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2. 发明授权

KR101726804B1 반도체 제조공정에 사용하는 SiC 부재의 세정방법 有权
标题翻译：用于清洁在半导体制造过程中使用的SiC构件的方法
公开(公告)号：KR101726804B1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：KR1020150181274
申请日：2015-12-17
申请人： 주식회사 싸이노스
发明人： 조온
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L29/16 , H01L21/324
摘要： 반도체제조공정에사용하는 SiC 부재의세정방법을개시한다. 이러한반도체제조공정에사용하는 SiC 부재의세정방법은, 복수개의 SiC 부재들을세정용지그측에로딩한상태로제1 세정액중에담궈서 1차로세정하는제1 세정공정과, 1차세정된복수개의 SiC 부재들을세정용지그측에로딩한상태로제2 세정액중에담궈서 2차로세정하는제2 세정공정과, 2차로세정된복수개의 SiC 부재들을열처리용지그측에로딩한상태로열처리하여세정막을형성하는세정막형성공정그리고, 세정막이형성된복수개의 SiC 부재들을세정용지그측에로딩한상태로제3 세정액중에담궈서세정막을제거하는제3 세정공정을포함한다.
摘要翻译：公开了一种清洁在半导体制造过程中使用的SiC构件的方法。利用半导体制造工艺中该SiC bujaeui清洗方法中，装载到清洁片，所述多个hansangtae罗塞塔1个清洗液的SiC部件的geucheuk浸泡第一清洗步骤的清洗，首先chasejeong用于第一清洁驱动纸geucheuk一个多个SiC部件的 hansangtae期间罗塞塔2清洗液装载到浸泡2洗去第二洗涤工序中，多个膜2，清洗成膜处理，然后洗涤，以形成通过用装载hansangtae热处理纸geucheuk驱动多个碳化硅部件的加热的膜清洗形成以及将SiC构件浸入清洁液中以除去清洁膜的第三清洁步骤。

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