导电类型的AlGaInP基材料制成的第三覆层具有用于注入电流的红外线条纹。在双异质结构中插入红外线有源层（23）。

8. 发明公开

KR1019990087508A 반도체 레이저 失效
公开(公告)号：KR1019990087508A
公开(公告)日：1999-12-27
申请号：KR1019980706939
申请日：1997-03-03
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아다치히데토 , 기도구치이사오 , 구마부치야스히토
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 반도체 레이저가, 활성층과 포화 가능 흡수층을 적어도 구비하고, 상기 포화 가능 흡수층에서의 압축 변형량은 상기 활성층에서의 압축 변형의 값보다도, 약 0.3% 혹은 그 이상 커지도록 설정되어 있다. 혹은, 반도체 레이저가, 활성층과 포화 가능 흡수층과 상기 포화 가능 흡수층의 근방에 배치된 광가이드층을 적어도 구비하며, 상기 포화 가능 흡수층에서의 압축 변형량은 상기 활성층에서의 압축 변형의 값보다도, 약 0.3% 혹은 그 이상 크다.

9. 发明公开

KR1019990063946A 반도체 레이저 및 이 반도체 레이저를 이용한 광디스크 장치 失效
标题翻译：半导体激光器和使用该半导体激光器的光盘装置
公开(公告)号：KR1019990063946A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980702419
申请日：1996-09-17
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 기도구치이사오 , 아다치히데토 , 마노흐마사야 , 프크히사도시야 , 다카모리아키라
IPC分类号： H01S5/30
摘要： n형 GaAs 기판(701)상에, n형 GaAs 버퍼층(702), AlGaInP의 n형 클래드층(703), AlGaInP 및 GaInP로 이루어지는 다중 양자 우물 구조의 활성층(704), p형의 AlGaInP로 이루어지는 제 1 p형 클래드층(705a), 광가이드층(707),제 2 p형 클래드층(705b), p형의 GaInP로 이루어지는 가포화 흡수층(706), AlGaInP로 이루어지는 제 3 p형 클래드층(707)이 순차적으로 형성되어 있다. 본 구조에는, 가포화 흡수층의 부피를 작게 함과 동시에 광가이드층을 설치하고 있다. 가포화 흡수층의 부피를 작게 할수록, 캐리어 밀도를 용이하게 올릴 수 있으며, 포화 상태로 되기 쉽고, 가포화 흡수의 효과가 현저하게 된다. 이것에 의해, 안정한 자려 발진 특성이 얻어지며, 그 결과, 상대 잡음 강도가 낮은 반도체 레이저를 실현할 수 있다.

10. 发明授权

KR100329310B1 반도체 레이저 失效
公开(公告)号：KR100329310B1
公开(公告)日：2002-10-19
申请号：KR1019980706939
申请日：1997-03-03
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아다치히데토 , 기도구치이사오 , 구마부치야스히토
IPC分类号： H01S5/30
摘要： 반도체 레이저가, 활성층과 포화 가능 흡수층을 적어도 구비하고, 상기 포화 가능 흡수층에서의 압축 변형량은 상기 활성층에서의 압축 변형의 값보다도, 약 0.3% 혹은 그 이상 커지도록 설정되어 있다. 혹은, 반도체 레이저가, 활성층과 포화 가능 흡수층과 상기 포화 가능 흡수층의 근방에 배치된 광가이드층을 적어도 구비하며, 상기 포화 가능 흡수층에서의 압축 변형량은 상기 활성층에서의 압축 변형의 값보다도, 약 0.3% 혹은 그 이상 크다.

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