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    • 4. 发明公开
    • 고순도 메탈실리콘 제조를 위한 실리카의 물리적 및 화학적 처리방법
    • 纯化二氧化硅制备高纯度MG-SI的物理和化学处理方法
    • KR1020150099660A
    • 2015-09-01
    • KR1020140020629
    • 2014-02-21
    • 재단법인영월청정소재산업진흥원
    • 이태영이용현염나리엄선희
    • C01B33/12C01F7/16
    • C01B33/18C01P2006/80
    • 본 발명은 고순도 메탈실리콘 제조를 위한 실리카의 물리적 및 화학적 처리방법에 관한 것으로, (a) 채취한 실리카를 세척하여 이물질을 제거하고 80 ~ 12시간 이상 건조하여 분쇄하는 단계와; (b) 산(HCl (36%), HF(49%))과 염기(NaOH)에 침출시킨 후, 남아있는 실리콘 파우더는 용액이 중성이 될 때까지 증류수로 세척시킨 뒤 건조하는 단계와; (c) 규석(SiO
      2 )과 탄소를 1:1 몰 비율로 칭량하여 24시간 볼밀한 후 건조한 후, 건조된 SiO
      2 -C혼합물, CaF
      2 , KClO
      3 및 Al을 100 : 55 : 81 : 96 무게비로 칭량하여 10분 동안 볼밀로 혼합하여 테르밋 반응을 수행하는 단계로 구성됨으로써, 영월에서 채취된 실리카를 파쇄와 분급을 포함하는 물리적 정제만으로 1.5 wt%까지 순도를 향상시킬 수 있으며, 산ㆍ염기를 이용한 화학적 정제를 병행하여 순도를 98.7 wt%까지 향상되었으며, 이러한 고순도 실리카를 활용하여 테르밋법을 활용하여 MG-Si을 제조한 결과 테르밋 반은이 착화가 어렵고 반응이 불안정하여 충분한 발열량을 얻을 수 없어 MG-Si를 효율적으로 회수할 수는 없었으나 실리콘(Si)의 품위가 95 wt% 이상의 실리콘을 제조할 수 있는 효과가 있다.
    • 本发明涉及用于制造高纯度金属硅的二氧化硅的物理和化学处理方法。 该方法包括以下步骤:(a)洗涤提取的二氧化硅以除去异物,干燥二氧化硅不少于80-120小时,并粉碎二氧化硅; (b)将二氧化硅沉淀在酸性(HCl 36%,HF 49%)和碱(NaOH)溶液中,然后用蒸馏水洗涤剩余的硅粉,直到溶液变为中性,干燥粉末; (c)以1:1的摩尔比称重二氧化硅(SiO_2)和碳,球磨并干燥24小时,称重干重的SiO_2-C混合物,CaF_2,KClO_3和Al,重量比为100: 55:81:96,并将球磨10分钟混合并进行反应。 因此,通过物理纯化,韩国Yeongwol提取的二氧化硅的纯度可以提高至1.5重量%,并且通过使用酸和碱的化学纯化,纯度可以提高至98.7重量%。 使用这种高纯度二氧化硅,可以制备MG-Si。 在这种情况下,热反应可能难以进行和不稳定,从而不能获得足够的热量,并且不能有效地回收MG-Si。 然而,可以生产具有95重量%或更高纯度的硅。