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1. 发明公开

KR1020060051757A 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 有权
标题翻译：多孔低介电常数组合物及其制备和使用方法
公开(公告)号：KR1020060051757A
公开(公告)日：2006-05-19
申请号：KR1020050090519
申请日：2005-09-28
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 루카스아론스콧 , 카웍키유진조지프쥬니어 , 오닐마크레오나르드 , 빈센트진루이스 , 브르티스레이몬드니콜라스
IPC分类号： H01B3/30 , C09K3/18 , H01B3/12
CPC分类号： C03C3/045 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
摘要： Si
v O
w C
x H
y F
z 의 다공성 유기실리케이트 유리 (OSG) 필름은 메틸기 (Si-CH
3 )로서 탄소 결합을 갖는 실리케이트 네트워크를 가지며 직경이 3 nm 미만의 등가 구형 직경이고 유전율이 2.7 미만인 공극을 함유한다: 여기서, v+w+x+y+z = 100% 이며, v는 10 내지 35 원자%이며, w는 10 내지 65 원자%이며, x는 5 내지 30 원자%이며, y는 10 내지 50 원자%이며, z는 0 내지 15 원자%이다. 예비 필름은 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체로부터 화학적 증기증착법에 의해 증착된다. 포로젠 전구체는 예비 필름 내에 공극을 형성시키고, 실질적으로 제거되어 다공성 필름을 제공한다. 조성물, 필름 형성 키트는 유기실란 및/또는 하나 이상의 Si-H 결합을 함유하는 유기실록산 화합물 및 알코올, 에테르, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트로, 1차 아민, 2차 아민, 및/또는 2차 아민 작용성 또는 조합물을 함유하는 탄화수소의 포로젠 전구체를 포함한다.

2. 发明公开

KR1020060048758A 반응성 기체의 빌트인 정제 장치 有权
标题翻译：建立反应气体净化器
公开(公告)号：KR1020060048758A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020050057731
申请日：2005-06-30
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 빈센트진루이스 , 펄스테인로널드마틴 , 버거케리레너드 , 라차윅안토니제이주니어
IPC分类号： B01D53/00 , B01D53/02
CPC分类号： B01D35/02 , B01D46/0036 , B01D46/4272 , B01D2275/40
摘要： 본 발명은 내부에 다량의 고순도 유체를 함유할 수 있는 외부 용기; 고순도 유체를 분주하기 위한 외부 용기와 연합된 유출구; 유출구를 통한 외부 용기 밖으로의 고순도 유체 흐름을 제어할 수 있는 밸브; 적어도 부분적으로 외부 용기 내에 위치하고, 유출구와 연통하고, 외부 용기의 내부와 연통하는 유입구를 갖는 내부 용기; 고순도 유체로부터 원치 않는 성분들을 제거하기 위한 내부 용기 내에 함유된 정제 매체; 및 고순도 유체가 내부 용기로부터 외부 용기의 내부로 유출되는 것을 방지하는 유체 흐름 제어 장치를 포함하는 고순도 유체를 수용 및 분주하기 위한 장치이다.
유체 흐름 제어 장치, 고순도 유체, 정제 매체

3. 发明公开

KR1020170089803A 포로겐, 포로겐화 전구체, 및 이들을 사용하여 낮은 유전 상수를 갖는 다공성 유기실리카 유리 필름을 제공하는 방법 审中-实审
标题翻译：造孔剂，致孔前体以及提供具有低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法
公开(公告)号：KR1020170089803A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020170092984
申请日：2017-07-21
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이몬드니콜라스 , 오닐마크레너드 , 빈센트진루이스 , 루카스아론스코트 , 하스메리캐서린
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/30 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02208 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/31695 , C23C16/18 , H01L21/205
摘要： 본발명은다공성유기실리카유리필름을제조하기위한화학증기증착방법으로서, 진공챔버에유기실란및 유기실록산으로구성된군으로부터선택된 1 이상의전구체, 및상기전구체와는별개인포로겐을포함하는기체시약을투입하는단계(여기서, 상기포로겐은, 비분지쇄형구조를가지며불포화도가 2 이하인 C내지 C환형탄화수소화합물임); 진공챔버내의기체시약에에너지를가하여기체시약의반응을유도함으로써예비필름을기재상에증착시키는단계(여기서, 상기예비필름은포로겐을함유함); 및상기예비필름으로부터실질적으로모든불안정한유기물질을제거하여공극을보유하고유전상수가 2.6 미만인다공성필름을제공하는단계를포함하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明提供了一种化学气相沉积法制造的多孔有机硅玻璃膜，从在真空室中由有机硅烷和有机硅氧烷组成的组中选择的至少一种前体，并把所述气体试剂包括比前体特定个人的致孔剂（其中致孔剂是具有非支链结构且不饱和度等于或小于2的C至C环烃化合物）; 通过向真空室中的气态试剂施加能量以引发气态试剂的反应，在衬底上沉积预备膜，其中预备膜含有致孔剂; 并且从预备膜中除去基本上所有不稳定的有机材料，以提供孔隙率和介电常数小于2.6的多孔膜。

