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1. 发明公开

KR1020060049736A 배선 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：形成布线图案的方法
公开(公告)号：KR1020060049736A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050059034
申请日：2005-07-01
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키
IPC分类号： G02F1/136 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/288 , H05K3/125 , H05K3/1258 , H05K2203/013 , H05K2203/0568 , H05K2203/0577 , H05K2203/0594
摘要： 포토레지스트 패턴은 배선 패턴의 역 패턴인 역테이퍼상의 단면을 갖도록 절연 기판 상에 형성된다.
다음으로, 나노입자를 포함한 잉크가 잉크제트 시스템을 사용하여 배선 영역에 분사되고, 그 후, 레벨링 공정, 건조 공정, 레지스트 박리 공정, 소성 공정을 수행하여, 배선 패턴이 형성된다.
포토레지스트 패턴, 나노입자, 잉크제트 시스템

2. 发明公开

KR1020040081344A 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制备方法可以缩短加氢氢化扩散距离
公开(公告)号：KR1020040081344A
公开(公告)日：2004-09-21
申请号：KR1020040016407
申请日：2004-03-11
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78675 , Y10S438/91 , Y10S438/958
摘要： PURPOSE: A thin film transistor is provided to shorten a diffusion distance of hydrogen by forming a hydrogen supply layer for diffusing hydrogen to an interface between a polycrystalline silicon thin film and a gate insulation layer in a position between the gate insulation layer and a gate electrode. CONSTITUTION: A polycrystalline silicon thin film(3) has a source region(4) and a drain region(5). A gate electrode(9) is formed on the polycrystalline silicon thin film by interposing a gate insulation layer(7). A hydrogen supply layer(8) is formed between the gate insulation layer and the gate electrode to supply hydrogen to an interface between the polycrystalline silicon thin film and the gate insulation layer.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管，通过在栅极绝缘层和栅电极之间的位置形成用于将氢扩散到多晶硅薄膜和栅极绝缘层之间的界面的氢供应层来缩短氢的扩散距离。构成：多晶硅薄膜（3）具有源极区（4）和漏极区（5）。通过设置栅极绝缘层（7），在多晶硅薄膜上形成栅电极（9）。在栅极绝缘层和栅电极之间形成氢供给层（8），以向多晶硅薄膜和栅绝缘层之间的界面供给氢。

3. 发明授权

KR100441295B1 능동 매트릭스 기판 제조 방법 失效
标题翻译： 능동매트릭스기판제조방법
公开(公告)号：KR100441295B1
公开(公告)日：2004-07-23
申请号：KR1020010041132
申请日：2001-07-10
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 하야세타카스케 , 타나카히로아키 , 키도슈사쿠 , 하라노토시히코
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/66765 , G02F1/136204 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/78633
摘要： The photolithography processes for connecting the first conductive film pattern, which is a lower layer such as a gate electrode of a TFT, to a second conductive film pattern, which is an upper layer such as a source/drain electrode of a TFT are reduced by utilizing laminated films and a resist pattern formed thereon having different film thicknesses. Laminated films constituting the source/drain electrode are formed by depositing films on an insulating substrate on which the first conductive film pattern is formed, and the resist pattern is formed on the top layer of the laminated films, and then utilizing the film thickness difference of the resist pattern and the film composition of the laminated films, the short circuited wiring between the gate electrode and the source/drain electrode for an Electro-Static-Discharge protection circuit of the active matrix substrate can be formed by less photolithography processes than that in the manufacturing of the conventional active matrix substrate.
摘要翻译：用于将诸如TFT的栅极电极之类的下层的第一导电膜图案连接至诸如TFT的源极/漏极电极之类的上层的第二导电膜图案的光刻工艺被减少利用具有不同膜厚度的层压膜和形成在其上的抗蚀剂图案。通过在形成有第一导电膜图案的绝缘基板上沉积膜形成构成源极/漏极电极的层压膜，并且在层压膜的顶层上形成抗蚀剂图案，然后利用膜厚度差抗蚀剂图案和层压膜的膜组成，用于有源矩阵基板的静电放电保护电路的栅极电极和源极/漏极电极之间的短路布线可以通过较少的光刻工艺形成，常规有源矩阵基板的制造。

