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1. 发明授权

KR101955530B1 액정표시장치용 검사장비 및 이를 이용한 검사방법 有权
公开(公告)号：KR101955530B1
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：KR1020120107108
申请日：2012-09-26
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이민경 , 박승렬 , 손경모
IPC分类号： G02F1/13

2. 发明授权

KR101903414B1 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 및 이를 이용한 액정 표시장치의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101903414B1
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：KR1020110129495
申请日：2011-12-06
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 김용일 , 박승렬 , 김정오
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1368 , G02F1/1362
摘要： 본발명은, 기판상에제 1 전극물질층및 쇼트방지물질층을차례로형성한후, 포토레지스트패턴을이용하여상기쇼트방지물질층으로부터쇼트방지막을형성하는공정; 상기포토레지스트패턴에리플로우(Reflow) 공법을적용하여상기제 1 전극물질층으로부터제 1 전극을형성하는공정; 상기리플로우된포토레지스트패턴을포함한기판상에제 2 전극물질층을형성한후, 상기리플로우된포토레지스트패턴및 그상부에형성된상기제 2 전극물질층을리프트-오프(Lift-Off)하여제 2 전극을형성하는공정을포함하는것을특징으로하는박막트랜지스터기판의제조방법및 그를이용한액정표시장치의제조방법에관한것으로서, 본발명에따르면, 동일한평면상에서화소전극및 공통전극에대해고밀도패턴을형성할수 있으며, 이들전극중 어느하나의전극상부에쇼트방지막을형성하는공정을추가하여, 나머지전극과의전기적인쇼트로부터자유로울수 있다.

3. 发明授权

KR101899935B1 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101899935B1
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020110114153
申请日：2011-11-03
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박승렬 , 손경모 , 이지혜
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 본발명은에프에프에스방식액정표시장치용어레이기판및 그제조방법에관한것으로, 개시된발명은기판위에서로교차하여화소영역을정의하는게이트배선과데이터배선, 상기게이트배선과상기데이터배선의교차지점에형성된박막트랜지스터, 상기박막트랜지스터를포함한상기기판전면에형성된제1 패시베이션막, 상기제1 패시베이션막전면에형성되고, 상기박막트랜지스터를노출시키는개구부를구비한공통전극, 상기공통전극을포함한상기제1 패시베이션막상부에형성된제2 패시베이션막및 상기제2 패시베이션막상부에형성되고, 상기공통전극의개구부를통해상기박막트랜지스터와전기적으로접속되며, 선폭이다른다수개의화소전극을포함하여구성된다.

4. 发明授权

KR101725993B1 액정표시장치 제조방법 有权
标题翻译：液晶显示装置的制造方法
公开(公告)号：KR101725993B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020090129348
申请日：2009-12-22
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박승렬 , 손경모
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1362 , H01L27/12
摘要： 본발명은횡전계형액정표시장치제조방법을개시한다. 개시된본 발명의횡전계형액정표시장치제조방법은, 기판상에투명성도전층과금속막을순차적으로형성한다음, 마스크공정을진행하여투명성도전층과금속막의적층구조를갖는게이트배선, 게이트배선과평행한공통배선, 공통배선과평행한제 1 화소전극, 제 1 화소전극으로부터분기된제 2 화소전극패턴, 화소영역이오픈된사각구조의제 1 공통전극패턴, 화소영역의중심에서제 2 화소전극패턴과교대로배치되는제 2 공통전극패턴, 게이트배선으로부터연장된게이트패드및 데이터패드를형성하는단계, 게이트배선등이형성된기판상에게이트절연막과비정질실리콘막및 도핑된비정질실리콘막을순차적으로형성한다음, 마스크공정을진행하여게이트배선상부에액티브층을형성하는단계, 액티브층이형성된기판상에소스/드레인금속막을형성한다음, 마스크공정을진행하여소스/드레인전극, 공통배선과교차하고제 2 화소전극패턴과평행하고제 2 공통전극패턴과평행하고데이터패드와연결된데이터배선, 게이트패드패턴및 데이터패드패턴을형성하는단계, 소스/드레인전극이형성된기판상에보호막을형성한다음, 회절마스크또는하프톤마스크를사용하여화소영역에형성된게이트절연막과보호막을제거하여제 2 화소전극패턴, 제 1 공통전극패턴및 제 2 공통전극패턴을노출시키는단계및 노출된화소영역에투명성도전층에대한식각공정과금속막에대한식각공정을순차적으로진행하여화소영역에투명성도전층을포함하는제 1 공통전극, 제 2 공통전극및 제 2 화소전극을형성하는단계를포함하고, 화소영역은게이트배선과데이터배선이교차하여정의된다.
摘要翻译：本发明公开了一种制造横向电场型液晶显示装置的方法。所公开的横向jeongyehyeong本发明生产方法的液晶显示装置是形成在透明导电层与基片上的金属膜，然后，将栅极布线的顺序，在栅极布线进行遮蔽处理的带有透明导电层和层压结构平行的金属膜 hangong圆柱形线，从第一公共电极图案，平行的第一像素电极的像素区域，从第一像素电极图案分支的第二像素电极，矩形的像素区域中的开放式的结构和公共配线电极的中心的第二像素第二公共电极图案，栅极焊盘，并且形成数据焊盘，栅极布线等，以形成栅极的衬底上绝缘膜和非晶硅膜，以及掺杂的无定形硅膜形成在顺序从布置在图案中具有交替的栅极布线延伸是否定的，则处理进行到形成掩蔽工艺，以在上述栅极配线的有源层，所述有源金属层是形成在基材膜上的源极/漏极，然后二进制掩模工艺执行源/漏电极，该方法包括：一个共同的布线和交叉并平行于第二像素电极图案和平行于第二公共电极图案，并形成数据线，栅极焊盘图案，并与数据垫相关联的数据焊盘图案，所述源/漏电极可释放的基材上形成的保护层，然后，通过使用衍射掩模或半色调掩模，以除去栅绝缘膜和形成在像素区域的保护膜的第二像素电极图案，所述第一公共电极图案和第二曝光到公共电极图案第一公共电极，第二公共电极和第二像素电极进入步骤以及使用该蚀刻处理和在暴露的像素区域中的透明导电层，其被顺序地包括在所述像素区域中的透明导电层上的金属膜的蚀刻工艺像素区域通过使栅极布线和数据布线交叉来限定。