4. 发明公开

KR1020120073190A 포로겐, 포로겐화 전구체, 및 이들을 사용하여 낮은 유전 상수를 갖는 다공성 유기실리카 유리 필름을 제공하는 방법 无效
标题翻译： POROGENS，POROGENATED的前驱体和使用它们的方法提供具有低介电常数的多孔有机硅玻璃膜
公开(公告)号：KR1020120073190A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020120060323
申请日：2012-06-05
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이몬드니콜라스 , 오닐마크레너드 , 빈센트진루이스 , 루카스아론스코트 , 하스메리캐서린
IPC分类号： C23C16/18 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02208 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/31695 , C23C16/18 , H01L21/205
摘要： PURPOSE: Porogens, porogenated precursors, and a method for providing porous organosilica glass films with low dielectric constants using the same are provided to obtain a porous low-dielectric film with superior mechanical properties. CONSTITUTION: A compound includes one or more precursors selected from the group consisting of diethoxymethylsilane, dimethoxymethylsilane, di-isopropoxymethylsilane, di-t-butoxymethylsilane, methyltriethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltri-isopropoxysilane, methyltri-t-butoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-isopropoxysilane, dimethyl-di-t-butoxysilane, tetraethoxysilane, trimethylsilane, tetramethylsilane, di-tert-butoxymethylsilane, methyltriacetoxysilane, methyldiacetoxysilane, methylethoxydisiloxane, dimethylddiacethoxysilane, bis(trimethoxysilyl)methane, bis(dimethoxysilyl)methane, tetraethoxysilane, triethoxysilane, and their mixtures. The compound comprises porogen selected from the group consisting of cyclooctene, cyclohextene, cycloctane, cyclooctadiene, cycloheptane, cycloheptadiene, cycloheptatriene, and their mixtures.
摘要翻译：目的：提供孔原子，孔隙前体，以及提供具有低介电常数的多孔有机硅玻璃膜的方法，以获得具有优异机械性能的多孔低电介质膜。构成：化合物包括一种或多种选自二乙氧基甲基硅烷，二甲氧基甲基硅烷，二异丙氧基甲基硅烷，二叔丁氧基甲基硅烷，甲基三乙氧基硅烷，甲基三甲氧基硅烷，甲基三异丙氧基硅烷，甲基三丁氧基硅烷，二甲基二甲氧基硅烷，二甲基二乙氧基硅烷，二甲基二二异丁氧基硅烷，二甲基二叔丁氧基硅烷，四乙氧基硅烷，三甲基硅烷，四甲基硅烷，二叔丁氧基甲基硅烷，甲基三乙酰氧基硅烷，甲基二乙酰氧基硅烷，甲基乙氧基二硅氧烷，二甲基二乙氧基硅烷，二（三甲氧基甲硅烷基）甲烷，双（二甲氧基甲硅烷基）甲烷，四乙氧基硅烷，三乙氧基硅烷及其混合物。化合物包括选自环辛烯，环己烯，环辛烷，环辛二烯，环庚烷，环庚二烯，环庚三烯及其混合物的致孔剂。

5. 发明授权

KR100489758B1 낮은 유전 상수 물질 및 ＣＶＤ에 의한 처리 방법 失效
标题翻译：低介电常数材料及其加工方法
公开(公告)号：KR100489758B1
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：KR1020020028368
申请日：2002-05-22
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 오넬마크레오나드 , 피터슨브라이언케이쓰 , 빈센트진루이스 , 브리티스레인몬드니콜라스
IPC分类号： H01B3/12
CPC分类号： H01L21/02131 , C03C3/045 , C03C14/008 , C23C16/30 , C23C16/401 , H01L21/02203 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/3122 , H01L21/3127 , H01L21/316 , H01L21/31633
摘要： 오가노플루오로실리케이트 유리 필름은 유의적인 양의 플루오로카본 화학종을 제외하고 유기 화학종과 무기 불소를 모두 함유한다. 바람직한 필름은 화학식 Si
v O
w C
x H
y F
z 에 의해 표시되며, 상기 식 중 v+w+x+y+z = 100%이고, v는 10 내지 35 원자%이며, w는 10 내지 65 원자%이고, y는 10 내지 50 원자%이며, x는 1 내지 30 원자%이고, z는 0.1 내지 15 원자%이며, x/z는 임의로 0.25 이상이고, 실질적으로는 어떤 불소도 탄소에 결합되어 있지 않다. CVD 방법은 (a) 진공 체임버 내로 기판을 제공하는 단계, (b) 진공 체임버 내로 불소-공급 기체, 산소-공급 기체 및 오가노실란과 오가노실록산으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 전구체 기체를 포함하는 기체상 시약을 도입시키는 단계, 및 (c) 기체상 시약의 반응을 유도하고 기판에 필름을 형성시키기 위해 체임버 내의 기체상 시약에 에너지를 가하는 단계를 포함한다.

