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1. 发明授权

KR102257456B1 반도체 패키지 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102257456B1
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：KR1020190001626
申请日：2019-01-07
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 페이하오-잔 , 린시우-젠 , 첸웨이-유 , 충필립유-슈안 , 쳉치아-쉔 , 후앙쿠에이-웨이 , 시에칭-후아 , 리우충-쉬 , 유첸-후아
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/525

2. 发明授权

KR102080881B1 하이브리드 상호연결 디바이스 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102080881B1
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：KR1020180060358
申请日：2018-05-28
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 유첸-후아 , 창치-치에 , 왕추에이-탕 , 시아싱-쿠오 , 리아오유-쿠앙
IPC分类号： G02B6/122 , G02B6/12

3. 发明授权

KR102051056B1 캐비티를 갖는 ＴＩＶ를 포함한 ＩｎＦＯ-ＰＯＰ 구조물 有权
公开(公告)号：KR102051056B1
公开(公告)日：2019-12-02
申请号：KR1020180038010
申请日：2018-04-02
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 린징-쳉 , 유첸-후아 , 차이포-하오
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/485

4. 发明授权

KR101853537B1 3차원 칩 스택킹의 방법 및 구조체 有权
标题翻译： 3D芯片堆叠的方法和结构
公开(公告)号：KR101853537B1
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR1020160022605
申请日：2016-02-25
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 유첸-후아 , 린융-치 , 치후웬-치
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/29 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L23/525 , H01L21/324
CPC分类号： H01L25/50 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L23/3157 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/0652 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162
摘要： 방법은제1 캐리어위에제1 복수의디바이스다이를배치하는단계를포함하고, 제1 복수의디바이스및 제1 캐리어는조합하여제1 복합웨이퍼를형성한다. 제1 복합웨이퍼는제2 웨이퍼에본딩되고, 제1 복수의디바이스다이는하이브리드본딩을통해제2 웨이퍼에서의제2 복수의디바이스다이에본딩된다. 방법은또한제1 복수의디바이스다이로부터제1 캐리어를디본딩하는단계, 제1 복수의디바이스다이를밀봉재료내에밀봉하는단계, 및제1 복수의디바이스다이및 밀봉재료위에상호연결구조체를형성하는단계를포함한다.

5. 发明公开

KR1020170015053A 패키지 또는 디바이스 구조체 상의 SMD/IPD 및 형성 방법 审中-实审
标题翻译： SMD / IPD SMD / IPD封装或器件结构及其形成方法
公开(公告)号：KR1020170015053A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150153040
申请日：2015-11-02
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시에쳉-시엔 , 첸시엔-웨이 , 우웨이-쳉 , 예더-챵 , 우치-시 , 유첸-후아
IPC分类号： H01L25/11 , H01L25/07 , H01L23/28 , H01L23/532 , H01L23/525 , H01L23/488
CPC分类号： H01L25/105 , H01L21/568 , H01L24/19 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2225/1041 , H01L2924/18162
摘要： 패키지구조체및 그형성방법이설명되어있다. 일실시예에서, 패키지구조체는, 봉합제내에임베드되는집적회로다이와봉합제상에있는재분배구조체를포함한다. 재분배구조체는봉합제및 집적회로다이로부터먼 쪽에있는금속화층, 및봉합제와집적회로다이로부터먼 쪽에있고금속화층 상에있는유전체층을포함한다. 패키지구조체는또한유전체층상에있는제1 언더금속화구조체및 제1 언더금속화구조체에부착되는표면실장디바이스및/또는집적수동디바이스("SMD/IPD")를포함한다. 제1 언더금속화구조체는, 유전체층의제1 내지제4 개구를통해금속화층의제1 내지제4 패턴으로연장되는제1 내지제4 연장부를포함한다. 제1 개구, 제2 개구, 제3 개구, 및제4 개구는물리적으로서로분리되어있다.
摘要翻译：描述了包装结构及其形成方法。在一个实施例中，封装结构包括嵌入密封剂中的集成电路管芯和密封剂上的再分配结构。再分配结构包括远离密封剂和集成电路管芯的金属化层，以及远离密封剂和集成电路管芯以及金属化层的电介质层。封装结构还包括在电介质层上的第一下金属化结构和附接到第一下金属化结构的表面贴装器件和/或集成无源器件（“SMD / IPD”）。第一下金属化结构包括分别延伸穿过介电层的第一至第四开口的第一至第四延伸部分，分别延伸到金属化层的第一至第四图案。第一开口，第二开口，第三开口和第四开口在物理上彼此分离。

