专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102262775B1 표시장치 有权
公开(公告)号：KR102262775B1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：KR1020150091872
申请日：2015-06-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 장훈 , 강규태 , 이원호 , 김태한
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/1343 , G09F9/30 , G09G3/3225 , H01L27/32

2. 发明授权

KR102113603B1 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102113603B1
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：KR1020130073883
申请日：2013-06-26
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 원규식 , 장훈 , 이슬 , 강규태
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336

3. 发明公开

KR1020170125670A 어레이 기판 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：阵列基板和包括其的显示装置
公开(公告)号：KR1020170125670A
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020160055880
申请日：2016-05-06
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 강규태 , 신승환 , 서대영
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 본발명은어레이기판및 이를포함하는표시장치에관한것이다. 본발명은순차적으로게이트신호를제공하는어레이기판에서전단게이트라인의게이트신호를이용하여구동화소전극을예비충전하여화소전극의충전률을증가시킬수 있다. 또한, 본발명은화소전극을예비충전하기위하여예비충전트랜지스터를포함할수 있다. 이에, 본발명은화소전극의충전율을증가하므로표시장치의평균휘도및 색재현율등을증가하고, 휘도불균형을개선시킬수 있다.
摘要翻译：阵列基板和包括该阵列基板的显示装置技术领域本发明涉及阵列基板和包括阵列基板的显示装置。本发明通过使用阵列基板中先前的栅极线的栅极信号依次提供栅极信号，通过对驱动像素电极进行预充电，可以提高像素电极的充电速率。另外，本发明可以包括用于预充电像素电极的预充电晶体管。因此，本发明增加了像素电极的填充率，由此增加了显示装置的平均亮度和颜色再现率并改善了亮度不均匀性。

4. 发明公开

KR1020160068130A 고 해상도 구현을 위한 표시장치 审中-实审
标题翻译：用于实施高分辨率的显示设备
公开(公告)号：KR1020160068130A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：KR1020140173406
申请日：2014-12-04
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 강규태 , 장훈 , 이주연
IPC分类号： G09G3/20
CPC分类号： G09G3/20 , G09G3/2003 , G09G3/2007
摘要： 본발명에따른표시장치는표시패널과, 상기표시패널의데이터라인들에인가될데이터전압을생성하는데이터구동회로와, 상기데이터구동회로의 2개의출력채널들마다접속된 k+1(k는 3 이상의홀수)개의먹스스위치들을포함하고, 상기먹스스위치들의스위칭동작을통해상기데이터전압을시분할하여 k개의데이터라인들에분배하는데이터샘플링부와, 상기먹스스위치들의턴-온타임을제어하기위해 k+1개의먹스제어신호들을생성하되, 상기 k+1개의먹스제어신호들중 일부를 1 수평기간내에서서로중첩시켜생성하는제어신호생성부를구비한다.
摘要翻译：根据本发明的显示装置包括显示面板，产生施加到显示面板的数据线的数据电压的数据驱动电路，数据采样部分，其包括（k + 1）多个复用开关（k为分别连接到数据驱动电路的两个输出通道的奇数三个或更多个），并且通过多路复用器开关的切换操作来对数据电压进行时间分割，以分配k个数据线，并且控制信号生成部分其产生（k + 1）个多路复用器控制信号，用于控制多路复用器开关的接通时间，其中（k + 1）个多路复用器控制信号中的一些在第一水平周期中彼此重叠并产生。因此，可以在第一水平周期期间最大程度地确保数据电压的充电时间。

5. 发明授权

KR102167140B1 네로우 베젤을 갖는 표시장치 有权
公开(公告)号：KR102167140B1
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：KR1020140139955
申请日：2014-10-16
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 장훈 , 강규태 , 김원두 , 이주연
IPC分类号： G09G3/36

6. 发明授权

KR102054682B1 쉬프트 레지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102054682B1
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：KR1020130069892
申请日：2013-06-18
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 장훈 , 이슬 , 강규태 , 원규식
IPC分类号： G09G3/36 , G09G3/3266

7. 发明授权

KR102020932B1 스캔 구동부 및 이를 이용한 표시장치 有权
公开(公告)号：KR102020932B1
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：KR1020130052542
申请日：2013-05-09
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 이슬 , 장훈 , 강규태 , 원규식
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/3266 , G09G3/36

