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1. 发明授权

KR101126106B1 소스가스 공급장치 有权
标题翻译：供气源装置
公开(公告)号：KR101126106B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020080106630
申请日：2008-10-29
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 이병일 , 장석필 , 박경완
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 화학기상 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 증착챔버 내로 공급하는 소스가스 공급장치가 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(200)는 소스물질을 가열하여 소스가스를 생성하는 소스가스 생성부(210); 및 소스가스 생성부(210)에서 생성된 소스가스가 유입되어 응축되는 소스가스 응축부(240)를 포함하되, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스(245)의 응축량이 포화 응축량에 도달할 때까지 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 진행하여 소스가스 응축부(240)에 소스가스를 응축시키고, 소스가스 응축부(240)에 응축된 소스가스(245)의 응축량이 포화 응축량에 도달한 이후는 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 차단하고 소스가스 응축부(240)에 응축되어 있던 소스가스를 증착챔버(250)로 유입시키는 것을 특징으로 한다.
화학기상 증착법, 소스가스, 운반가스, 박막증착, 압력 제어, 유량 제어

2. 实用新型

KR200453135Y1 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치 失效
标题翻译：源气供应装置
公开(公告)号：KR200453135Y1
公开(公告)日：2011-04-08
申请号：KR2020100008775
申请日：2010-08-23
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장석필
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448
摘要： 본 고안은 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치에 관한 것으로서, 본 고안에 따르면 용기(110)에 저장된 증착물질을 가열하여, 증착챔버 내의 기판 상에 박막을 형성시키는 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부(100); 소스가스를 증착챔버로 운반하기 위한 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부(200); 운반가스 공급부(200)에서 소스가스 공급부(100)로 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관(400); 및 소스가스 공급부(100)에서 증착챔버로 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관(300)을 포함하며, 용기(110) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결되어 증착물질의 유출을 방지하는 제1 수단(131)이 설치되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치가 제공된다.
摘要翻译：根据本发明，储存在容器110中的沉积材料被加热以在沉积室中的基板上供应用于形成薄膜的源气体。源气体供应单元100; 载气供应单元200，用于供应用于将源气体输送到沉积室的载气; 载气供应管400，用于将载气从载气供应单元200转移到原料气供应单元100; 并且，原料气体供给管300将原料气体从原料气体供给部100向成膜室移送，第一原料气体供给管300与原料气体供给管300连接，提供了一种手段（131）。

3. 发明授权

KR101028044B1 소스가스 공급장치 失效
标题翻译：供气源装置
公开(公告)号：KR101028044B1
公开(公告)日：2011-04-08
申请号：KR1020070089330
申请日：2007-09-04
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장택용 , 이병일 , 이영호 , 장석필
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455
摘要： 화학 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 공급하는 소스가스 공급장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치(100)는 소스물질(120)이 가열되어 소스가스가 되는 소스 증발부(110); 및 소스가스가 증착 챔버로 유입되기 전에 대기하는 대기 챔버(150)를 포함하고, 대기 챔버(150)는 소스가스가 퇴적되는 일정 면적의 퇴적판(160)과, 퇴적판(160)에 퇴적된 소스가스를 탈착시키기 위하여 퇴적판(160)을 가열하는 가열부(170)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 증착챔버 내로 유입되는 소스가스의 양을 정확하게 제어할 수 있어서 박막 증착시 증착챔버 내의 증착 압력을 효율적으로 조절할 수 있다.
소스물질, 증착 압력, 화학증착법

4. 实用新型

KR2020100009339U 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치 失效
公开(公告)号：KR2020100009339U
公开(公告)日：2010-09-27
申请号：KR2020100008775
申请日：2010-08-23
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장석필
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/448
摘要： 본 고안은 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치에 관한 것으로서, 본 고안에 따르면 용기(110)에 저장된 증착물질을 가열하여, 증착챔버 내의 기판 상에 박막을 형성시키는 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부(100); 소스가스를 증착챔버로 운반하기 위한 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부(200); 운반가스 공급부(200)에서 소스가스 공급부(100)로 운반가스를 이동시키는 운반가스 공급관(400); 및 소스가스 공급부(100)에서 증착챔버로 소스가스를 이동시키는 소스가스 공급관(300)을 포함하며, 용기(110) 내부에는 소스가스 공급관(300)과 연결되어 증착물질의 유출을 방지하는 제1 수단(131)이 설치되는 것을 특징으로 하는 소스가스 공급장치가 제공된다.