6. 发明公开

KR1020140110695A 3차원적인 패키지들 및 그 형성 방법들 有权
标题翻译： 3D包装及其形成方法
公开(公告)号：KR1020140110695A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020130099523
申请日：2013-08-22
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 창친-추안 , 린징-쳉 , 유첸-후아
IPC分类号： H01L23/34
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/147 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/367 , H01L23/481 , H01L23/49541 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49872 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/06137 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/92224 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： A package includes an interposer, which includes: a first substrate which does not have through-vias therein; redistribution lines over the first substrate; and a plurality of first connectors electrically coupled to the redistribution lines on the redistribution lines. A first die is bonded to the first connectors by being located on the first connectors. The first die includes: a second substrate; and through-vias in the second substrate. A second die is bonded to the connectors by being located on the connectors. The first die and the second die are electrically coupled to each other by the redistribution lines. A plurality of second connectors is located on the first die and the second die. The second plurality of connectors is electrically coupled to the first connectors by the through-vias in the second substrate.
摘要翻译：一种封装，包括：插入件，其包括：第一基板，其中不具有通孔; 在第一衬底上的再分布线; 以及多个第一连接器，电连接到再分配线上的再分配线。第一模具通过位于第一连接器上而结合到第一连接器。第一模具包括：第二基板; 和第二基板中的通孔。第二个模具通过位于连接器上而连接到连接器上。第一管芯和第二管芯通过再分配线彼此电耦合。多个第二连接器位于第一管芯和第二管芯上。第二多个连接器通过第二基板中的通孔而电耦合到第一连接器。

7. 发明公开

KR1020140026241A 3차원 집적 회로 적층을 위한 캐리어 휨 제어 有权
标题翻译：三维集成电路（3DIC）堆叠的载体保温控制
公开(公告)号：KR1020140026241A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020130072150
申请日：2013-06-24
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 린징-첸 , 린시팅 , 유첸-후아
IPC分类号： H01L23/14 , H01L23/12 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2924/141 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/18161 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： In the embodiment, a method of forming a package-on-package (PoP) device includes a step of temporally mounting a carrier on a substrate, a step of stacking a first die on the substrate, and a step of stacking a second die on the first die. The coefficient of thermal expansion of a first die or/and the substrate mismatches that of a carrier. The substrate can be formed as one among an organic substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a glass substrate, and a laminate substrate
摘要翻译：在本实施例中，形成封装封装（PoP）器件的方法包括：将衬底上的载体暂时安装在衬底上的步骤，将第一裸片堆叠在衬底上的步骤以及将第二裸片堆叠的步骤第一个死亡第一管芯或/和衬底的热膨胀系数与载流子的热膨胀系数失配。衬底可以形成为有机衬底，陶瓷衬底，硅衬底，玻璃衬底和层压衬底之一

8. 发明公开

KR1020120000483A 임베디드 3Ｄ 인터포저 구조물 有权
标题翻译：嵌入式3D插件结构
公开(公告)号：KR1020120000483A
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020100107140
申请日：2010-10-29
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시잉칭 , 린징청 , 치우웬-치 , 젱신푸 , 유첸-후아
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L2224/04105 , H01L2224/11002 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/2518 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H05K1/0306 , H05K1/185 , H05K3/4007 , H05K2203/016 , H05K2203/025 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2224/16145 , H01L2924/00012
摘要： PURPOSE: An embedded 3d interposer structure with an interposer is provided to improve the electrical operation property of a three-dimensional integrated circuit by electrically connecting a tear-1 die to a metal bump which is electrically connected to TSVs(Through-Substrate Vias). CONSTITUTION: One or more dielectric layers(18) are formed on a substrate(10). A plurality of TSVs(Through-Substrate Vias)(20) passes through the substrate. An interposer includes the first metal bum within the dielectric layer and a second metal bump on the dielectric layer. A first die is attached to the first metal bump through an adhesive. RDLs(Redistribution Lines)(12) are electrically connected to the TSVs. An insulating layer(21) is formed to electrically insulate the TSVs from the substrate.
摘要翻译：目的：提供具有插入器的嵌入式3D插入器结构，以通过将泪液1晶片与电连接到TSV（穿透基板通孔）的金属凸块电连接来改善三维集成电路的电操作特性。构成：在衬底（10）上形成一个或多个电介质层（18）。多个TSV（穿透基板通孔）（20）穿过基板。插入件包括电介质层内的第一金属烧结体和介电层上的第二金属凸块。第一模具通过粘合剂附接到第一金属凸块。 RDL（再分配线）（12）电连接到TSV。形成绝缘层（21）以使TSV与基板电绝缘。

