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1. 发明授权

KR101820681B1 원료 공급유닛 및 그를 구비한 단결정 성장장치 有权
公开(公告)号：KR101820681B1
公开(公告)日：2018-01-22
申请号：KR1020170000786
申请日：2017-01-03
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이성찬 , 이창규
IPC分类号： C30B15/30 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/00
摘要： 실시예에따른원료공급유닛은원료가채워지는빈 공간이형성된투입관; 및상기투입관의하부개구부를선택적으로개폐하며, 수평저면을기준으로서로다른각도를갖는 2개이상의경사면들을구비하는다면형원추밸브;를포함한다.

2. 发明授权

KR101871059B1 단결정 잉곳 성장장치 有权
公开(公告)号：KR101871059B1
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：KR1020160153162
申请日：2016-11-17
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 강인구 , 송도원 , 이성찬 , 정호섭
IPC分类号： C30B15/22 , C30B15/10 , C30B15/14 , C30B35/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B15/22 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： 본발명은실리콘융액면을따라흐르는불활성기체의유속을균일하게형성하여실리콘융액면에서 Ox 휘발을정확하게제어할수 있는단결정잉곳성장장치에관한것이다. 본발명은실리콘융액이담긴도가니; 상기도가니상측에매달리도록설치되고, 상기도가니의실리콘융액으로부터성장되는단결정잉곳을냉각시키는열차폐부재; 상기단결정잉곳의외주면과상기열차폐부재의내주면사이에형성되고, 불활성기체가수직하게하측으로이동되는제1유로; 및상기열차폐부재의하단과실리콘융액의상면사이에형성되고, 불활성기체가수평하게외측으로이동되는제2유로;을포함하고, 상기제1유로의부피에대한상기제2유로의부피비율에따라단결정내의산소농도를제어하는단결정잉곳성장장치를제공한다.

3. 发明授权

KR101862157B1 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR101862157B1
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：KR1020160148655
申请日：2016-11-09
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 정호섭 , 송도원 , 이성찬 , 강인구
IPC分类号： C30B15/20 , C30B15/30 , C30B15/10 , C30B35/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B35/00
摘要： 도가니에담긴용융액으로부터단결정실리콘잉곳을육성하여제조하는실시예에의한단결정실리콘잉곳제조방법은, 용융액에가해지는수평자기장의세기, 단결정실리콘잉곳의제1 회전속도또는도가니의온도특성중 적어도하나를이용하여, 용융액의대류특성을나타내는정보를구하는단계와, 구해진정보를이용하여단결정실리콘잉곳의반경방향으로의산소농도구배를구하는단계및 반경반향으로의산소농도구배가목표치에도달할때까지, 수평자기장의세기, 단결정실리콘잉곳의제2 회전속도또는온도특성중 적어도하나를가변시키는단계를포함한다.

4. 发明授权

KR101443490B1 잉곳 성장 장치 및 방법 有权
标题翻译：生长锭的装置和方法
公开(公告)号：KR101443490B1
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020130007957
申请日：2013-01-24
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김정열 , 강종민 , 이성찬
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要： 본 실시예의 잉곳 성장 장치는, 챔버 내의 도가니에 수용된 실리콘 융액으로부터 잉곳을 성장시키는 장치로서, 단결정 종자; 상기 단결정 종자가 결합된 씨드척; 상기 씨드척을 승강시키기 위하여 상기 챔버 외부에 마련된 인상부; 상기 씨드척과 연결되고, 상기 인상부에 의하여 길이가 조절되는 인상 케이블; 및 상기 인상 케이블로 기설정된 전압을 인가하는 전압 인가부;를 포함한다.

5. 发明公开

KR1020140095248A 잉곳 성장 장치 및 방법 有权
标题翻译：用于生长INGOT的装置和方法
公开(公告)号：KR1020140095248A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：KR1020130007957
申请日：2013-01-24
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 김정열 , 강종민 , 이성찬
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要： An ingot growing apparatus in an embodiment of the present invention is an apparatus for growing an ingot from a molten silicon solution put in a crucible inside a chamber, the apparatus comprising: a single crystal seed; a seed chuck to which the single crystal seed is coupled; a pulling unit arranged outside the chamber to elevate the seed chuck; a pulling cable which is connected with the seed chuck and whose length is adjusted by the pulling unit; and a voltage application unit applying a preset voltage to the pulling cable.
摘要翻译：本发明的实施方式的锭生长装置是将放置在室内的坩埚内的熔融硅溶液生长锭的装置，该装置包括：单晶种子; 种子卡盘，单晶种子与之耦合; 拉出单元，其布置在室外以提升种子卡盘; 牵引电缆与种子卡盘连接，其长度由牵引单元调节; 以及将施加预定电压的电压施加单元施加到所述牵引电缆。

6. 发明授权

KR101376846B1 실리콘 단결정 잉곳 성장 장치 有权
标题翻译：硅单晶锭制造装置
公开(公告)号：KR101376846B1
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020120079895
申请日：2012-07-23
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이성찬 , 김상희 , 최영규
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , H01L21/02
摘要： 본실시예의잉곳성장장치는, 메인챔버; 상기메인챔버내에배치되고, 실리콘융액이수용되는도가니; 상기도가니를지지하는도가니지지대; 상기도가니일측에배치되어, 상기도가니를가열하는히터; 상기메인챔버내부로불활성가스를제공하는가스도입구;및상기히터일측에서열을차폐하기위한부재로서, 상기히터측면에배치되는측면열차폐부와, 상기측면열차폐부상부에배치되는상측열차폐부;를포함하고, 상기상측열차폐부는소정깊이의홈이연속적으로파여진오목부가고리형상으로형성된열차폐부재로구성되어있는것을특징으로한다.

