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1. 发明授权

KR102086188B1 집적 보호 다이오드를 포함하는 광전 소자 및 그것을 제조하기 위한 방법 有权
公开(公告)号：KR102086188B1
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：KR1020157009804
申请日：2013-10-08
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 무스부르거위르겐 , 회펠루쯔 , 폰말름노르빈
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/62

2. 发明公开

KR1020150066538A 집적 보호 다이오드를 포함하는 광전 소자 및 그것을 제조하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：具有集成保护二极管的光电元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150066538A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020157009804
申请日：2013-10-08
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 무스부르거위르겐 , 회펠루쯔 , 폰말름노르빈
IPC分类号： H01L25/16 , H01L33/62
CPC分类号： H01L25/167 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L29/861 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2224/03002 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/036 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/11002 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/13147 , H01L2224/291 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32145 , H01L2224/73203 , H01L2224/83005 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/92143 , H01L2224/94 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 광전소자(10, 20)는제 1 콘택(130)과제 2 콘택(135)이배치된제 1 표면(121)을가진광전반도체칩(100)을포함한다. 제 1 표면(121)은성형바디(170)에인접한다. 제 1 핀(160)과제 2 핀(165)은성형바디(170) 내에매립되고, 제 1 콘택(130) 및제 2 콘택(135)에도전접속된다. 보호다이오드(140)는성형바디내에매립되고, 제 1 콘택(130)과제 2 콘택(135)에도전접속된다.
摘要翻译：光电子部件包括具有第一表面的光电子半导体芯片，第一电接触件和第二电接触件布置在其上，其中第一表面邻接成型体，第一销和第二销嵌入在成型体中并电导电地连接到第一触点和第二触点，并且保护二极管嵌入在模制体中并且导电地连接到第一触点和第二触点。

3. 发明授权

KR101590235B1 광전자 반도체 칩 有权
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：KR101590235B1
公开(公告)日：2016-01-29
申请号：KR1020137008958
申请日：2011-08-22
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 잉글칼 , 모트마커스 , 바이마르안드레아스 , 회펠루쯔 , 로데패트릭 , 무스버거저건 , 본말노르윈
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체층 시퀀스(2) 및캐리어기판(10)을포함하는광전자반도체칩이특정되며, 제 1 전기접촉층(7) 및제 2 전기접촉층(8)은캐리어기판(10) 및반도체층 시퀀스(2) 사이의영역들에적어도배열되고, 전기절연층(9)에의해서로로부터전기적으로절연되며, 반도체층 시퀀스(2)와캐리어기판(10) 사이에배열되는미러층(6)을포함한다. 미러층(6)은제 1 전기접촉층(7)의부분영역들및 전기절연층(9)의부분영역들(19)에접하며, 미러층(6)에접하는전기절연층(9)의부분영역들은어떠한지점들에서도광전자반도체칩(1)의주변매질에접하게되지않도록하는방식으로제 2 전기접촉층(8)에의해커버된다. 반도체층 시퀀스(2)는연결접촉부(14)를형성하기위해제 1 전기접촉층(7)이커버되지않은컷-아웃(17)을갖는다.
摘要翻译：包括半导体层序列2和载体衬底10的光电子半导体芯片被指定，并且在载体衬底10和半导体层序列2上形成第一电接触层7和第二电接触层8 以及至少设置在半导体层序列2与载体基板10之间的区域中并且通过电绝缘层9与炉体电绝缘的镜面层6。镜层6与电接触层7的部分区域和电绝缘层9的部分区域19接触，并且与电子绝缘层9的与镜层6接触的部分区域接触。被第二电接触层（8）覆盖，使得它们在任何点都不会与光电子半导体芯片（1）的周围介质接触。半导体层序列2具有切口17，其中第一电接触层7未被覆盖以形成连接触点14。

4. 发明公开

KR1020130054416A 광전자 반도체 칩 有权
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：KR1020130054416A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020137008958
申请日：2011-08-22
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 잉글칼 , 모트마커스 , 바이마르안드레아스 , 회펠루쯔 , 로데패트릭 , 무스버거저건 , 본말노르윈
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체 층 시퀀스(2) 및 캐리어 기판(10)을 포함하는 광전자 반도체 칩이 특정되며, 제 1 전기 접촉층(7) 및 제 2 전기 접촉층(8)은 캐리어 기판(10) 및 반도체 층 시퀀스(2) 사이의 영역들에 적어도 배열되고, 전기 절연층(9)에 의해 서로로부터 전기적으로 절연되며, 반도체 층 시퀀스(2)와 캐리어 기판(10) 사이에 배열되는 미러층(6)을 포함한다. 미러층(6)은 제 1 전기 접촉층(7)의 부분 영역들 및 전기 절연층(9)의 부분 영역들(19)에 접하며, 미러층(6)에 접하는 전기 절연층(9)의 부분 영역들은 어떠한 지점들에서도 광전자 반도체 칩(1)의 주변 매체에 접하게 되지 않도록 하는 방식으로 제 2 전기 접촉층(8)에 의해 커버된다. 반도체 층 시퀀스(2)는 연결 접촉부(14)를 형성하기 위해 제 1 전기 접촉층(7)이 커버되지 않은 컷-아웃(17)을 갖는다.
摘要翻译：包括半导体层序列2和载体衬底10的光电子半导体芯片被指定，并且在载体衬底10上形成第一电接触层7和第二电接触层8，并且半导体层序列以及至少配置在半导体层序列2与载体基板10之间且通过电绝缘层9而相互电绝缘且配置在半导体层序列2与载体基板10之间的镜面层6 。镜层6与第一电接触层7的部分区域和电绝缘层9的部分区域19以及与镜层6接触的电绝缘层9的部分接触这些区域被第二电接触层8覆盖，使得它们在任何点都不会与光电子半导体芯片1的周围介质接触。半导体层序列2具有切口17，其中第一电接触层7未被覆盖以形成连接触点14。

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