5. 发明公开

KR1020170015837A 퀀텀로드층, 그 제조방법 및 이를 포함하는 표시장치 审中-实审
标题翻译：量子棒层制造方法及包括其的显示装置
公开(公告)号：KR1020170015837A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150172338
申请日：2015-12-04
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박승렬 , 박현진 , 안한진
IPC分类号： G02F1/01 , G02F1/1335 , C08L101/00 , C07C245/08 , C07C15/16 , C07C69/157 , C07D311/06 , G02F1/017
摘要： 본발명은, 일방향으로배열되는베이스고분자와, 상기베이스고분자에결합되는광반응부를포함하는광유도고분자와, 상기일 방향으로배열되는퀀텀로드를포함하는퀀텀로드층을제공하는데, 광유도고분자에의하여퀀텀로드의정렬도가개선됨으로써, 퀀텀로드층의편광특성이향상되고퀀텀로드층의제조비용이절감되고, 표시장치의휘도가개선되고표시장치의소비전력이절감된다.

6. 发明授权

KR101668993B1 횡전계 방식 액정표시장치 有权
标题翻译：平面开关模式液晶显示装置
公开(公告)号：KR101668993B1
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020090114491
申请日：2009-11-25
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박승렬 , 노소영 , 김진필 , 김선우
IPC分类号： G02F1/1343 , G02F1/1337
摘要： 본발명은, 기판상에제1 방향으로교대로배열된게이트라인및 공통라인; 상기기판상에상기제1 방향과상이한제2 방향으로배열된데이트라인; 상기게이트라인과상기데이터라인이교차하는영역에형성된박막트랜지스터; 상기공통라인과연결되는공통전극; 및상기박막트랜지스터와연결되는화소전극을포함하여이루어지고, 상기공통전극과상기화소전극은상기제1 방향으로서로평행하게교대로배열되어있는것을특징으로하는횡전계방식액정표시장치에관한것으로서, 본발명에따르면, 데이터라인근방에서발생하는전계방향과액정의초기배열방향, 즉배향막의러빙방향이일치하게되고, 그에따라데이터라인근방에위치하는액정층은전계인가유무에관계없이그 배열상태가일정하게유지될수 있어데이터라인근방에서빛샘이방지될수 있다. 이와같이하부기판에서빛샘이방지되기때문에상부기판에형성되는차광층의폭을줄일수 있어개구율이증가되고결국액정표시장치의휘도가개선되는효과가있다.

7. 发明公开

KR1020160114747A 액정 표시 장치 및 이를 제조하는 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020160114747A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020167026851
申请日：2014-06-17
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박승렬 , 박현진 , 김진필 , 안한진 , 이한석 , 이수빈
IPC分类号： G02F1/1337 , G02F1/1343 , C08G73/10 , C08L79/08
CPC分类号： G02F1/133788 , G02F1/133723 , G02F1/134363 , G02F2001/134372 , G02F2001/13712 , Y10T428/1018 , Y10T428/1023 , G02F1/1337 , C08G73/1078 , C08L79/08
摘要： 본발명의실시예에따른새로운액정표시장치를제조하는방법이제공된다. 먼저, 배향막이기판상에형성된다. 배향막은, 전구체로서광 분해물질을포함하는액상의폴리이미드로형성된제1 배향막, 및전구체로서광 분해물질을포함하지않는폴리아믹산으로형성된제2 배향막으로나눠진다. UV광이배향막에조사되고, UV광의조사에의해형성된분해물은적어도 2단계의제거공정에의해제거된다. 본개시의예시적인실시예에따른액정표시장치의제조방법에의해, 화소들내에서휘점이최소화되고블랙의휘도가낮아져높은명암비를가지는액정표시장치를구현할수 있다.