7. 发明授权

KR101942192B1 잉곳 성장용 원료충진장치 有权
公开(公告)号：KR101942192B1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：KR1020170104510
申请日：2017-08-18
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이성찬
IPC分类号： C30B31/10 , C30B29/06 , C30B35/00

8. 发明授权

KR101829319B1 단결정 잉곳 성장 장치 有权
标题翻译：单晶锭生长装置
公开(公告)号：KR101829319B1
公开(公告)日：2018-02-19
申请号：KR1020160125674
申请日：2016-09-29
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 송도원 , 이성찬 , 강인구 , 채계정 , 정호섭
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/14 , C30B35/00 , C30B29/06 , C03B5/06 , C03B5/43
CPC分类号： C30B15/10 , C03B5/06 , C03B5/43 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B35/002
摘要： 본발명은쵸크랄스키(CZ: CZochralski)법을통해실리콘단결정잉곳을성장시키는장치로서, 실리콘용융액이담기는석영도가니, 상기석영도가니에열을가하는히터, 상기실리콘용융액에서발생되는열을차단하기위해상기실리콘용융액의표면과일정한거리를가지도록배치되는열차폐제및 성장중인단결정잉곳과인접하는상기열차폐제의표면을일부덮으면서상기실리콘용융액에침지되도록연장형성되는석영정류통을포함하도록구성될수 있다.
摘要翻译：本发明切克劳斯基：切断在装置中产生的热用于通过（CZ切克劳斯基）法，石英坩埚，加热器，其加热所述石英坩埚生长硅单晶锭，硅熔体是硅熔体是ADD 为了可以被配置为包括延伸到沉浸在一些覆盖seosanggi硅热剥夺的表面熔融邻近列车货币系统和单晶锭正在生长被布置在石英整流管，以便具有从硅熔体表面所需的距离。

9. 发明授权

KR101339148B1 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치 有权
标题翻译：用于冷却硅单晶和硅晶体晶体生长装置的装置
公开(公告)号：KR101339148B1
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：KR1020120000563
申请日：2012-01-03
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이성찬 , 김상희
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/06 , C30B11/00 , H01L21/02
摘要： 실리콘 단결정을 냉각하는 장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치에 관한 것으로, 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위한 챔버와, 챔버 내부에 구비되고 실리콘 용액이 수용되는 도가니와, 챔버 내부에 구비되고 도가니를 가열하는 히터와, 챔버 내부에 구비되고 실리콘 용액으로부터 성장되는 실리콘 단결정 잉곳을 냉각시키는 실리콘 단결정 냉각장치를 포함하고, 실리콘 단결정 냉각장치는, 다수의 수냉관들과, 다수의 수냉관들을 적층하여 조립하는 수냉관 조립 지지대를 포함하며, 다수의 수냉관들 중, 일부는 복사열의 흡수율이 다를 수 있다.

10. 发明公开

KR1020130079831A 실리콘 단결정 냉각장치 및 이를 이용한 실리콘 단결정 성장 장치 有权
标题翻译：用于冷却硅单晶和硅晶体晶体生长装置的装置
公开(公告)号：KR1020130079831A
公开(公告)日：2013-07-11
申请号：KR1020120000563
申请日：2012-01-03
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이성찬 , 김상희
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/06 , C30B11/00 , H01L21/02
摘要： PURPOSE: An apparatus for cooling a silicon crystal and an apparatus for growing the silicon crystal are provided to efficiently absorb radiant heat from a silicon crystal ingot by assembling a plurality of water cooling tubes with different cooling speeds. CONSTITUTION: A water cooling tube assembly support (200) is assembled by laminating a first water cooling tube (300) and a second water cooling tube (400). The first and second water cooling tubes are assembled by a coupling member (210) of the water cooling tube assembly support. The radiant heat absorption rate of the first water cooling tube is different from the radiant heat absorption rate of the second water cooling tube. One of the first and second water cooling tubes is coated with radiant heat absorption materials. The first and second water cooling tubes are coated with ceramics to reduce the contamination of an ingot (100).
摘要翻译：目的：提供一种用于冷却硅晶体的装置和用于生长硅晶体的装置，以通过组装具有不同冷却速度的多个水冷却管来有效地吸收来自硅晶锭的辐射热。构成：通过层压第一水冷却管（300）和第二水冷却管（400）来组装水冷管组件支撑件（200）。第一和第二水冷却管由水冷却管组件支撑件的联接构件（210）组装。第一水冷却管的辐射吸热率与第二水冷却管的辐射吸热率不同。第一和第二水冷却管之一涂有辐射吸热材料。第一和第二水冷却管涂覆陶瓷以减少锭（100）的污染。

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