专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100767246B1 화학 증착 필름의 침착 속도를 강화시키는 방법 失效
标题翻译：提高化学气相沉积膜沉积速率的方法
公开(公告)号：KR100767246B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020040022134
申请日：2004-03-31
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이먼드니콜라스 , 루카스아론스콧 , 오넬마크레오나드 , 빈센트진루이스 , 빗너마크다니엘 , 카웍키쥬니어유진조지프 , 피터슨브라이언케이쓰
IPC分类号： H01B3/46
CPC分类号： H01L21/02118 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02318 , H01L21/3122 , H01L21/31633 , H01L21/31695
摘要： 본 발명은 전자공학 디바이스에 유용한 유기실리카 유리 필름 및 유기 중합체 필름 및 이들 필름을 제조하는 방법을 본 명세서에 개시하고 있다. 본 발명의 한 실시양태에서, 본 발명은 반응 체임버 내에 기판을 제공하는 단계; 내부에 함유된 탄소 결합 및 수소 결합을 갖는 유기 전구물질 및 속도 강화제를 포함하는 기체 화학 시약을 반응 체임버 내로 도입하는 단계로서, 상기 속도 강화제는 산소 함유 화합물, 화학식 R
1 OOR
2 를 갖는 퍼옥사이드 화합물, 화학식 R
3 C(O)OC(O)R
4 를 갖는 과산 화합물, 불소 함유 화합물, 및 중질 불활성 기체로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 구성원인 것인 단계; 및 기판의 적어도 일부 위에 시약의 반응을 유도하여 필름을 침착시키기에 충분하도록 반응 체임버 내의 화학 시약에 에너지를 가하는 단계를 포함하는, 유기 화학종을 포함하는 필름의 화학 증착을 강화시키는 방법을 제공한다.

2. 发明公开

KR1020020090144A 낮은 유전 상수 물질 및 ＣＶＤ에 의한 처리 방법 失效
标题翻译：低介电常数材料和CVD法处理方法
公开(公告)号：KR1020020090144A
公开(公告)日：2002-11-30
申请号：KR1020020028368
申请日：2002-05-22
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 오넬마크레오나드 , 피터슨브라이언케이쓰 , 빈센트진루이스 , 브리티스레인몬드니콜라스
IPC分类号： H01B3/12
CPC分类号： H01L21/02131 , C03C3/045 , C03C14/008 , C23C16/30 , C23C16/401 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3127 , H01L21/316 , H01L21/31633
摘要： PURPOSE: An organo fluorosilicate glass film and its preparation method by CVD (chemical vapor deposition) are provided, wherein the film has a low dielectric constant and can be applied for various uses in electronics. CONSTITUTION: The organo fluorosilicate glass film is represented by SivOwCxHyFz, wherein v+w+x+y+z is 100%, v is 10-35 atomic%, w is 10-65 atomic%, y is 10-50 atomic%, x is 2-30 atomic%, z is 0.1-15 atomic% and practically none of the fluorine atom is bonded to the carbon atom. Preferably x/z is greater than 0.25. The method comprises the steps of providing a substrate within a vacuum chamber; introducing into the vacuum chamber the gaseous reagents comprising a fluorine-providing gas, an oxygen-providing gas and at least one precursor gas selected from the group consisting of an organosilane and an organosiloxane; and applying energy to the gaseous reagents in the chamber to induce the reaction of the gaseous reagents and to form the film on the substrate.
摘要翻译：目的：提供有机氟硅酸盐玻璃膜及其通过CVD（化学气相沉积）的制备方法，其中该膜具有低介电常数并且可以应用于电子学中的各种用途。构成：有机氟硅酸盐玻璃膜由SivOwCxHyFz表示，其中v + w + x + y + z为100％，v为10-35原子％，w为10-65原子％，y为10-50原子％ x为2-30原子％，z为0.1〜15原子％，实际上没有氟原子与碳原子键合。 x / z优选大于0.25。该方法包括以下步骤：在真空室内提供衬底; 向真空室中引入含有提供供气的气体试剂，供氧气体和选自有机硅烷和有机硅氧烷的至少一种前体气体; 并向腔室中的气态试剂施加能量以诱导气态试剂的反应并在基底上形成膜。

