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1. 发明授权

KR101831186B1 코플라나 형태의 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 표시패널 및 표시장치 有权
公开(公告)号：KR101831186B1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR1020160083097
申请日：2016-06-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 배종욱 , 장용호 , 배준현 , 지광환 , 윤필상 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G09G3/3258 , G09G3/3266 , G09G3/3275 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , H01L27/3272 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要： 본발명은, 산화물로구성된채널의끝단에구비되어, 제1전극및 제2전극과전기적으로연결되는제1도체부와제2도체부가, 게이트절연막에의해커버되어있는, 코플라나형태의산화물박막트랜지스터및 이를이용한표시패널과표시장치를제공한다. 이를위해본 발명에따른코플라나형태의산화물박막트랜지스터는, 버퍼상단에구비되며, 산화물로구성된채널, 채널과버퍼를커버하는게이트절연막, 게이트절연막상단에구비되며, 채널의일부와중첩되는게이트및 게이트와게이트절연막을커버하는보호막을포함한다.

2. 发明授权

KR101825410B1 박막 트랜지스터 기판과 디스플레이 장치 및 그들의 제조방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管基板和显示装置以及制造该SAMES的方法
公开(公告)号：KR101825410B1
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：KR1020160064279
申请日：2016-05-25
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 지광환 , 윤필상 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L21/027 , H01L21/306
摘要： 본발명은박막트랜지스터기판과디스플레이장치및 그들의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막트랜지스터기판과디스플레이장치는산화물반도체로이루어진액티브층, 액티브층의중앙측 상에구비된게이트절연막및 게이트전극을포함하되, 액티브층의중앙의산소농도는액티브층의일단및 타단의산소농도와동일하게구비된다. 또한, 본발명에따른박막트랜지스터기판과디스플레이장치의제조방법은산화물반도체로이루어진액티브층을형성하는공정, 게이트절연막과게이트전극을패턴형성하는공정, 및층간절연막을형성하는공정을포함하되, 층간절연막을형성하는공정을통해액티브층의일단및 타단을도체화시킨다. 이를통해본 발명의도체화영역은전자이동이원활하도록낮은저항을가지면서안정된상태를유지할수 있다.
摘要翻译：薄膜晶体管基板，显示装置及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管基板，根据本发明的薄膜晶体管基板和显示装置包括：由氧化物半导体形成的有源层; 以及包含在有源层的中心侧上的栅极绝缘膜和栅极电极。包括活性层中心的氧浓度与活性层一端和另一端的氧浓度相同。根据本发明的制造薄膜晶体管基板和显示装置的方法包括：形成由氧化物半导体形成的有源层的工艺; 用图案形成栅绝缘膜和栅电极的工艺; 以及形成层间绝缘膜的工艺，其中通过形成层间绝缘膜的工艺，有源层的一端和另一端成为导体。如上所述，本发明的导体区域可以保持稳定的状态，同时具有低电阻，使得电子运动平稳。

3. 发明公开

KR1020180003364A 코플라나 형태의 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 표시패널 및 표시장치 有权
标题翻译：共面型氧化物薄膜晶体管及其制造方法，显示面板以及使用该共面型氧化物薄膜晶体管的显示装置
公开(公告)号：KR1020180003364A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：KR1020160083097
申请日：2016-06-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 배종욱 , 장용호 , 배준현 , 지광환 , 윤필상 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136209 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G09G3/3258 , G09G3/3266 , G09G3/3275 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , H01L27/3272 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L29/78606 , H01L29/78696
摘要： 본발명은, 산화물로구성된채널의끝단에구비되어, 제1전극및 제2전극과전기적으로연결되는제1도체부와제2도체부가, 게이트절연막에의해커버되어있는, 코플라나형태의산화물박막트랜지스터및 이를이용한표시패널과표시장치를제공한다. 이를위해본 발명에따른코플라나형태의산화물박막트랜지스터는, 버퍼상단에구비되며, 산화물로구성된채널, 채널과버퍼를커버하는게이트절연막, 게이트절연막상단에구비되며, 채널의일부와중첩되는게이트및 게이트와게이트절연막을커버하는보호막을포함한다.
摘要翻译：本发明是在由一种氧化物，第一电极和通道的端部处的，氧化物薄膜的共面型首先被第一导体部分和第二导体部分，栅极绝缘膜覆盖，以电连接到第二电极以及使用其的显示面板和显示装置。根据本发明为此的各方面的氧化物TFT的共面形式，提供了一种缓冲器顶部，由氧化物通道，设置在栅绝缘膜上，上层侧栅绝缘膜，覆盖所述缓冲的信道，其与沟道栅极的一部分重叠，并并且覆盖栅极和栅极绝缘膜的保护膜。

