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1. 发明授权

KR101574311B1 근접 및 조도 감지를 위한 통합 픽셀 구조를 가지는 센서 有权
标题翻译：具有用于检测近摄和环境光的组合像素结构的传感器
公开(公告)号：KR101574311B1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020130103679
申请日：2013-08-30
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： G01J1/04
摘要： 근접및 조도감지를위한통합픽셀구조를가지는센서가개시된다. 상기센서는, 복수의근접감지용픽셀들이형성되는근접감지용픽셀영역; 및상기근접감지용픽셀영역의내측에형성되고, 액티브픽셀영역및 레퍼런스픽셀영역을포함하여구성되는조도감지용픽셀쌍(pair)을포함한다.

2. 发明授权

KR101360849B1 씨모스 이미지 센서 有权
标题翻译： CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR101360849B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020120099792
申请日：2012-09-10
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H04N5/359 , H04N5/374 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： A CMOS image sensor is disclosed. The CMOS image sensor includes a photodiode area generating and accumulating a charge corresponding to incident light by being formed in a P conductive semiconductor substrate and an OFD active area formed in the P conductive semiconductor substrate to be separated from the photodiode area to the side and discharging the excessive charges generated in the photodiode area to the outside. An NPN transistor can be formed in the active photodiode area, the P conductive semiconductor substrate, and the OFD active area.
摘要翻译：公开了CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器包括：通过形成在P导电半导体衬底中的P导电半导体衬底和形成在P导电半导体衬底中的与OFI区域分离的OFD有源区域而产生并累积与入射光相对应的电荷的光电二极管区域，在光电二极管区域内产生的过量电荷到外部。可以在有源光电二极管区域，P导电半导体衬底和OFD有源区域中形成NPN晶体管。

3. 发明授权

KR101246141B1 광역 동적범위를 가지는 이미지 센서의 화소 회로 및 그 구동 방법 有权
标题翻译：具有宽动态范围的图像传感器的像素电路及其驱动方法
公开(公告)号：KR101246141B1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：KR1020110040895
申请日：2011-04-29
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 홍희정 , 신현택
IPC分类号： H04N5/355 , H01L27/146 , H04N5/363
摘要： 광역 동적범위(Wide Dynamic Range)를 가지는 이미지 센서의 화소 회로 및 그 구동 방법이 개시된다. 이미지 센서의 화소 회로 구동방법은, 제1 축적시간 동안 포토 다이오드에 1회차 광전하를 생성하여 축적하는 단계, 상기 1회차 광전하를 상기 포토 다이오드로부터 제1 부유 확산 영역을 거쳐 제2 부유 확산 영역으로 전송하는 단계, 제2 축적시간 동안 상기 포토 다이오드에 2회차 광전하를 생성하여 축적하는 단계 및 상기 제1 부유 확산 영역의 리셋 전위를 가변시켜 상기 제1 부유 확산 영역을 통해 상기 1회차 광전하 및 상기 2회차 광전하가 독출되도록 하는 단계를 포함하되, 상기 제1 축적시간 및 상기 제2 축적시간은 하나의 영상 프레임을 위한 단위 노출 시간 내에 포함될 수 있다. 부유 확산 영역의 리셋 전위를 가변시킴으로써 1회차 데이터의 축적 시 혹은 1회차 데이터가 저장된 가운데 2회차 데이터의 축적 시 부유 확산 영역으로 발생하는 전류 누설 및/또는 블루밍 현상을 제거할 수 있다.
摘要翻译：公开了具有宽动态范围的图像传感器的像素电路及其驱动方法。图像传感器的像素电路的驱动方法包括：累加以产生光电荷，在第一轮通过所述第一浮动扩散区中的光电荷从光电二极管区域到光电二极管上的第二浮动扩散的第一累积时间第一轮步骤发送，所述方法包括：存储在所述第二累积时间，以产生在光电二极管的第二轮的光电荷，并且所述第一通过改变扩散区的复位电势悬浮，其中，所述在所述第一浮动扩散区的第一轮的光电荷并且读出第二光量，其中第一累积时间和第二累积时间可以被包括在一个图像帧的单位曝光时间内。通过改变浮动扩散区的复位电势可以是第一轮或第二轮数据的数据存储漏电流的和/或由光晕中所存储的数据的中心的浮置扩散区引起的期间积累的第一轮移除。

4. 发明授权

KR101209506B1 이미지 센서 및 그 동작 방법 失效
标题翻译： CMOS图像传感器及其操作方法
公开(公告)号：KR101209506B1
公开(公告)日：2012-12-07
申请号：KR1020110035763
申请日：2011-04-18
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/357 , H04N5/359 , H04N5/374
摘要： 이미지센서및 그동작방법이개시된다. 이미지센서는, 복수의단위픽셀을포함하는액티브픽셀센서어레이영역; 및디지털블록을포함하되, 각단위픽셀은상기디지털블록으로부터입력되는구동신호에따라데이터전위및 레퍼런스전위의순서로픽셀신호를상기디지털블록으로출력한다. 본발명에의해, 흑태양현상의방지를위해이용되던클램프회로를제거함으로써칩 면적을감소시킬수 있고, 칩면적의감소로인해생산성을증가시킬수 있다.

