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1. 发明授权

KR101222879B1 가스 주입형 크랙커 有权
标题翻译：燃气喷射式破碎机
公开(公告)号：KR101222879B1
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020110045822
申请日：2011-05-16
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/02
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 본 발명의 일실시예에 따른 가스 주입형 크랙커는, 증착 챔버(1)의 하부 영역에 가스 주입형 크랙커(100)를 설치하되 서셉터(3)에 놓여진 기판(5)의 하부 영역에 상기 가스 주입형 크랙커(100)를 설치하여 상기 기판(5)을 향해 셀레늄 혹은 황을 상방으로 상승시킴으로써 상기 기판(5)의 표면에 증착 박막이 형성되도록 하는 가스 주입형 크랙커(100)에 있어서, 상기 셀레늄 혹은 황을 충전시키는 공간으로 그 공간에 충전된 상기 셀레늄 혹은 황을 승화시키는 도가니(10); 상기 도가니(10)의 하부에 설치되고 상기 도가니(10) 속에서 가열되어 승화된 상기 셀레늄 혹은 황을 상기 기판(5)으로 이송하기 위한 이송 가스를 주입하는 가스 주입구간(20); 상기 도가니(10) 내에 설치되고 상기 가스 주입구간(20)에서 주입된 상기 이송 가스를 상방으로 이동시켜 상기 도가니(10)에 도달하도록 하는 가스 이동구간(30); 상기 도가니(10)의 상부에 설치되고 상기 도가니(10) 속에서 가열되어 승화된 상기 셀레늄 혹은 황 및 상기 도가니(10)에 도달한 상기 이송 가스를 상방으로 이동시킴과 동시에 상기 이송 가스에 이송된 상기 셀레늄 혹은 황을 열분해하는 가스 분해구간(50); 및 상기 가스 분해구간(50)의 상부에 설치되고 상기 가스 분해구간(50)에서 열분해된 상기 셀레늄 혹은 황을 상기 이송 가스와 함께 상기 기판(5)으로 배출시키는 가스 배출구간(70)을 포함한다.

2. 发明授权

KR101214368B1 하향식 셀레늄 크랙커 有权
标题翻译：下拉式破碎机
公开(公告)号：KR101214368B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020110011029
申请日：2011-02-08
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： C23C14/24 , H01L31/18 , H01L21/203
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 본발명의일실시예에따른하향식셀레늄크랙커는, 증착챔버내의상부영역에하향식셀레늄크랙커를설치하되서셉터위에올려진기판의상부영역에상기하향식셀레늄크랙커를설치하여상기기판을향해셀레늄을하방으로낙하시킴으로써상기기판의상부표면에증착박막이형성되도록하는하향식셀레늄크랙커에있어서, 상기셀레늄을충전시키는공간으로그 공간에충전된상기셀레늄을승화시키는도가니; 상기도가니의상부와연통하여상기도가니속에서가열되어승화된상기셀레늄을하방으로이동시키는가스이동구간; 상기가스이동구간의하부에설치되고상기가스이동구간을통해공급된상기셀레늄을열분해하는가스분해구간; 및상기도가니, 상기가스이동구간, 및상기가스분해구간을내장하는하우징을포함하되, 상기하우징의상부면에는상기가스분해구간에서열분해된상기셀레늄을상기기판으로이송하기위한이송가스를주입하기위한가스주입용플랜지가구비되고, 상기하우징의하부면에는상기이송가스에이송된상기셀레늄을배출하기위한배출구가구비되는것을특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020120066174A 내식 피막이 형성된 고진공용 열선 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有耐腐蚀膜的高真空热丝及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120066174A
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020100127388
申请日：2010-12-14
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： H05B3/56
CPC分类号： H05B3/145 , H05B3/14 , H05B3/40 , H05B2203/017 , H05B2214/04
摘要： PURPOSE: A high vacuum hot-wire and a manufacturing method thereof are provided to form an uniform film by forming a carbon film on the surface of the high vacuum hot-wire by using a carbon nano-tube of power type, grapheme, and oxidation graphene. CONSTITUTION: A carbon source is prepared(S100). The carbon source is spread on the surface of a hot-wire with prescribed thickness(S110). The hot-wire in which carbon source is spread is settled within a vacuum chamber(S120). The hot-wire in which carbon source is spread is heated through current application(S130). A corrosion-resistant film of tantalum carbide and tungsten carbide is formed on the surface of the hot-wire in which carbon source is spread through carbon decomposition and spreading of carbon source within the hot-wire.
摘要翻译：目的：提供一种高真空热丝及其制造方法，以通过使用动力式，图形和氧化的碳纳米管在高真空热丝的表面上形成碳膜来形成均匀的膜石墨烯。构成：准备碳源（S100）。碳源在规定厚度的热丝的表面上扩散（S110）。将碳源扩散的热丝沉积在真空室内（S120）。碳源扩散的热丝通过电流加热进行加热（S130）。在热丝表面形成碳化钨和碳化钨的耐腐蚀膜，其中碳源通过碳源在热丝内的碳分解和扩散而扩散。