4. 发明授权

KR100702284B1 박막 트랜지스터 회로 장치 및 상기 박막 트랜지스터 회로 장치를 이용한 액정 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管电路器件和使用薄膜晶体管电路器件的液晶显示器
公开(公告)号：KR100702284B1
公开(公告)日：2007-03-30
申请号：KR1020040057114
申请日：2004-07-22
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키 , 야스다쿄우네이 , 스즈키세이지
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
摘要： 하부층은 알루미늄 합금으로 상부층은 몰리브덴 합금으로 구성된 배선을 포함하고, 몰리브덴 합금의 공기중에서의 부식이 용이하게 진행되지 않는 박막 트랜지스터 회로 장치 및 그 제조 방법이 요구된다. 본 발명에 따르면, 기판의 중심부상에 형성된 주 회로 영역의 박막 트랜지스터를 접속하는 절연막으로 피복된 배선의 일부를, 상기 기판의 외주부상에 형성된 보호 회로 영역에 노출시키고, 상기 노출된 표면상에 단자 전극 금속으로 형성된 단자를 포함하는 박막 트랜지스터 회로 장치에 있어서, 상기 배선의 최상부 표면은 니오븀(niobium)을 함유하는 몰리브덴 합금이다.
박막 트랜지스터, 액정 표시 장치

5. 发明公开

KR1020070003719A 박막 트랜지스터 회로 장치의 제조 방법 无效
标题翻译：薄膜晶体管电路生产方法
公开(公告)号：KR1020070003719A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020060110237
申请日：2006-11-09
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키 , 야스다쿄우네이 , 스즈키세이지
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L27/12 , H01L27/1214
摘要： A method for manufacturing a thin film transistor circuit device is provided to remarkably improve corrosion resistance of a molybdenum alloy to air by adding niobium to molybdenum in a ratio of from 5 to 20 atom%. An insulation film is formed on electrodes of a thin film transistor or a wiring. Openings are formed on the insulation film to expose at least a portion of the electrodes of the transistor or the wiring. A conductive film having a connection wiring connecting the electrodes or the openings is formed on the opening. The electrode of the thin film transistor or the wiring is made of a molybdenum alloy comprising niobium. After the opening is formed, the exposed surface of the metal is subjected to an oxidizing process.
摘要翻译：提供一种制造薄膜晶体管电路器件的方法，通过以5至20原子％的比例将钼合金加入到钼中来显着提高钼合金对空气的耐腐蚀性。在薄膜晶体管或布线的电极上形成绝缘膜。在绝缘膜上形成开口以暴露晶体管或布线的至少一部分电极。在开口上形成具有连接电极或开口的连接线的导电膜。薄膜晶体管或布线的电极由包含铌的钼合金制成。在形成开口后，对金属的暴露表面进行氧化处理。

6. 发明授权

KR100664801B1 배선 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：形成接线图案的方法
公开(公告)号：KR100664801B1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050059034
申请日：2005-07-01
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키
IPC分类号： G02F1/136 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/288 , H05K3/125 , H05K3/1258 , H05K2203/013 , H05K2203/0568 , H05K2203/0577 , H05K2203/0594
摘要： 포토레지스트 패턴은 배선 패턴의 역 패턴인 역테이퍼상의 단면을 갖도록 절연 기판 상에 형성된다.
다음으로, 나노입자를 포함한 잉크가 잉크제트 시스템을 사용하여 배선 영역에 분사되고, 그 후, 레벨링 공정, 건조 공정, 레지스트 박리 공정, 소성 공정을 수행하여, 배선 패턴이 형성된다.
포토레지스트 패턴, 나노입자, 잉크제트 시스템