5. 发明公开

KR1020100037235A 증착물질의 유출 방지수단을 구비하는 소스가스 공급장치 无效
标题翻译：供应源气体的装置，包括防止沉积源物质流出的手段
公开(公告)号：KR1020100037235A
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020080096452
申请日：2008-10-01
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장석필
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/67098
摘要： PURPOSE: A source gas supplying device is provided to reduce a process time and costs by easily removing a powder type deposition material accumulated in a filter with a purge gas. CONSTITUTION: A source gas supplying device includes a source gas supplying unit(100), a carrying gas supplying unit(200), a carrying gas supplying pipe(400), a source gas supplying pipe(300), and a first unit(131). The source gas supplying unit supplies a source gas for forming a thin film on a substrate inside a deposition chamber by heating a deposition material(130) stored in a container(110). The carrying gas supplying unit supplies a carrying gas for carrying the source gas to the deposition chamber. The carrying gas supplying pipe carries the carrying gas from the carrying gas supplying unit to the source gas supplying unit. The source gas supplying pipe carries the source gas to the deposition chamber. The first unit is included in the container and is connected to the source gas supplying pipe to prevent the outflow of the deposition material.
摘要翻译：目的：提供源气体供应装置，通过容易地除去用吹扫气体积聚在过滤器中的粉末型沉积材料来减少加工时间和成本。构成：源气供给装置具备源气供给部（100），载气供给部（200），载气供给管（400），源气供给管（300），第一单元（131））。源气体供给单元通过加热存储在容器（110）中的沉积材料（130），在沉积室内的基板上提供用于形成薄膜的源气体。携带气体供给单元将用于将源气体输送到沉积室的携带气体。承载气体供给管将携带气体从承载气体供给单元输送到源气体供给单元。源气体供给管将源气体输送到沉积室。第一单元被包含在容器中并且连接到源气体供给管以防止沉积材料的流出。

6. 发明公开

KR1020090056542A 실리콘 결정화 방법 失效
标题翻译：硅结晶方法
公开(公告)号：KR1020090056542A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：KR1020070123746
申请日：2007-11-30
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장택용 , 이병일 , 장석필
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
摘要： A method for manufacturing polycrystalline silicon is provided to manufacture a polycrystalline silicon having a superior property by performing two step of heat treatment after inducing a metallic catalyst on an amorphous silicon. A metallic catalyst is arranged on an amorphous silicon, and is performed by a first heat treatment, and then is preformed by a second heat treatment. At that time, a first heat temperature is lower than a second temperature. A silicon is crystallized at the first temperature by a metal induced crystallization, and the first temperature is below 600°C, and the silicon is crystallized at the second temperature through a solid phase crystallization.
摘要翻译：提供制造多晶硅的方法，通过在非晶硅上诱导金属催化剂之后进行两步热处理来制造具有优异性能的多晶硅。金属催化剂配置在非晶硅上，通过第一热处理进行，然后通过第二次热处理进行预成型。此时，第一加热温度低于第二温度。硅通过金属诱导结晶在第一温度下结晶，第一温度低于600℃，硅通过固相结晶在第二温度下结晶。

7. 发明授权

KR101064306B1 소스가스 공급장치 失效
标题翻译：源气供应装置
公开(公告)号：KR101064306B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020080096453
申请日：2008-10-01
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장석필 , 송종호
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/00
摘要： 화학기상 증착법에 의한 박막 증착시 원료가 되는 소스물질을 가스화하여 증착챔버 내로 공급하는 소스가스 공급장치가 개시된다. 본 발명에 따른 소스가스 공급장치는, 화학기상 증착법에 의한 박막 증착시 소스가스를 증착챔버에 공급하는 소스가스 공급장치로서, 소스물질을 가열하여 소스가스를 생성하는 소스가스 생성부(210); 소스가스 생성부(210)에서 생성된 소스가스가 유입되어 응축되는 소스가스 응축부(240); 소스가스 생성부(210)에서 생성된 소스가스가 소스가스 응축부(240)로 원활하게 유입되게 운반가스를 공급하는 운반가스 공급부(220); 및 소스가스 응축부(240)를 통과하는 운반가스의 유량(flow rate)을 검출하는 센서부(250)를 포함하되, 검출된 유량이 기설정된 유량보다 큰 경우에는 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 진행하여 소스가스 응축부(240)에 소스가스를 응축시키고, 검출된 유량이 기설정된 유량과 실질적으로 동일한 경우에는 소스가스 생성부(210)로부터 소스가스 응축부(240)로 소스가스의 유입을 차단하고 소스가스 응축부(240)에 응축되어 있던 소스가스를 증착챔버(260)로 유입시키는 것을 특징으로 한다.
화학기상 증착법, 소스가스, 운반가스, 박막증착, 압력 제어, 유량 제어
摘要翻译：由源材料的气化是一种薄膜沉积在原料通过化学气相沉积开始时，用于供给到所述沉积室中的源气体供应装置。源气体供应装置，用于在化学气相沉积法，将原料气体发生器210通过根据本发明的加热源材料以产生源气体的一个沉积室的膜沉积过程中供给原料气体的原料气体供给装置; 原料气体冷凝器240，由原料气体发生器210产生的原料气体流入并冷凝; 载气供应单元220，用于将载气供应至源气体冷凝器240，使得由源气体发生器210产生的源气体平稳地流动; 以及传感器单元250，用于检测通过源气体冷凝器240的载气的流量。当检测到的流量大于预设流量时，从源气体冷凝部240作为处理进入的原料气体的原料气体冷凝部240的流用于冷凝原料气，等于预定流量的流量检测和基本上源气体发生器210 而且，在原料气体冷凝器240中冷凝的原料气体被封闭，在原料气体冷凝器240中冷凝的原料气体被导入到成膜室260。