4. 发明授权

KR101112597B1 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치 有权
标题翻译：用于合成单壁碳纳米管的混合电弧等离子体放电装置
公开(公告)号：KR101112597B1
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：KR1020090058908
申请日：2009-06-30
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 조유석
IPC分类号： H05H1/32 , H05H1/24
摘要： 본 발명은 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 관한 것으로, 아크 방전법을 이용하여 단일벽 탄소나노튜브 합성시 챔버 내부의 온도를 조절하여 단일벽 탄소나노튜브의 결정성 및 순도를 제어할 수 있도록 하는 단일벽 탄소나노튜브 합성용 하이브리드 아크 플라즈마 방전장치에 관한 것이다.
본 발명은 반응 챔버; 반응 챔버 내부에서 아크 방전을 일으키는 흑연전극; 방전되는 아크를 보호하고, 흑연전극으로부터 기화된 탄소기체가 냉각 및 응축과정을 거쳐 합성된 탄소나노튜브를 포집하는 포집관; 포집관 내부를 가열 및 보온하여 상기 탄소나노튜브의 성장시간을 지연시키는 히터; 를 포함하여 이루어진다.
이에 따라 본 발명은 탄소기체가 냉각되어 탄소나노튜브로 합성 과정 중 탄소나노튜브의 성장 및 결정화 온도영역으로 유지시켜줄 수 있는 발열체 및 흡열체를 사용하여 탄소나노튜브 합성 물들이 합성 시간 동안 성장 및 결정화 온도로 유지될 수 있도록 하여, 비정질 탄소, 나노 파티클(particle)과 같은 불순물의 생성을 억제할 수 있으며, 탄소나노튜브의 합성 수율과 순도를 높일 수 있고, 합성된 탄소나노튜브의 결정성을 향상시킬 수 있게 된다.
단일벽, 탄소나노튜브, 합성, 아크 방전장치, 온도 제어

5. 发明授权

KR101074676B1 후면전극 및 기판으로 철을 이용한 화합물 반도체 박막형 태양전지 失效
标题翻译：复合半导体薄膜太阳能电池使用Fe层用于反接触和基板
公开(公告)号：KR101074676B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020090058941
申请日：2009-06-30
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 조유석
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 구체적으로는기존태양전지의후면전극(back contact)으로서 Mo(몰리브데늄) 박막층을유리기판및 금속기판상에증착하여이용하던공정기술을대신하여고순도의 Fe(99.5% 이상)를후면전극층이나기판으로이용함으로써 CIGS(CuInGaSe; 0

6. 发明公开

KR1020150020974A 알루미늄 용융용 도가니 및 이의 제조방법 审中-实审
标题翻译：铝熔炼坩埚及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150020974A
公开(公告)日：2015-02-27
申请号：KR1020130098189
申请日：2013-08-19
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： F27B14/10
CPC分类号： F27B14/10 , C23C14/067 , C23C14/18 , F27B2014/104 , F27D1/0006 , F27D1/16
摘要： 본 발명은 알루미늄 용융용 도가니 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 알루미늄 용융용 도가니는 알루미늄이 수용되는 본체; 및 상기 본체 내벽에 형성되는 타이타늄 붕소화물 코팅층;을 포함함으로써, 내구성, 내부식성 및 고온 안정성이 우수하여 향상된 수명을 가지는 장점이 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于熔化铝的坩埚及其制造方法。根据本发明的用于熔化铝的坩埚包括：其中含有铝的主体; 和形成在主体内壁上的硼化钛涂层。以这种方式，耐久性，耐腐蚀性，高温稳定性优异，寿命延长。

7. 发明公开

KR1020140144458A 선형 증발원 및 이를 이용한 증착방법 无效
标题翻译：使用其的线性源和蒸发方法
公开(公告)号：KR1020140144458A
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020130066414
申请日：2013-06-11
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： H01L51/56 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0008 , C23C14/243 , C23C14/26 , H01L51/56
摘要： 본 발명의 증착 공정에 사용되는 선형 증발원에 있어서, 증착할 재료를 수용하는 재료 수납부, 상기 재료 수납부의 외면에 구비되며, 재료를 가열하는 메인 히터 및 상기 재료 수납부의 내부에 구비되며, 재료를 균일하게 가열하기 위한 컨트롤 히터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：在本发明的沉积工艺中使用的线性蒸发源包括接收待沉积材料的材料接收单元，设置在材料接收单元的外表面上并加热该材料的主加热器，以及设置在该内部的控制加热器材料接收单元，均匀加热材料。

