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1. 发明公开

KR1020140078142A 발광 소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020140078142A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：KR1020120147163
申请日：2012-12-17
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 김병재
IPC分类号： H01L33/44 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/44 , H01L29/1606 , H01L33/382
摘要： According to an embodiment of the present invention, a light emitting device includes: a light emitting structure which includes a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; a graphene layer arranged on the second semiconductor layer; an electrode arranged on one area of the graphene layer; and an anti-oxidation layer arranged on another area of the graphene layer.
摘要翻译：根据本发明的实施例，一种发光器件包括：发光结构，其包括第一半导体层，第二半导体层和位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层; 布置在所述第二半导体层上的石墨烯层; 布置在所述石墨烯层的一个区域上的电极; 以及设置在石墨烯层的另一区域上的抗氧化层。

2. 发明授权

KR102237134B1 발광소자 및 조명시스템 有权
公开(公告)号：KR102237134B1
公开(公告)日：2021-04-08
申请号：KR1020140129973
申请日：2014-09-29
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 이상원 , 김지현 , 정영훈
IPC分类号： H01L33/22 , F21Y115/10
摘要： 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은무극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각기둥, 사각기둥또는다각기둥중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다. 다른측면에서실시예는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은반극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각뿔, 사각뿔, 다각뿔또는원뿔중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다.

3. 发明公开

KR1020140026092A 발광 소자 审中-实审
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020140026092A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120093056
申请日：2012-08-24
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 김병재
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L2933/0083
摘要： A method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention includes the steps of: forming a light emitting structure which includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer on a substrate; forming a plurality of nanostructures on the second semiconductor layer; forming a first uneven part by etching the second semiconductor layer using the nanostructures as a mask; reducing the size of the nanostructures; and forming a second uneven part with a stepped structure by etching the second semiconductor layer with the first uneven part using the nanostructures with the reduced size as a mask.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的制造发光器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成包括第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光结构; 在所述第二半导体层上形成多个纳米结构; 通过使用纳米结构作为掩模蚀刻第二半导体层来形成第一不平坦部分; 减小纳米结构的尺寸; 通过使用尺寸减小的纳米结构作为掩模，用第一凹凸部蚀刻第二半导体层，形成具有阶梯状结构的第二凹凸部。

4. 发明授权

KR102099440B1 발광 소자의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102099440B1
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：KR1020130121006
申请日：2013-10-11
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 김병재 , 양광석 , 정영훈
IPC分类号： H01L33/02 , H01L29/16

5. 发明授权

KR101963219B1 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101963219B1
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：KR1020120093056
申请日：2012-08-24
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 김병재
IPC分类号： H01L33/22

6. 发明公开

KR1020170082857A 반도체 소자 및 이를 구비한 발광 모듈 审中-实审
标题翻译：半导体器件和具有该半导体器件的发光模块
公开(公告)号：KR1020170082857A
公开(公告)日：2017-07-17
申请号：KR1020160002126
申请日：2016-01-07
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 정명훈 , 김지현 , 오수연
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/52 , H01L33/48
摘要： 실시예에개시된발광소자는, 산화갈륨기반의반도체층; 상기반도체층상에금속전극; 및상기반도체층내에배치되며상기금속전극에접촉된오믹접촉층을포함하며, 상기오믹접촉층은상기금속전극을이루는원소를갖는산화조성물을포한다.
摘要翻译：该实施例中公开的发光器件包括氧化镓基半导体层; 半导体层上的金属电极; 以及布置在半导体层中并与金属电极接触的欧姆接触层，其中欧姆接触层包括具有构成金属电极的元素的氧化组合物。