4. 发明公开

KR1020160049172A 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板和包含该基板的显示装置
公开(公告)号：KR1020160049172A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020140145421
申请日：2014-10-24
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 오새룬터 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/78606 , H01L29/78618 , H01L29/7869
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터어레이기판은기판, 액티브층, 게이트절연막, 게이트전극, 층간절연막, 소스전극및 드레인전극을포함한다. 액티브층은기판상에위치하며, 산화물반도체를포함하고, 게이트절연막은액티브층의채널부상에위치한다. 게이트전극은게이트절연막상에위치하고, 층간절연막은게이트전극과액티브층상에위치한다. 소스전극과드레인전극은층간절연막상에위치하며, 액티브층의도체화부에각각연결된다. 액티브층은채널부및 채널부를제외한도체화부를포함하며, 채널부의두께는도체화부의두께보다얇다.
摘要翻译：根据本发明的实施例，薄膜晶体管阵列基板包括基板，有源层，栅极绝缘膜，栅电极，层间绝缘膜，源电极和漏电极。有源层被放置在衬底上并且包括氧化物半导体。栅极绝缘膜放置在有源层的沟道部分的顶部。栅极被放置在栅极绝缘膜上，层间绝缘膜被放置在栅电极和有源层上。源电极和漏极放置在层间绝缘膜上并连接到有源层的导电部分。有源层包括通道部分和除通道部分之外的导电部件。通道部分比导电部分薄。

5. 发明授权

KR102235076B1 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102235076B1
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：KR1020140136171
申请日：2014-10-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 노지용 , 배종욱 , 지광환 , 박종백
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터어레이기판은버퍼층, 액티브층, 게이트절연막, 게이트전극, 층간절연막, 소스전극및 드레인전극을포함한다. 버퍼층은기판상에위치한다. 액티브층은버퍼층상에위치하며, 산화물반도체로이루어지고채널영역을포함한다. 게이트절연막은액티브층의채널영역상에위치한다. 게이트전극은게이트절연막상에위치한다. 층간절연막은게이트전극상에위치한다. 소스전극및 드레인전극은층간절연막상에위치하며, 액티브층에각각연결된다. 또한, 액티브층의채널영역과상기채널영역을제외한오프셋영역에서산소의함량이동일한것을특징으로한다.

6. 发明公开

KR1020160042353A 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160042353A
公开(公告)日：2016-04-19
申请号：KR1020140136171
申请日：2014-10-08
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 노지용 , 배종욱 , 지광환 , 박종백
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L29/78696
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터어레이기판은버퍼층, 액티브층, 게이트절연막, 게이트전극, 층간절연막, 소스전극및 드레인전극을포함한다. 버퍼층은기판상에위치한다. 액티브층은버퍼층상에위치하며, 산화물반도체로이루어지고채널영역을포함한다. 게이트절연막은액티브층의채널영역상에위치한다. 게이트전극은게이트절연막상에위치한다. 층간절연막은게이트전극상에위치한다. 소스전극및 드레인전극은층간절연막상에위치하며, 액티브층에각각연결된다. 또한, 액티브층의채널영역과상기채널영역을제외한오프셋영역에서산소의함량이동일한것을특징으로한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板包括缓冲层，有源层，栅极绝缘膜，栅电极，层间绝缘膜，源电极和漏电极。缓冲层位于基板上。有源层位于缓冲层上并由二氧化硅半导体形成，并且包括沟道区。栅极绝缘膜位于沟道区上。栅电极位于栅极绝缘膜上。层间绝缘膜位于栅电极上。源极和漏极位于层间绝缘膜上，各自连接到有源层。此外，其特征在于有源层的沟道区域和沟道区域以外的偏移区域中的氧含量相同。

7. 发明公开

KR1020150101407A 박막 트랜지스터 기판 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管
公开(公告)号：KR1020150101407A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020150025988
申请日：2015-02-24
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이소형 , 류원상 , 박세희 , 정인상 , 김성훈 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78606 , H01L27/3262 , H01L29/78618 , H01L29/78645 , H01L29/7869
摘要： 본 발명의 박막 트랜지스터 기판은 본 발명의 박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 구비된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층을 덮도록 상기 기판 상에 구비된 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 구비되어 상기 제1 반도체층과 중첩되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 상에 구비되는 제2 절연층, 및 상기 제2 절연층 상에 구비되어 상기 제1 반도체층 및 상기 게이트 전극과 중첩되는 제2 반도체층을 포함한다.
摘要翻译：本发明的薄膜晶体管基板包括形成在基板上的第一半导体层; 形成在所述基板上以覆盖所述第一半导体层的第一绝缘层; 栅电极，形成在所述第一绝缘层上，并重叠在所述第一半导体层上; 形成在所述第一绝缘层上以覆盖所述栅电极的第二绝缘层; 以及形成在所述第二绝缘层上并与所述第一半导体层和所述栅电极重叠的第二半导体层。