8. 发明授权

KR101168706B1 ＣＩＧＳ 박막 성장을 위한 셀렌화 공정 장치 有权
标题翻译：用于在太阳能电池上形成薄膜薄膜的放电过程装置
公开(公告)号：KR101168706B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020110045402
申请日：2011-05-13
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: A selenide processing apparatus for CIGS(CuInGaSe2) thin film growth is provided to improve the accuracy of a CIGS thin film process by measuring actual consumption of selenium in rear time by using a detection sensor. CONSTITUTION: A storing unit(110) is formed at one bottom side of a housing(100). A reaction chamber(130) forms a CIGS layer by executing a selenide reaction by using an activated gas molecule entered from a cracker unit. A heater(160) is installed at one side among the storing unit, a cracker unit, and the reaction chamber. The heater supplies heat energy. An exhaust pipe(140) discharges gas activated within the reaction chamber to outside. A detection sensor(150) sensing the activated gas is installed inside the exhaust pipe.
摘要翻译：目的：提供用于CIGS（CuInGaSe2）薄膜生长的硒化物处理设备，以通过使用检测传感器测量后续时间的硒的实际消耗来提高CIGS薄膜工艺的精度。构成：存储单元（110）形成在壳体（100）的一个底侧。通过使用从裂化装置输入的活性气体分子进行硒化物反应，反应室（130）形成CIGS层。一个加热器（160）安装在存储单元，裂解器单元和反应室中的一侧。加热器提供热能。排气管（140）将在反应室内活化的气体排出到外部。感测活化气体的检测传感器（150）安装在排气管内。

9. 发明公开

KR1020120128175A 가스 주입형 크랙커 有权
标题翻译：燃气喷射式破碎机
公开(公告)号：KR1020120128175A
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：KR1020110045822
申请日：2011-05-16
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/02
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/04
摘要： PURPOSE: A gas injection type cracker is provided to reduce overall process time and improve process reproducibility by compensating for low thermal conductivity of sulfur and selenium using a structure where heated gas can be injected. CONSTITUTION: A crucible(10) sublimates selenium or sulfur which is charged inside. A gas injection section(20) injects carrier gas for transferring the sublimated selenium or sulfur to a substrate. A gas transfer section(30) is installed within the crucible. A gas resolution section(50) thermally decomposes the selenium or the sulfur transferred by the carrier gas. A gas discharging section(70) discharges the selenium or the sulfur which is thermally decomposed in the gas resolution section to the substrate with the carrier gas.
摘要翻译：目的：提供一种气体注射型裂解器，通过使用可以注入加热气体的结构补偿硫和硒的低热导率，缩短整个工艺时间并提高工艺的再现性。构成：一个坩埚（10）升华硒内含的硒或硫。气体注入部分（20）注入用于将升华的硒或硫转移到基底的载气。气体输送部（30）安装在坩埚内。气体分解部（50）热分解由载气转移的硒或硫。气体排出部（70）将气体分解部中被热分解的硒或硫排出到载体上。

10. 发明公开

KR1020120090547A 하향식 셀레늄 크랙커 有权
标题翻译：下拉式破碎机
公开(公告)号：KR1020120090547A
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020110011029
申请日：2011-02-08
申请人： 주식회사 제이몬
发明人： 윤종만 , 조유석 , 강영진 , 송혜진
IPC分类号： C23C14/24 , H01L31/18 , H01L21/203
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A top-down selenium cracker is provided to reduce the number of selenium vaporized pores in a CIGS semiconductor by effectively supplying selenium with improved reactivity. CONSTITUTION: A top-down selenium cracker comprises a crucible(10) which is filled with selenium and sublimates the charged selenium, a gas transfer part(30) for transferring the sublimated selenium downward, a gas decomposition part(50) for thermally decomposing the selenium supplied through the gas transfer part, and a housing(70) accommodating the crucible, the gas transfer part, and the gas decomposition part. A gas injection flange(71) is formed on the top of the housing to inject carrier gas for transferring thermally decomposed selenium to a substrate and a vent(73) is formed on the bottom of the housing to discharge the selenium transferred by the carrier gas.
摘要翻译：目的：提供自上而下的硒裂化器，以通过有效地提供硒具有改善的反应性来减少CIGS半导体中硒蒸发孔的数量。构成：自上而下的硒裂化器包括填充有硒并使升华的硒的坩埚（10），用于向下转印升华的硒的气体转移部分（30），用于热分解通过气体传递部分提供的硒，以及容纳坩埚，气体传递部分和气体分解部分的壳体（70）。气体注入法兰（71）形成在壳体的顶部上，以将用于将热分解硒转移到基底的载气进行喷射，并且在壳体的底部形成通气孔（73），以排出由载气转移的硒。

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