7. 发明公开

KR1020120138903A 발광 소자 无效
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR1020120138903A
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：KR1020110058328
申请日：2011-06-16
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 김병재
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38
摘要： PURPOSE: A light emitting device is provided to improve the light extraction efficiency of a light emitting device by forming a plasmon layer which emits light by a surface plasmon resonance on the surface of a light emitting structure to suppress internal total reflection. CONSTITUTION: A light emitting structure(120) is located on a substrate(110) and includes a first conductive type semiconductor layer(122), an active layer(124), and a second conductive type semiconductor layer(126). A plasmon layer(130A) is formed on the second conductive type semiconductor layer. A conductive layer(140) is formed on the Plasmon layer. A first electrode(152) is formed on the first conductive type semiconductor layer. A second electrode(154) is formed on the conductive layer.
摘要翻译：目的：提供一种发光器件，用于通过在发光结构的表面上形成通过表面等离子体共振发光的等离子体膜来抑制内部全反射来提高发光器件的光提取效率。构造：发光结构（120）位于基板（110）上，并且包括第一导电类型半导体层（122），有源层（124）和第二导电类型半导体层（126）。在第二导电型半导体层上形成等离子体层（130A）。导电层（140）形成在等离子体层上。第一电极（152）形成在第一导电类型半导体层上。第二电极（154）形成在导电层上。

8. 发明公开

KR1020160038127A 발광소자 및 조명시스템 审中-实审
标题翻译：发光装置和照明系统
公开(公告)号：KR1020160038127A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140129973
申请日：2014-09-29
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 이상원 , 김지현 , 정영훈
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , F21Y2115/10
摘要： 실시예에따른발광소자는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은무극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각기둥, 사각기둥또는다각기둥중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다. 다른측면에서실시예는제 1 도전형반도체층과, 상기제 1 도전형반도체층상에배치된활성층과, 상기활성층상에배치된제 2 도전형반도체층을포함하는발광구조물; 및상기발광구조물의광추출영역상에배치된광추출구조;를포함하고, 상기발광구조물은반극성질화물반도체를포함하며, 상기광추출구조는복수의돌출부를포함하는요철구조를가지며, 상기복수의돌출부는삼각뿔, 사각뿔, 다각뿔또는원뿔중 적어도어느하나의형상을갖는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及发光装置和照明系统。根据实施例，发光器件包括发光结构，其包括第一导电半导体层，设置在第一导电半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层; 以及设置在发光结构的光提取区域中的光提取结构。发光结构包括非极性氮化物半导体。光提取结构包括多个突出部分，并且突出部分具有三角棱柱形状，矩形棱镜形状和多边形棱柱形状中的至少一种。根据本实施例的另一方面，发光器件包括发光结构，其包括第一导电半导体层，设置在第一导电半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电半导体层; 以及提供在发光结构的光提取区域中的光提取结构。发光结构包括半极性氮化物半导体。光提取结构具有包括多个突起部的凹凸结构，并且突出部具有三角锥形，四角锥形，多角锥形和圆锥形中的至少一个。

9. 发明公开

KR1020150042409A 발광 소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：制造发光装置的方法
公开(公告)号：KR1020150042409A
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020130121006
申请日：2013-10-11
申请人： 엘지이노텍 주식회사 , 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 김병재 , 양광석 , 정영훈
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/40
CPC分类号： H01L33/025 , H01L29/1606 , H01L2933/0008
摘要： 실시예는기판상에제1 도전형반도체층, 활성층, 및제2 도전형반도체층을포함하는발광구조물을형성하는단계, 상기제2 도전형반도체층상에그래핀층(graphene layer)을형성하는단계, 상기그래피층에자외선을조사하여상기그래핀층에결함을형성하는자외선처리단계, 및상기결함이형성된그래핀층에전도성을향상시키기위한도펀트를도핑하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明的实施例的发光器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层的发光结构; 在所述第二导电半导体层上形成石墨烯层; 进行紫外线处理以通过向石墨烯层发射紫外线而在石墨烯层上形成缺陷; 并掺杂掺杂剂以改善具有缺陷的石墨烯层上的导电性。

10. 发明授权

KR102009579B1 CdTe 박막 태양전지 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102009579B1
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：KR1020170183100
申请日：2017-12-28
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 김지현 , 변은교 , 권용범
IPC分类号： H01L31/0392 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18

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