5. 发明公开

KR1020100071257A 이미지 센서 有权
标题翻译：图像传感器
公开(公告)号：KR1020100071257A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080129906
申请日：2008-12-19
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14607 , H01L27/14612
摘要： PURPOSE: An image sensor is provided to suppress image deterioration by reducing a dead zone due to image lagging. CONSTITUTION: A transmission transistor is formed on a semiconductor substrate. A photodiode region is formed on one side of the transmission transistor. The photodiode region includes a first ion implantation region(510a,510b,510c,510d) and a second ion implantation region(520). The first ion implantation region has a taper shape. A floating diffusion node is formed on the other side of the transmission transistor.
摘要翻译：目的：提供图像传感器，通过减少由于图像滞后导致的死区而抑制图像劣化。构成：在半导体衬底上形成透射晶体管。光电二极管区域形成在传输晶体管的一侧。光电二极管区域包括第一离子注入区域（510a，510b，510c，510d）和第二离子注入区域（520）。第一离子注入区域具有锥形形状。在传输晶体管的另一侧上形成浮动扩散节点。

6. 发明公开

KR1020120122165A 광역 동적범위를 가지는 이미지 센서, 그 화소 회로 및 구동 방법 无效
标题翻译：具有宽动态范围和像素电路的图像传感器及其操作方法
公开(公告)号：KR1020120122165A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：KR1020110040181
申请日：2011-04-28
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H04N5/355 , H01L27/146 , H04N5/335
CPC分类号： H04N5/369 , H01L27/14654
摘要： PURPOSE: An image sensor having WDR(Wide Dynamic Range), an image pixel circuit thereof, and a driving method thereof are provided to remove distortion of a signal due to variation between photodiodes generated when using two photodiodes. CONSTITUTION: A first pixel signal generating unit(110) generates a first pixel signal corresponding to a photo-charge accumulated to a photodiode. The first pixel signal generating unit reads out the generated first pixel signal through an output node. A second pixel signal generating unit(120) generates a second pixel signal corresponding to the photo-charge accumulated to the photodiode. The second pixel signal generating unit reads out the generated second pixel signal through the output node. A WDR is implemented by synthesizing the first pixel signal and the second pixel signal.
摘要翻译：目的：提供具有WDR（宽动态范围）的图像传感器，其图像像素电路及其驱动方法，以消除由于在使用两个光电二极管时产生的光电二极管之间的变化引起的信号失真。构成：第一像素信号生成单元（110）产生对应于累积到光电二极管的光电荷的第一像素信号。第一像素信号生成单元通过输出节点读出生成的第一像素信号。第二像素信号产生单元（120）产生对应于累积到光电二极管的光电荷的第二像素信号。第二像素信号生成单元通过输出节点读出生成的第二像素信号。通过合成第一像素信号和第二像素信号来实现WDR。

7. 发明公开

KR1020120118142A 이미지 센서 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120118142A
公开(公告)日：2012-10-26
申请号：KR1020110035538
申请日：2011-04-18
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/357 , H04N5/363
CPC分类号： H01L27/1461 , H01L27/14607 , H01L27/14689
摘要： PURPOSE: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to create an image of high definition by improving SNR(Signal-to-Noise Ratio) characteristics after eliminating an afterimage. CONSTITUTION: A floating diffusion area(13) is formed at one side of a photo diode. A transmission transistor(12) transmits electric charge to the floating diffusion area. The electric charge is created in the photo diode. One or more non-PDN(Photo Diode N-type) areas are formed inside a PDN area of the photo diode. N-conductive impurities are not injected into the non-PDN area. A pattern blocks the N-conductive impurities is inserted into a semiconductor substrate.
摘要翻译：目的：提供一种图像传感器及其制造方法，通过在消除残像之后提高SNR（信噪比）特性来创建高清晰度的图像。构成：在二极管的一侧形成浮动扩散区域（13）。传输晶体管（12）将电荷传输到浮动扩散区域。在光电二极管中产生电荷。一个或多个非PDN（光电二极管N型）区域形成在光电二极管的PDN区域内。 N导电杂质不注入非PDN区域。将N导电杂质插入半导体衬底中的A图案。