8. 发明公开

KR1020140052450A 산화물 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有氧化物半导体的薄膜晶体管衬底及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140052450A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120118552
申请日：2012-10-24
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이은혜 , 박승렬
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L29/78606
摘要： The present invention relates to a thin film transistor substrate containing an oxide semiconductor and a method for manufacturing the same. The thin film transistor substrate containing the oxide semiconductor according to the present invention comprises: a substrate; a gate wiring and a data wiring which are arranged orthogonally to each other on the substrate while interposing an insulating film therebetween to define a pixel region; a thin film transistor including a gate electrode branched from the gate wiring, a channel layer overlapping with the gate electrode on the gate insulating film; a source electrode branched from the data wiring; and a drain electrode facing the source electrode; an etch stopper layer which covers the channel layer region except regions contacting with the source electrode and the drain electrode, and the thin film transistor region except the pixel region between the gate electrode and the source electrode; and a protective film for covering the thin film transistor.
摘要翻译：本发明涉及含有氧化物半导体的薄膜晶体管基板及其制造方法。根据本发明的含有氧化物半导体的薄膜晶体管基板包括：基板; 栅极布线和数据布线，在基板之间插入绝缘膜，以彼此正交配置，以限定像素区域; 包括从所述栅极布线分支的栅电极的薄膜晶体管，与所述栅极绝缘膜上的栅电极重叠的沟道层; 从数据线分支的源电极; 和面向源电极的漏电极; 除了与源电极和漏电极接触的区域以外的沟道层区域以及栅电极和源电极之间的像素区域以外的薄膜晶体管区域的蚀刻停止层; 以及用于覆盖薄膜晶体管的保护膜。

9. 发明授权

KR101376657B1 러빙방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 有权
标题翻译：使用该方法制造液晶显示装置的方法和方法
公开(公告)号：KR101376657B1
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：KR1020100103107
申请日：2010-10-21
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 손경모 , 박승렬 , 노소영 , 김성기 , 김진필 , 이재원
IPC分类号： G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/133784
摘要： 본발명의러빙방법및 이를이용한액정표시장치의제조방법은요구되는프리틸트각(pretilt angle)의반대방향으로 1차러빙을진행한후, 원래의프리틸트각 방향으로 2차러빙을속행함으로써컬럼스페이서와같은고 단차의패턴에의한전경(disclination) 및러빙테일(rubbing tail)을감소시키기위한것으로, 스테이지상에서로다른방향으로회전하는제 1 러빙롤과제 2 러빙롤이구비된러빙장치를제공하는단계; 상기스테이지상에배향막이형성된기판을로딩하는단계; 상기스테이지를상기기판의일측에서다른일측으로이동시키면서제 1 러빙포가권포된상기제 1 러빙롤을요구되는프리틸트각의반대방향으로회전시켜상기배향막에대해 1차러빙공정을수행하는단계; 및상기 1차러빙공정에연속하여제 2 러빙포가권포된상기제 2 러빙롤을원래의프리틸트각 방향으로회전시켜상기 1차러빙된배향막에 2차러빙공정을속행하는단계를포함한다.

10. 发明公开

KR1020130049104A 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译： FRINGE FIELD切换液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130049104A
公开(公告)日：2013-05-13
申请号：KR1020110114159
申请日：2011-11-03
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 남경진 , 박승렬 , 손경모 , 이지혜
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F1/136227 , G02F2001/133357 , G02F2001/134372 , G02F2201/50 , G02F2202/022 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1259
摘要： PURPOSE: A fringe field switching liquid crystal display device, and a method for fabricating the same are provided to increase the etch rate of the upper part of a low temperature protection layer to the discontinuous deposition surface between a gate insulating layer and the protection layer, and to improve an under cut in the contact hole of a pad part. CONSTITUTION: A dry etch process is performed on a first protection layer(215b) and a lower gate insulating layer(215a) using a fourth mask process. A third protection layer(215d) is etched by a seventh mask process to form a pad contact hole. The etch rate of the upper part of a third protection layer to a discontinuous deposition surface among the lower gate insulating layer, a first protection layer, and the third protection layer is increased by changing the layer property of the upper part of the third protection layer.
摘要翻译：目的：提供一种边缘场切换液晶显示装置及其制造方法，以将低温保护层的上部的蚀刻速率增加到栅绝缘层与保护层之间的不连续沉积表面，并且改善垫部分的接触孔中的下切割。构成：使用第四掩模工艺在第一保护层（215b）和下栅极绝缘层（215a）上进行干蚀刻工艺。通过第七掩模工艺蚀刻第三保护层（215d）以形成焊盘接触孔。通过改变第三保护层的上部的层特性，增加了下栅极绝缘层，第一保护层和第三保护层中的第三保护层的上部到不连续沉积表面的蚀刻速率。

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