9. 发明公开

KR1020070034969A 서비스 수명 검출 능력의 한계를 갖는 타겟을 이용하는방법 有权
标题翻译：一种使用具有服务寿命检测能力的限制的目标的方法
公开(公告)号：KR1020070034969A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020060093549
申请日：2006-09-26
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시아오이-리 , 유첸-후아 , 왕젠 , 쉬유로렌스
IPC分类号： H01L21/203
CPC分类号： C23C14/3414 , H01L21/67242
摘要： 본 발명은 공정 툴에 의해 사용되는 소모성 재료 슬랩의 수명을 검출하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 상기 방법 및 시스템에 있어서, 상기 소모성 재료 슬랩에는 적어도 하나의 표시기가 제공된다. 상기 공정 툴의 동작 중 상기 적어도 하나의 표시기와 연관된 검출기에 의해 발생된 값이 경고 세팅값과 동일한가, 상기 경고 세팅값과 경보 세팅값 사이에 있는가, 경보 세팅값과 동일하거나 상기 경보 세팅값 이상인지의 여부에 대한 결정이 이루어진다. 제 1 경고는 신호의 값이 경고 세팅값과 동일하거나 상기 경고 세팅값과 상기 경보 세팅값 사이에 있으면 제공되고, 상기 제 1 경고는 상기 소모성 재료 슬랩이 상기 소모성 재료 슬랩의 원래의 양보다 작은 소정의 양에 접근하는 것을 나타낸다. 제 2 경고는 상기 신호의 값이 상기 경고 세팅값과 상기 경보 세팅값 사이에 있으면 제공되고, 상기 제 2 경고는 상기 소모성 재료 슬랩이 상기 소정의 양에 도달하는 것을 나타낸다. 경보는 상기 신호의 값이 상기 경보 세팅값과 동일하거나 상기 경보 세팅값 위에 있으면 제공되고, 상기 경보는 상기 소모성 재료 슬랩이 상기 미리 정해진 양에 접근하거나 상기 미리 정해진 양으로 감소된 것을 나타낸다.
공정 툴, 소모성 재료, 표시기, 경고 세팅값, 경보 세팅값, 제 1 경고
摘要翻译：本发明涉及用于检测由加工工具使用的消耗材料板的寿命的方法和系统。在该方法和系统中，消耗材料板设置有至少一个指示器。通过与所述至少一个指示符的处理工具的操作或等于警报设定值时，警告设定值和报警设定值之间存在，是否相同报警设定值或超过报警设定值相关联的检测器发生的值，确定。其中，如果信号值等于或小于警告设定值并且如果消耗材料板小于消耗材料板的原始量，则提供第一警告， Lt。如果信号值介于警告设定值和警报设定值之间，则提供第二警告，第二警告表示消耗材料板已达到预定量。如果信号的值等于或高于报警设定值，则报警被提供，并且报警指示消耗材料板接近预定量或减少到预定量。

10. 发明公开

KR1020070034955A 서비스 수명 검출 능력에 한계가 있는 피브이디 타겟 有权
标题翻译： 서비스수명검출능력에한계가있는피브이디타
公开(公告)号：KR1020070034955A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020060092880
申请日：2006-09-25
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시아오이-리 , 황제리 , 쉐우지-청 , 쉬유로렌스 , 왕젠 , 유첸-후아
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/02
CPC分类号： C23C14/54 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3435 , H01J37/3479 , H01J37/3482
摘要： A PVD target structure for use in physical vapor deposition. The PVD target structure includes a consumable slab of source material and one or more detectors for indicating when the slab of source material is approaching or has been reduced to a given quantity representing a service lifetime endpoint of the target structure.
摘要翻译：用于物理气相沉积的PVD目标结构。 PVD目标结构包括源材料的可消耗板和一个或多个检测器，用于指示何时源材料板接近或已经减少到表示目标结构的使用寿命终点的给定量。

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