3. 发明授权

KR100489758B1 낮은 유전 상수 물질 및 ＣＶＤ에 의한 처리 방법 失效
标题翻译：低介电常数材料及其加工方法
公开(公告)号：KR100489758B1
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：KR1020020028368
申请日：2002-05-22
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 오넬마크레오나드 , 피터슨브라이언케이쓰 , 빈센트진루이스 , 브리티스레인몬드니콜라스
IPC分类号： H01B3/12
CPC分类号： H01L21/02131 , C03C3/045 , C03C14/008 , C23C16/30 , C23C16/401 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3127 , H01L21/316 , H01L21/31633
摘要： 오가노플루오로실리케이트 유리 필름은 유의적인 양의 플루오로카본 화학종을 제외하고 유기 화학종과 무기 불소를 모두 함유한다. 바람직한 필름은 화학식 Si
v O
w C
x H
y F
z 에 의해 표시되며, 상기 식 중 v+w+x+y+z = 100%이고, v는 10 내지 35 원자%이며, w는 10 내지 65 원자%이고, y는 10 내지 50 원자%이며, x는 1 내지 30 원자%이고, z는 0.1 내지 15 원자%이며, x/z는 임의로 0.25 이상이고, 실질적으로는 어떤 불소도 탄소에 결합되어 있지 않다. CVD 방법은 (a) 진공 체임버 내로 기판을 제공하는 단계, (b) 진공 체임버 내로 불소-공급 기체, 산소-공급 기체 및 오가노실란과 오가노실록산으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 전구체 기체를 포함하는 기체상 시약을 도입시키는 단계, 및 (c) 기체상 시약의 반응을 유도하고 기판에 필름을 형성시키기 위해 체임버 내의 기체상 시약에 에너지를 가하는 단계를 포함한다.

4. 发明公开

KR1020040088362A 화학 증착 필름의 침착 속도를 강화시키는 방법 失效
标题翻译：包含有机化学物质的化学气相沉积膜沉积速率的方法用于集成电路中的介质介质
公开(公告)号：KR1020040088362A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：KR1020040022134
申请日：2004-03-31
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이먼드니콜라스 , 루카스아론스콧 , 오넬마크레오나드 , 빈센트진루이스 , 빗너마크다니엘 , 카웍키쥬니어유진조지프 , 피터슨브라이언케이쓰
IPC分类号： H01B3/46
CPC分类号： H01L21/02118 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02318 , H01L21/3122 , H01L21/31633 , H01L21/31695
摘要： PURPOSE: Provided is a method for enhancing the deposition rate of a film comprising organic chemical species and optionally organosilicon compounds, which has low dielectric constant and sufficient mechanical properties suitable for interlayer dielectric in integrated circuits. CONSTITUTION: The chemical vapor deposition method for forming an organosilica porous film represented by the formula of SivOwCxHyFz (wherein v+w+x+y+z = 100%, v is 10-35 atom%, w is 10-65 atom%, x is 5-30 atom%, y is 10-50 atom%, and z is 0-15 atom%). The method comprises the steps of: introducing chemical reagents comprising at least one organosilicon precursor, an organic precursor and a rate enhancer into a reaction chamber, wherein the chemical reagents are present in a gas state; applying energy to the chemical reagents so as to react the chemical reagents on at least a part of a substrate, thereby depositing a multiphasic film, wherein the multiphasic film includes at least one structure-forming phase and at least one pore-forming phase; and exposing the multiphasic film to an energy source for a time sufficient to remove the pore-forming phase substantially and to provide a porous organosilica film having a plurality of pores and a dielectric constant of 2.6 or less.
摘要翻译：目的：提供一种用于增强包含有机化学物质和任选的有机硅化合物的膜的沉积速率的方法，其具有低介电常数和足够的机械性能，适用于集成电路中的层间电介质。构成：用于形成由式SivOwCxHyFz（其中v + w + x + y + z = 100％，v为10-35原子％，w为10-65原子％）表示的有机硅多孔膜的化学气相沉积方法， x为5-30原子％，y为10〜50原子％，z为0〜15原子％）。该方法包括以下步骤：将包含至少一种有机硅前体，有机前体和速率增强剂的化学试剂引入反应室，其中化学试剂以气体状态存在; 向所述化学试剂施加能量以使所述化学试剂在至少一部分基底上反应，从而沉积多相膜，其中所述多相膜包括至少一个结构形成相和至少一个成孔相; 并将多相膜暴露于能量源足够的时间基本上去除成孔相，并提供具有多个孔和介电常数为2.6或更小的多孔有机硅膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式