6. 发明公开

KR1020040088362A 화학 증착 필름의 침착 속도를 강화시키는 방법 失效
标题翻译：包含有机化学物质的化学气相沉积膜沉积速率的方法用于集成电路中的介质介质
公开(公告)号：KR1020040088362A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：KR1020040022134
申请日：2004-03-31
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이먼드니콜라스 , 루카스아론스콧 , 오넬마크레오나드 , 빈센트진루이스 , 빗너마크다니엘 , 카웍키쥬니어유진조지프 , 피터슨브라이언케이쓰
IPC分类号： H01B3/46
CPC分类号： H01L21/02118 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02318 , H01L21/3122 , H01L21/31633 , H01L21/31695
摘要： PURPOSE: Provided is a method for enhancing the deposition rate of a film comprising organic chemical species and optionally organosilicon compounds, which has low dielectric constant and sufficient mechanical properties suitable for interlayer dielectric in integrated circuits. CONSTITUTION: The chemical vapor deposition method for forming an organosilica porous film represented by the formula of SivOwCxHyFz (wherein v+w+x+y+z = 100%, v is 10-35 atom%, w is 10-65 atom%, x is 5-30 atom%, y is 10-50 atom%, and z is 0-15 atom%). The method comprises the steps of: introducing chemical reagents comprising at least one organosilicon precursor, an organic precursor and a rate enhancer into a reaction chamber, wherein the chemical reagents are present in a gas state; applying energy to the chemical reagents so as to react the chemical reagents on at least a part of a substrate, thereby depositing a multiphasic film, wherein the multiphasic film includes at least one structure-forming phase and at least one pore-forming phase; and exposing the multiphasic film to an energy source for a time sufficient to remove the pore-forming phase substantially and to provide a porous organosilica film having a plurality of pores and a dielectric constant of 2.6 or less.
摘要翻译：目的：提供一种用于增强包含有机化学物质和任选的有机硅化合物的膜的沉积速率的方法，其具有低介电常数和足够的机械性能，适用于集成电路中的层间电介质。构成：用于形成由式SivOwCxHyFz（其中v + w + x + y + z = 100％，v为10-35原子％，w为10-65原子％）表示的有机硅多孔膜的化学气相沉积方法， x为5-30原子％，y为10〜50原子％，z为0〜15原子％）。该方法包括以下步骤：将包含至少一种有机硅前体，有机前体和速率增强剂的化学试剂引入反应室，其中化学试剂以气体状态存在; 向所述化学试剂施加能量以使所述化学试剂在至少一部分基底上反应，从而沉积多相膜，其中所述多相膜包括至少一个结构形成相和至少一个成孔相; 并将多相膜暴露于能量源足够的时间基本上去除成孔相，并提供具有多个孔和介电常数为2.6或更小的多孔有机硅膜。

7. 发明公开

KR1020170089804A 포로겐, 포로겐화 전구체, 및 이들을 사용하여 낮은 유전 상수를 갖는 다공성 유기실리카 유리 필름을 제공하는 방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170089804A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020170092987
申请日：2017-07-21
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이몬드니콜라스 , 오닐마크레너드 , 빈센트진루이스 , 루카스아론스코트 , 하스메리캐서린
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/30 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02208 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/31695 , C23C16/18 , H01L21/205
摘要： 본발명은다공성유기실리카유리필름을제조하기위한화학증기증착방법으로서, 진공챔버에유기실란및 유기실록산으로구성된군으로부터선택된 1 이상의전구체, 및상기전구체와는별개인포로겐을포함하는기체시약을투입하는단계(여기서, 상기포로겐은, 비분지쇄형구조를가지며불포화도가 2 이하인 C내지 C환형탄화수소화합물임); 진공챔버내의기체시약에에너지를가하여기체시약의반응을유도함으로써예비필름을기재상에증착시키는단계(여기서, 상기예비필름은포로겐을함유함); 및상기예비필름으로부터실질적으로모든불안정한유기물질을제거하여공극을보유하고유전상수가 2.6 미만인다공성필름을제공하는단계를포함하는방법에관한것이다.

