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1. 发明授权

KR101345893B1 바이어스 웰을 갖는 고전압 저항 有权
标题翻译：高压电阻器
公开(公告)号：KR101345893B1
公开(公告)日：2013-12-30
申请号：KR1020110075243
申请日：2011-07-28
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 수루-이 , 양후-치 , 챠이천린 , 쳉치-창 , 리우루이-신
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/20 , H01L27/0207 , H01L27/0802
摘要： 고전압 반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 반대로 도핑된 기판에 위치하는 도핑 웰을 포함한다. 반도체 장치는 도핑 웰 상에 배치되는 유전체 구조물을 포함한다. 유전체 구조물에 인접하는 도핑 웰의 일부는 도핑 웰의 나머지 부분보다 더 높은 도핑 농도를 갖는다. 반도체 장치는 유전체 구조물 상에 배치되는 길쭉한 폴리실리콘 구조물을 포함한다. 길쭉한 폴리실리콘 구조물은 길이(L)를 갖는다. 유전체 구조물에 인접하는 도핑 웰의 일부는 길쭉한 폴리실리콘 구조물을 따라 측정된 소정의 거리만큼 길쭉한 폴리실리콘 구조물의 중간점으로부터 떨어져 위치하는 길쭉한 폴리실리콘 구조물의 세그먼트에 전기적으로 결합된다. 소정의 거리는 약 0*L 내지 0.1*L의 범위 내에 있다.

2. 发明授权

KR102238303B1 고전압 접합 종단(HVJT) 디바이스와 고전압 금속 산화물 반도체(HVMOS) 디바이스의 집적 有权
公开(公告)号：KR102238303B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020180080990
申请日：2018-07-12
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 무루케산카르식 , 첸이-민 , 치우이-쳉 , 린훙-츄 , 린시우안-젱 , 우쿠오-밍 , 치앙웬-치 , 후오커-시아오 , 수루-이 , 첸포-치 , 차이춘린
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/10
摘要： 본원의다양한실시형태는고전압금속산화물반도체(HVMOS) 디바이스를고전압접합종단(HVJT) 디바이스와집적한집적회로(IC)에관한것이다. 일부실시형태에있어서, 제1 드리프트웰 및제2 드리프트웰이기판내에있다. 제1 및제2 드리프트웰은링형패턴으로경계를이루고, 제1 도핑타입을갖는다. 주변웰이기판내에있고제1 도핑타입과는반대의제2 도핑타입을갖는다. 주변웰은제1 및제2 드리프트웰을둘러싸서분리시킨다. 바디웰이기판내에있고제2 도핑타입을갖는다. 또한, 바디웰은제1 드리프트웰 위에배치되고, 제1 드리프트웰에의해주변웰과이격된다. 게이트전극이제1 드리프트웰과바디웰 사이의접합부위에배치된다.

3. 发明授权

KR101802629B1 반도체 구조체 有权
公开(公告)号：KR101802629B1
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：KR1020160013826
申请日：2016-02-04
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 콴만호 , 야오푸-웨이 , 수루-이 , 차이춘린 , 칼니츠키알렉산
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/26546 , H01L21/761 , H01L21/76898 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L29/0646 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/866
摘要： 일부실시예에서, 반도체구조체는제1 디바이스및 제2 디바이스를포함한다. 제1 디바이스는제1 표면을가진다. 제1 디바이스는제1 재료체계에의해정의되는제1 활성영역을포함한다. 제2 디바이스는제2 표면을가진다. 제2 표면은제1 표면과동일평면에있다. 제2 디바이스는제2 재료체계에의해정의되는제2 활성영역을포함한다. 제2 재료체계는제1 재료체계와서로다르다.

4. 发明公开

KR1020170051122A 반도체 구조체 有权
标题翻译：半导体结构
公开(公告)号：KR1020170051122A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020160013826
申请日：2016-02-04
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 콴만호 , 야오푸-웨이 , 수루-이 , 차이춘린 , 칼니츠키알렉산
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L21/02381 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/26546 , H01L21/761 , H01L21/76898 , H01L21/8258 , H01L23/535 , H01L27/0605 , H01L27/0688 , H01L29/0646 , H01L29/16 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/866
摘要： 일부실시예에서, 반도체구조체는제1 디바이스및 제2 디바이스를포함한다. 제1 디바이스는제1 표면을가진다. 제1 디바이스는제1 재료체계에의해정의되는제1 활성영역을포함한다. 제2 디바이스는제2 표면을가진다. 제2 표면은제1 표면과동일평면에있다. 제2 디바이스는제2 재료체계에의해정의되는제2 활성영역을포함한다. 제2 재료체계는제1 재료체계와서로다르다.
摘要翻译：在一些实施例中，半导体结构包括第一器件和第二器件。第一个装置具有第一表面。第一器件包括由第一材料方案定义的第一有源区。第二装置具有第二表面。第二个表面与第一个表面共面。第二器件包括由第二材料方案定义的第二有源区。第二种材料系统与第一种材料系统不同。

5. 发明公开

KR1020120125139A 바이어스 웰을 갖는 고전압 저항 有权
标题翻译：高压电阻器
公开(公告)号：KR1020120125139A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110075243
申请日：2011-07-28
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 수루-이 , 양후-치 , 챠이천린 , 쳉치-창 , 리우루이-신
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/20 , H01L27/0207 , H01L27/0802
摘要： PURPOSE: A high voltage resistance having a bias well is provided to performance of a resistance by combining a doping well with a segment which is arranged between a first terminal and a second terminal. CONSTITUTION: A first doping well is formed on a substrate(22). A dielectric structure is formed on the first doping well(24). A long resistance is formed on the dielectric structure(26). The long resistance comprises a first terminal and a second terminal. A wiring structure is formed on the long resistance(28). The wiring structure combines the first doping well with a segment. The segment is arranged between the first terminal and the second terminal. [Reference numerals] (22) A first doping well is formed on a substrate; (24) A dielectric structure is partially formed on the first doping well; (26) A long resistance is formed on the first doping well and the long resistance comprises a first terminal and a second terminal; (28) A wiring structure is formed on the long resistance and the wiring structure is combined with a segment of the long resistance arranged between the first terminal and the second terminal; (AA) Start; (BB) End
摘要翻译：目的：通过将掺杂井与布置在第一端子和第二端子之间的段组合来提供具有偏置阱的高电压电阻以实现电阻。构成：在衬底（22）上形成第一掺杂阱。在第一掺杂阱（24）上形成电介质结构。在电介质结构（26）上形成长电阻。长电阻包括第一端子和第二端子。在长电阻（28）上形成布线结构。布线结构将第一个掺杂井与一段相结合。该段设置在第一端子和第二端子之间。（22）在衬底上形成第一掺杂阱; （24）在第一掺杂阱上部分地形成电介质结构; （26）在第一掺杂阱上形成长电阻，长电阻包括第一端子和第二端子; （28）在长电阻上形成布线结构，并且布线结构与布置在第一端子和第二端子之间的长电阻的部分组合; （AA）开始; （BB）结束

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