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1. 发明授权

KR102228655B1 고전압 집적소자 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102228655B1
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020140154784
申请日：2014-11-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김철 , 오한주 , 강성훈 , 임형남 , 김상덕 , 김경환 , 진정수
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 고전압집적소자는, 기판의상부영역내에배치되는채널영역과, 기판의상부영역내에배치되어채널영역에인접하는드리프트영역과, 기판의상부영역내에배치되어드리프트영역의반대편인채널영역의일 측에접하는소스영역과, 드리프트영역의상부에배치되는드레인영역과, 채널영역과드레인영역사이의드리프트영역상부에배치되는트랜치절연층과, 그리고채널영역위에차례로적층되고드리프트영역및 트랜치절연층의일부표면위로연장하도록배치되는게이트절연층및 게이트전극을포함하며, 트랜치절연층은, 트랜치절연층의바닥면으로부터연장되는제1 라인과평행한제2 라인및 외측면사이의제1 각도가제1 라인및 외측면사이의제2 각도보다큰 이중경사의측면구조를갖는다.

2. 发明公开

KR1020160055380A 고전압 집적소자 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：高电压集成装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160055380A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020140154784
申请日：2014-11-07
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김철 , 오한주 , 강성훈 , 임형남 , 김상덕 , 김경환 , 진정수
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/088 , H01L21/3247 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1083 , H01L29/66659 , H01L29/7835 , H01L29/7816 , H01L29/7824 , H01L29/7825
摘要： 고전압집적소자는, 기판의상부영역내에배치되는채널영역과, 기판의상부영역내에배치되어채널영역에인접하는드리프트영역과, 기판의상부영역내에배치되어드리프트영역의반대편인채널영역의일 측에접하는소스영역과, 드리프트영역의상부에배치되는드레인영역과, 채널영역과드레인영역사이의드리프트영역상부에배치되는트랜치절연층과, 그리고채널영역위에차례로적층되고드리프트영역및 트랜치절연층의일부표면위로연장하도록배치되는게이트절연층및 게이트전극을포함하며, 트랜치절연층은, 트랜치절연층의바닥면으로부터연장되는제1 라인과평행한제2 라인및 외측면사이의제1 각도가제1 라인및 외측면사이의제2 각도보다큰 이중경사의측면구조를갖는다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种耐压性能可以改善而不降低击穿电压特性的高电压集成器件。高压集成器件包括：布置在衬底的上部区域中的沟道区域; 与沟道区相邻的漂移区，布置在衬底的上部区域中; 接触所述通道区域的一侧的源区域，布置在所述漂移区域的相对侧; 沟槽绝缘层，布置在排水区域，布置在漂移区域的上部和在通道和排出区域之间的漂移区域的上部; 并且栅极绝缘层和栅电极朝向漂移区域的上表面延伸并且沟槽绝缘层在通道区域上一个接一个地层叠。另外，沟槽绝缘层具有双斜面侧结构，其平行于从沟槽绝缘层的底部延伸的第一线的第二线和外侧表面之间的第一角度大于第一角度线和外侧表面。

3. 发明公开

KR1020010053648A 반도체장치의 콘택부 또는 배선연결부 형성방법 无效
标题翻译：接触器件的半导体器件或金属化方法
公开(公告)号：KR1020010053648A
公开(公告)日：2001-07-02
申请号：KR1019990054084
申请日：1999-12-01
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김세민 , 오한주
IPC分类号： H01L21/283
摘要： PURPOSE: A contact part of semiconductor device or metallization method are provided to obtain a margin of photoresist pattern, to achieve stability and simplicity of manufacturing process, and to reduce impurities by skipping an etchback process. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(21) is made using an oxide layer such as a SOG(Spin On Glass) on a silicon substrate(20). In the substrate(20), devices such as a transistor are constructed, and a wire and an intermetal dielectric are produced in the interlayer dielectric(21). A contact hole or a via hole is formed to expose an impurity diffusion region and a part of the wire. After building an arc layer to increase mutual adhesive, an aluminum layer(23) is made through reflowing step. On the aluminum layer(23), an upper arc layer is doped. A tungsten layer is deposited on the upper arc layer using a CVD(Chemical Vapor Deposition) method, and a photoresist pattern is constructed. By patterning the layers, a wire and a plug are formed. The wire and the plug are composed of a tungsten layer(250), an upper arc layer(240), an aluminum layer(230), and a lower arc layer(220). Using an O2 ashing method, the remaining photoresist pattern is removed.
摘要翻译：目的：提供半导体器件或金属化方法的接触部分以获得光致抗蚀剂图案的边缘，以实现制造工艺的稳定性和简单性，并通过跳过回蚀工艺来减少杂质。构成：在硅衬底（20）上使用诸如SOG（旋转玻璃）的氧化物层制成层间电介质（21）。在衬底（20）中，构造诸如晶体管的器件，并且在层间电介质（21）中产生线和金属间电介质。形成接触孔或通孔以暴露杂质扩散区域和线的一部分。在构建电弧层以增加相互粘合剂之后，通过回流步骤制造铝层（23）。在铝层（23）上掺杂上弧形层。使用CVD（化学气相沉积）方法在上弧层上沉积钨层，并且构建光致抗蚀剂图案。通过图案化这些层，形成线和塞。导线和插头由钨层（250），上弧层（240），铝层（230）和下弧层（220）组成。使用O2灰化方法，去除剩余的光致抗蚀剂图案。

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