8. 发明公开

KR1020150059149A 포로겐, 포로겐화 전구체, 및 이들을 사용하여 낮은 유전 상수를 갖는 다공성 유기실리카 유리 필름을 제공하는 방법 无效
标题翻译： POROGENS，POROGENATED的前驱体和使用它们的方法提供具有低介电常数的多孔有机硅玻璃膜
公开(公告)号：KR1020150059149A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020150061429
申请日：2015-04-30
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 브르티스레이몬드니콜라스 , 오닐마크레너드 , 빈센트진루이스 , 루카스아론스코트 , 하스메리캐서린
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02208 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/31695
摘要： 본발명은다공성유기실리카유리필름을제조하기위한화학증기증착방법으로서, 진공챔버에유기실란및 유기실록산으로구성된군으로부터선택된 1 이상의전구체, 및상기전구체와는별개인포로겐을포함하는기체시약을투입하는단계(여기서, 상기포로겐은, 비분지쇄형구조를가지며불포화도가 2 이하인 C내지 C환형탄화수소화합물임); 진공챔버내의기체시약에에너지를가하여기체시약의반응을유도함으로써예비필름을기재상에증착시키는단계(여기서, 상기예비필름은포로겐을함유함); 및상기예비필름으로부터실질적으로모든불안정한유기물질을제거하여공극을보유하고유전상수가 2.6 미만인다공성필름을제공하는단계를포함하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种生产多孔有机硅玻璃膜的化学气相沉积方法，包括：向真空室中引入气态试剂至少一种选自有机硅烷和有机硅氧烷的前体，和不同于前体，其中致孔剂是具有非支化结构和不饱和度小于或等于2的C 4 -C 14环烃化合物; 向真空室中的气态试剂施加能量以诱导气态试剂在基底上沉积初步膜的反应，其中预备薄膜含有致孔剂; 并且基本上从预备膜中除去所有不稳定的有机材料，以提供具有孔的多孔膜，并且介电常数小于2.6。

9. 发明授权

KR100642618B1 다공성의 저 유전율 조성물 및 이를 제조하고 사용하는방법 有权
标题翻译：多孔低k组合物及其制备和使用方法
公开(公告)号：KR100642618B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050090519
申请日：2005-09-28
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 루카스아론스콧 , 카웍키유진조지프쥬니어 , 오닐마크레오나르드 , 빈센트진루이스 , 브르티스레이몬드니콜라스
IPC分类号： H01B3/30 , C09K3/18 , H01B3/12
CPC分类号： C03C3/045 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
摘要： Si
v O
w C
x H
y F
z 의 다공성 유기실리케이트 유리 (OSG) 필름은 메틸기로서 탄소 결합(Si-CH
3 )을 갖는 실리케이트 네트워크를 가지며 등가 구형 직경이 3 nm 미만이고 유전율이 2.7 미만인 공극을 함유한다[여기서, v+w+x+y+z는 100% 이며, v는 10 내지 35 원자%이며, w는 10 내지 65 원자%이며, x는 5 내지 30 원자%이며, y는 10 내지 50 원자%이며, z는 0 내지 15 원자%이다]. 예비 필름은 유기실란 및/또는 유기실록산 전구체, 및 독립적 공극-형성 전구체로부터 화학적 증착법에 의해 증착된다. 포로젠 전구체는 예비 필름 내에 공극을 형성시킨 후 제거되어 다공성 필름을 제공한다. 조성물, 필름 형성 키트는 하나 이상의 Si-H 결합을 함유하는 유기실란 및/또는 유기실록산 화합물 및 알코올, 에테르, 카르보닐, 카르복실산, 에스테르, 니트로, 1차 아민, 2차 아민, 및/또는 3차 아민 작용성 또는 조합물을 함유하는 탄화수소의 포로젠 전구체를 포함한다.
摘要翻译：硅

10. 发明授权

KR100795768B1 발포성 코팅을 이용한 내화성 절연 건축용 패널 失效
标题翻译：耐火绝缘建筑面板，利用电子涂料
公开(公告)号：KR100795768B1
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：KR1020060088225
申请日：2006-09-12
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 빈센트진루이스 , 훌메스티븐폴 , 리스트만마크레오 , 그림밍거조브슈트 , 파니츠쉬토르슈텐 , 모리타데이비드기요시
IPC分类号： E04C2/26 , E04C2/292
摘要： 본 발명은 내면 및 외면을 갖는 하나 이상의 금속 페이서 및 하나 이상의 금속 페이서의 내면을 접하고 있는 폼 코어로 구성되는 복합 절연 패널을 제조하기 위한 개량 방법 및 이러한 방법에 의해 제조된 복합 절연 패널에 관한 것이다. 복합 절연 패널을 제조하여 그 패널의 내화성(fire reistance)을 개선시키기 위한 상기 개량 방법은
130 마이크론 이하의 코팅 두께를 제공하는 양으로 상기 금속 페이서의 외면에 초박막 발포성 코팅 조성물을 도포하는 단계, 및
이어서 상기 금속 페이서의 내면을 접하고 있는 폼 코어를 제공하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 한다.
금속 페이서, 복합 절연 패널, 발포성 코팅 조성물, 폼 코어

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