8. 发明授权

KR101031006B1 이미지 센서 有权
标题翻译：图像传感器
公开(公告)号：KR101031006B1
公开(公告)日：2011-04-25
申请号：KR1020080129906
申请日：2008-12-19
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 이미지의 열화를 줄일 수 있는 이미지 센서가 개시된다. 반도체 기판과; 상기 반도체 기판 상에 형성된 전송 트랜지스터와; 상기 전송 트랜지스터의 일측에 형성되고, 포크날 형상의 복수의 제1 이온주입영역이 포크몸체 형상의 제2 이온주입영역에 연결되어 형성되는 포토 다이오드 영역과; 상기 전송 트랜지스터의 타측에 형성되는 플로팅 확산 노드를 포함하는 이미지 센서에 의하면, 이미지 래깅으로 인해 남은 이전 신호 값에 의해 발생하는 데드존을 감소시켜 이미지 열화를 줄일 수 있다.
이미지 센서, 포토 다이오드, 전송 트랜지스터, 열화

9. 发明公开

KR1020160023271A nPD 구조의 WDR 픽셀 어레이를 포함하는 이미징 장치의 단위 픽셀 타이밍 제어 방법 有权
标题翻译：具有NPD结构的WDR像素阵列的成像装置的单元像素时序控制方法
公开(公告)号：KR1020160023271A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020140109418
申请日：2014-08-22
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/3535 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N5/3765 , H04N5/378
摘要： nPD 구조의 WDR 픽셀어레이를포함하는이미징장치의단위픽셀타이밍제어방법이개시된다. 단위픽셀타이밍제어방법은, 단위픽셀에구비된 n개의포토다이오드에대한노출시간이만료되면, 리셋트랜지스터가플로팅확산영역에대해리셋을수행하는단계; 타이머제너레이터가플로팅확산영역의전위인기준전압에대응하는신호를출력하도록하는제1 샘플홀드펄스를공급하는단계; (a) 어느하나의포토다이오드에대응되도록구비된트랜스퍼트랜지스터가상기포토다이오드에축적된광전하를상기플로팅확산영역으로이송하는단계; (b) 상기타이머제너레이터가플로팅확산영역의현재전위인시그널전압에대응하는신호를출력하도록하는제2 샘플홀드펄스를공급하는단계를포함하되, 상기단계 (a) 및 (b)는상기단위픽셀에구비된 n개의포토다이오드모두에대해수행된다.
摘要翻译：公开了一种成像装置的单位像素定时控制方法，其包括具有“n”个光电二极管（nPD）结构的宽动态范围（WDR）像素阵列。单位像素定时控制方法包括以下步骤：当装配在单位像素中的nPD的曝光时间过去时，通过复位晶体管相对于浮动扩散区域复位; 提供第一采样保持脉冲以允许定时器发生器输出对应于作为浮动扩散区域的电位的参考电压的信号; （a）通过配置成对应于PD中的任一个的转移晶体管将在PD中累积的光电荷转移到浮动扩散区域; 和（b）提供第二采样孔脉冲，以允许定时发生器输出对应于作为浮动扩散区的电流电位的信号电压的信号。相对于装备在单位像素中的全部nPD执行步骤（a）和（b）。

10. 发明公开

KR1020150037018A 플리커 노이즈 방지를 위한 씨모스 이미지 센서 有权
标题翻译：用于防止闪烁噪声的CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR1020150037018A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130116176
申请日：2013-09-30
申请人： 클레어픽셀 주식회사
发明人： 신현택
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/2357 , H04N5/374
摘要： 플리커노이즈방지를위한씨모스이미지센서가개시된다. 씨모스이미지센서는, 제1 크기로형성되고, 제1 노출시간으로동작되는제1 포토다이오드; 상기제1 포토다이오드에축적된전하를부유확산영역으로운송하는제1 트랜스퍼트랜지스터; 상기제1 크기보다상대적으로큰 제2 크기로형성되는제2 포토다이오드; 및상기제2 포토다이오드에축적된전하를상기부유확산영역으로운송하는제2 트랜스퍼트랜지스터를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于防止闪烁噪声的CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器包括：第一光电二极管，其具有第一尺寸并且在第一曝光时间下操作; 将存储在第一光电二极管中的电荷传送到浮动扩散区域的第一传输晶体管; 第二光电二极管，具有相对大于第一尺寸的第二尺寸; 以及将存储在第二光电二极管中的电荷传送到浮动扩散区域的第二传输晶体管。

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