8. 发明授权

KR100960862B1 실리콘 결정화 방법 失效
标题翻译：硅结晶方法
公开(公告)号：KR100960862B1
公开(公告)日：2010-06-08
申请号：KR1020070123746
申请日：2007-11-30
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장택용 , 이병일 , 장석필
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
摘要： 결정 특성이 우수한 다결정 실리콘을 제조하기 위한 실리콘 결정화 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 실리콘 결정화 방법은 (a) 비정질 실리콘 상에 금속 촉매를 배치하는 단계; (b) 제1 열처리 온도로 열처리 하는 단계; 및 (c) 제2 열처리 온도로 열처리 하는 단계를 포함하며, 제1 열처리 온도는 제2 열처리 온도보다 낮은 것을 특징으로 한다.
LCD, TFT, 실리콘, 금속유도 결정화, 고상 결정화

9. 发明公开

KR1020090124838A 기판 이송 장치 및 방법 无效
标题翻译：用于传送基板的装置和方法
公开(公告)号：KR1020090124838A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080051264
申请日：2008-05-30
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장석필
IPC分类号： G02F1/13 , B65G49/06
CPC分类号： G02F1/1303 , B65G49/061 , H01L21/67742
摘要： PURPOSE: A substrate transport apparatus and a method thereof for dying resentment of cooing gas are provided to unload a holder and a glass substrate from a boat after cooling the glass substrate by ejecting gas from an arm of a holder transfer robot. CONSTITUTION: A holder(12) accepts a glass substrate(10). An arm(100) comprises a gas supply path(200) on the glass substrate. After the thermal process of the glass substrate is completed in the furnace, the gas is sprayed through the gas supply path to the glass substrate. The arm unloads the holder and the cooled glass substrate from the furnace.
摘要翻译：目的：提供一种用于染色咕咕声气泡的衬底输送装置及其方法，用于通过从保持器传送机器人的臂喷射气体来冷却玻璃基板后从船上卸载保持器和玻璃基板。构成：支架（12）接受玻璃基板（10）。臂（100）包括玻璃基板上的气体供给路径（200）。在炉内完成玻璃基板的热处理之后，将气体通过气体供给路径喷射到玻璃基板。手臂从炉子上卸下支架和冷却的玻璃基板。

10. 发明公开

KR1020090107382A 폴리 실리콘 박막 트랜지스터용 폴리 실리콘층의 제조방법 无效
标题翻译：聚硅薄膜晶体管制备聚硅层的方法
公开(公告)号：KR1020090107382A
公开(公告)日：2009-10-13
申请号：KR1020080032874
申请日：2008-04-08
申请人： 주식회사 테라세미콘
发明人： 장석필 , 장희섭 , 송종호
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02672 , H01L27/1277
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a poly layer for a poly silicon thin film transistor are provided to remove metal used in a process of forming a poly silicon layer for a thin film transistor by a metal inducing crystallization method, thereby improving features of a thin film transistor. CONSTITUTION: A method of manufacturing a poly layer for a poly silicon thin film transistor comprises the following steps. An amorphous silicon layer is formed on the substrate. A metal layer is formed on the amorphous silicon layer. A poly silicon layer is formed while the amorphous silicon layer is heat-treated. Metal contained in the poly silicon layer is removed.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造多晶硅薄膜晶体管的多晶硅层的方法，以通过金属诱导结晶方法除去在形成用于薄膜晶体管的多晶硅层的工艺中使用的金属，从而改善薄膜的特征晶体管。构成：制造多晶硅薄膜晶体管的多晶硅层的方法包括以下步骤。在基板上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成金属层。在非晶硅层被热处理的同时形成多晶硅层。包含在多晶硅层中的金属被去除。

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