8. 发明授权

KR101875695B1 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101875695B1
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：KR1020150169493
申请日：2015-11-30
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 지승훈 , 김창수 , 강규태 , 권지희
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1343
摘要： 본발명의액정표시장치용어레이기판은, 제1, 제2, 제3 화소영역이정의된기판을포함하고, 제1, 제2, 제3 화소영역의각각에는박막트랜지스터가위치하며, 박막트랜지스터상부에는제1, 제2, 제3 화소영역에각각대응하여제1, 제2, 제3 컬러필터를포함하는컬러필터층이위치하고, 제1, 제2, 제3 화소영역각각의컬러필터층상부에는화소전극과공통전극이위치하며, 박막트랜지스터와컬러필터층사이에보호층이위치하는데, 보호층은제2 화소영역에서제거된다. 이때, 보호층은제1 및제3 컬러필터를식각마스크로이용하여건식식각을통해제거될수 있으며, 제2 화소영역의게이트절연막또한제거될수 있다.

9. 发明公开

KR1020170021945A 액정표시장치 审中-实审
标题翻译：液晶显示装置
公开(公告)号：KR1020170021945A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020150115978
申请日：2015-08-18
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 장훈 , 강규태
IPC分类号： G09G3/36
摘要： 본발명은대형또는고해상도의액정표시장치구현시, 데이터구동부의발열및 소비전력을절감할수 있음은물론액정패널상에특정극성의뭉침을방지및 분산한다. 이를위해, 데이터구동부는한 채널당두 개의데이터라인에공통으로연결되도록접속된다.

10. 发明公开

KR1020150001140A 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150001140A
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：KR1020130073883
申请日：2013-06-26
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 원규식 , 장훈 , 이슬 , 강규태
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136286 , H01L27/1248 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/4908
摘要： 본 발명은 베젤 영역을 감소시켜, 네로우 베젤(Narrow bezel)을 구현할 수 있는 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터 어레이 기판은 기판 상에 형성된 수직 게이트 배선 및 상기 수직 게이트 배선과 평행하도록 형성된 하부 데이터 배선; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 수직 게이트 배선을 노출시키는 게이트 콘택홀을 포함하는 제 1 게이트 절연막; 상기 제 1 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 수직 게이트 배선과 교차하며, 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 수직 게이트 배선과 접속되는 수평 게이트 배선 및 게이트 전극; 상기 제 1 게이트 절연막 상에 상기 수평 게이트 배선 및 상기 게이트 전극을 덮도록 형성되며, 상기 하부 데이터 배선을 노출시키는 데이터 콘택홀을 포함하는 제 2 게이트 절연막; 상기 제 2 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 게이트 전극과 중첩되는 반도체층; 및 상기 제 2 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 하부 데이터 배선과 중첩되는 상부 데이터 배선과, 상기 반도체층 상에서 서로 분리된 구조의 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 상부 및 하부 데이터 배선을 사이에 두고 분리된 제 1 및 제 2 서브 화소 중 상기 제 1 서브 화소의 소스 전극은 상기 데이터 콘택홀을 통해 노출된 상기 하부 데이터 배선과 접속되며, 상기 제 2 서브 화소의 소스 전극은 상기 상부 데이터 배선이 연장 형성되어 정의된다.
摘要翻译：本发明涉及通过减少边框区域实现窄边框的薄膜晶体管（TFT）阵列基板及其制造方法。根据本发明的TFT阵列基板包括形成在基板上的垂直栅极布线和形成为平行于垂直栅极布线的下部数据布线; 第一栅极绝缘层，形成在所述基板上，并且包括暴露所述垂直栅极布线的栅极接触孔，与所述垂直栅极布线交叉的水平栅极布线和栅电极，所述第一栅极绝缘层插入在所述栅极绝缘层之间并且连接到所述垂直栅极布线，门接触孔; 第二栅极绝缘层，形成在所述第一栅极绝缘层上以覆盖所述水平栅极布线和所述栅电极，并且包括暴露所述下部数据布线的数据接触孔; 形成在所述第二栅极绝缘层上且与所述栅电极重叠的半导体层; 以及形成在所述第二栅极绝缘层上并与所述半导体层上的下部数据布线重叠的所述上部数据布线分离的源电极和漏电极，其中，在由所述上部和下部数据布线间隔开的第一和第二子像素中，第一子像素的源极连接到通过数据接触孔露出的下部数据布线，并且第二子像素的源极被定义为上部数据布线延伸。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式