7. 发明公开

KR1020020006450A 능동 매트릭스 기판 제조 방법 失效
标题翻译：制作有源矩阵板的方法
公开(公告)号：KR1020020006450A
公开(公告)日：2002-01-19
申请号：KR1020010041132
申请日：2001-07-10
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 하야세타카스케 , 타나카히로아키 , 키도슈사쿠 , 하라노토시히코
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L29/66765 , G02F1/136204 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/78633
摘要： PURPOSE: To enable an active matrix board mounted with an electrostatic protective circuit to be manufactured in four photolithography processes. CONSTITUTION: A method of forming a TFT on an insulating board comprises a first process of laminating material films that form the TFT on the insulating board, a second process of forming a resist pattern having regions (an opening, a first resist mask 15, and a second resist mask) different from each other in thicknesses on the uppermost layer of the laminated material films by patterning, and a third process of processing some material films out of the laminated material films, using the resist pattern as an etching mask. By this method, a photolithography process for connecting a lower first conductive layer such as the gate electrode of the TFT and an upper second conductive layer such as the diameter.drain electrode of the TFT together can be shortened.
摘要翻译：目的：使得安装有静电保护电路的有源矩阵板可以在四个光刻工艺中制造。构成：在绝缘板上形成TFT的方法包括：在绝缘板上层叠形成TFT的材料膜的第一工艺，形成具有区域（开口，第一抗蚀剂掩模15和第二抗蚀剂掩模），并且通过图案化在层压材料膜的最上层上的厚度彼此不同，以及使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来处理层压材料膜中的一些材料膜的第三种处理。通过该方法，可以缩短用于将诸如TFT的栅电极的下部第一导电层和诸如TFT的直径电极的上部第二导电层连接在一起的光刻工艺。

8. 发明授权

KR100607768B1 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR100607768B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1020040016407
申请日：2004-03-11
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/4908 , H01L29/78675 , Y10S438/91 , Y10S438/958
摘要： 본 발명은 포토리소그래피 단계를 증가 시키지 않고 수소의 확산 거리를 단축할 수 있는 위치에 수소 공급층을 형성하기 위한 것으로서, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 게이트 절연막과 게이트 전극과의 사이의 위치에 다결정 실리콘 박막과 게이트 절연막의 계면의 댕글링 본드에 수소를 확산하기 위한 수소 공급층이 형성되어 있다. 상기 구성에 의해 수소화 도중의 수소의 확산 거리가 단축되어 열처리에 시간이 걸리지 않고서 수소화를 충분히 행할 수 있게 된다.
수소 공급층, 박막 트랜지스터

9. 发明公开

KR1020050011725A 박막 트랜지스터 회로 장치 및 상기 박막 트랜지스터 회로 장치를 이용한 액정 표시 장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管电路装置及其制造方法，以及使用薄膜晶体管电路装置的液晶显示装置，特别是关于提高莫尔氏合金在空气中的耐腐蚀性
公开(公告)号：KR1020050011725A
公开(公告)日：2005-01-29
申请号：KR1020040057114
申请日：2004-07-22
申请人： 엔엘티 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 타나카히로아키 , 야스다쿄우네이 , 스즈키세이지
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L29/456 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678
摘要： PURPOSE: A thin film transistor circuit device, a method for manufacturing the same, and a liquid crystal display device using the thin film transistor circuit device are provided to improve corrosion resistance of a molybdenum alloy in air by adding niobium to molybdenum at a certain rate, and improve the reliability of gate terminals/wires and drain terminals/wires. CONSTITUTION: Wires and thin film transistors are formed at a main circuit area formed in the center of a substrate, and an external circuit area formed on an outer peripheral part of the substrate. Electrodes(15,16) of the wires and the thin film transistors are coated with an insulating film. Via apertures are formed on the insulating film. Utmost upper surfaces of the electrodes of the wires and/or thin film transistors are exposed through the via apertures. The electrodes of the wires and/or thin film transistors are connected with a metal film. The exposed utmost upper surfaces are molybdenum alloy containing niobium.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管电路器件及其制造方法以及使用薄膜晶体管电路器件的液晶显示器件，以通过以一定速率向钼中添加铌来提高钼合金在空气中的耐腐蚀性，并提高了栅极端子/导线和漏极端子/电线的可靠性。构成：在形成在基板的中心的主电路区域和形成在基板的外周部分上的外部电路区域形成电线和薄膜晶体管。导线的电极（15,16）和薄膜晶体管被涂覆有绝缘膜。绝缘膜上形成通孔。导线和/或薄膜晶体管的电极的最上表面通过通孔露出。电线和/或薄膜晶体管的电极与金属膜连接。暴露的最大上表面是含有铌的钼合金。

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