8. 发明公开

KR1020150101417A 표시장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020150101417A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020150026037
申请日：2015-02-24
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이소형 , 류원상 , 박세희 , 정인상 , 김성훈 , 노지용
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3258 , H01L2227/32
摘要： 본 발명의 표시장치는 기판 상에 구비된 제1 반도체층, 상기 제1 반도체층을 덮도록 상기 기판 상에 구비된 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 구비되어 상기 제1 반도체층과 중첩되는 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 덮도록 상기 제1 절연층 상에 구비되는 제2 절연층, 및 상기 제2 절연층 상에 구비되어 상기 제1 반도체층 및 상기 게이트 전극과 중첩되는 제2 반도체층을 포함한다.
摘要翻译：本发明的显示装置包括：在基板上制备的第一半导体层; 在衬底上制备的覆盖第一半导体层的第一绝缘层; 准备在所述第一绝缘膜上以与所述第一半导体层重叠的栅电极; 准备在所述第一绝缘层上以覆盖所述栅电极的第二绝缘层; 以及在所述第二绝缘层上制备的与所述第一半导体层和所述栅电极重叠的第二半导体层。

9. 发明公开

KR1020170133159A 박막 트랜지스터 기판과 디스플레이 장치 및 그들의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板及显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170133159A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020160064279
申请日：2016-05-25
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 지광환 , 윤필상 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F1/1368 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L27/3262 , H01L29/78606 , H01L29/78618
摘要： 본발명은박막트랜지스터기판과디스플레이장치및 그들의제조방법에관한것이다. 본발명에따른박막트랜지스터기판과디스플레이장치는산화물반도체로이루어진액티브층, 액티브층의중앙측 상에구비된게이트절연막및 게이트전극을포함하되, 액티브층의중앙의산소농도는액티브층의일단및 타단의산소농도와동일하게구비된다. 또한, 본발명에따른박막트랜지스터기판과디스플레이장치의제조방법은산화물반도체로이루어진액티브층을형성하는공정, 게이트절연막과게이트전극을패턴형성하는공정, 및층간절연막을형성하는공정을포함하되, 층간절연막을형성하는공정을통해액티브층의일단및 타단을도체화시킨다. 이를통해본 발명의도체화영역은전자이동이원활하도록낮은저항을가지면서안정된상태를유지할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及薄膜晶体管基板和显示装置及其制造方法。一种薄膜晶体管基板，并且根据本发明的包括一栅绝缘膜和设置在所述有源层的中心侧的栅极电极的显示装置中，有源层包含氧化物半导体的，在活性层的中心的氧浓度具有端部和所述有源层的另一端它同样配备有盐酸。此外，但根据本发明的薄膜晶体管基板的制造方法和显示装置包括形成步骤的步骤，和层间绝缘膜以形成图案的过程中，栅绝缘膜和栅电极，以形成由氧化物半导体制成的有源层，中间层通过形成绝缘膜的步骤将有源层的一端和另一端变换为导体。因此，本发明的导体区域可以保持低电阻的稳定状态以促进电子移动。

10. 发明公开

KR1020170079638A 박막트랜지스터 및 그 제조방법, 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法，包括薄膜晶体管的显示装置
公开(公告)号：KR1020170079638A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150190411
申请日：2015-12-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 박세희 , 서정석 , 노지용
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L27/32
摘要： 본발명의박막트랜지스터의반도체층은 IGZO, ZnO, IZO, ITO, ZTO, GZO 및 ZITO과같은산화물반도체로구성되며, 이때반도체층은채널영역및 도전영역으로구성되는데, 도전영역은반도체층내에서플로팅되며, 채널영역에는채널이형성되어게이트전극에전압이인가되면반도체층내에채널, 도전영역, 채널로이어지는신호전달통로가형성된다.
摘要翻译：本发明的晶体管的半导体层由氧化物半导体如IGZO，氧化锌，IZO，ITO，ZTO，GZO和ZITO，其中，所述半导体层构成的沟道区和所述导电区域中的，所述导电区是在所述半导体层内的浮置并且，信道区域，从而导致信道，所述导电区域中的信号转导途径，所述半导体层中的信道时，将电压施加到栅电极形成被形成在信道。

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