专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020010080583A ＢＰＳＧ 환류 방법 失效
标题翻译： BPSG回流法
公开(公告)号：KR1020010080583A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：KR1020017006579
申请日：1999-11-22
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 시아,리-쿤 , 콘티,리차드,에이. , 갈리아노,마리아 , 이예,엘리에
IPC分类号： H01L21/3105
摘要： 침착된 보로포스포실리케이트 유리(BPSG) 층과 같은 산화규소 절연 층을 평탄화시키는 다단계 방법. 방법은 여러 상이한 평탄화 단계를 포함한다. 초기 사전 평탄화 단계에서, BPSG 층이 상부에 침착된 기판이 기판 가공 챔버내로 적재된다. 그 후, 사전 평탄화 단계 후의 제 1 평탄화 단계 중에, 산소 및 수소가 기판 가공 챔버내로 흘러 들어가 챔버내에서 증기 환경을 형성하고, 기판이 증기 환경내에서 제 1 온도로부터 제 2 온도로 가열된다. 제 1 온도는 BPSG 층의 환류 온도보다 낮으며, 제 2 온도는 상기 층을 환류시키기에 충분하다. 제 2 평탄화 단계 동안에 기판이 제 2 온도로 가열된 후, 기판의 온도 및 기판 가공 챔버내의 상태는 증기 환경내에서 BPSG 층을 환류시키기에 충분한 상태로 유지된다. 보다 바람직한 구체예에서, 다단계 평탄화 방법은 제 2 단계 이후의 제 3 평탄화 단계를 또한 포함한다. 제 3 평탄화 단계에서, 산소의 흐름은 유지되는 반면 수소의 흐름은 중지되고 그리하여 기판 가공 챔버내에 산소 환경을 형성한다. 기판의 온도는 산소 환경내에서 BPSG 층의 환류 온도보다 높게 유지된다. 이러한 추가적 단계는 환류된 BPSG 층내로 혼입되는 수분량을 최소화시킬 것으로 믿어진다.

2. 发明公开

KR1020080084593A 유전체 물질을 포함하는 실리콘 형성에서의 개선된 갭-충진증착 방법 및 장치 无效
标题翻译：在形成含硅介质材料中改进的GAP-FILL沉积
公开(公告)号：KR1020080084593A
公开(公告)日：2008-09-19
申请号：KR1020080017731
申请日：2008-02-27
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 인글,니틴케이. , 바티아,시드하르쓰 , 방,원비. , 유안,쳉 , 이예,엘리에 , 벤카트람안,샨카르
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/02337 , H01L21/31612 , H01L21/76224 , H01L21/76837
摘要： Improved gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials are provided to reduce voids and seams in a trench without decreasing efficiency of a deposition process by carrying out deposition at different dielectric deposition speeds. Improved gap-fill depositions in the formation of silicon containing dielectric materials includes the steps of: providing a hydroxyl-containing precursor in the process chamber(310); flowing a silicon-containing precursor into a process chamber housing a substrate(308); flowing an oxidizing gas into the chamber(306); and causing a reaction between the silicon-containing precursor, oxidizing gas and hydroxyl-containing precursor to form the dielectric material in a trench; and increasing over time a ratio of the silicon-containing precursor to the oxidizing gas flowed into the chamber to alter a rate of deposition of the dielectric material.
摘要翻译：提供了在形成含硅介电材料时改进的间隙填充沉积，以通过在不同介电沉积速度下进行沉积来减少沟槽中的空隙和接缝，而不降低沉积工艺的效率。在形成含硅电介质材料时改进的间隙填充沉积包括以下步骤：在处理室（310）中提供含羟基的前体; 将含硅前体流入容纳衬底（308）的处理室中; 将氧化气体流入所述腔室（306）中; 并引起含硅前体，氧化气体和含羟基的前体之间的反应，在沟槽中形成电介质材料; 并且随着时间的推移，含硅前体与氧化气体的比例流入室以改变电介质材料的沉积速率。

3. 发明授权

KR100633980B1 ＢＰＳＧ 환류 방법 失效
标题翻译： BPSG反射法
公开(公告)号：KR100633980B1
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：KR1020017006579
申请日：1999-11-22
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 시아,리-쿤 , 콘티,리차드,에이. , 갈리아노,마리아 , 이예,엘리에
IPC分类号： H01L21/3105
摘要： 본 발명은 증착된 보로포스포실리케이트 유리(BPSG) 층과 같은 산화규소 절연층을 평탄화시키는 다단계 방법에 관한 것이다. 본 방법은 여러 상이한 평탄화 단계를 포함한다. 초기 사전 평탄화 단계에서, BPSG 층이 상부에 증착된 기판이 기판 가공 챔버내로 적재된다. 그 후, 사전 평탄화 단계 후의 제 1 평탄화 단계 중에, 산소 및 수소가 기판 가공 챔버내로 흘러 들어가 챔버내에서 증기 환경을 형성하고, 기판이 증기 환경내에서 제 1 온도로부터 제 2 온도로 가열된다. 제 1 온도는 BPSG 층의 환류 온도보다 낮으며, 제 2 온도는 상기 층을 환류시키기에 충분하다. 제 2 평탄화 단계 동안에 기판이 제 2 온도로 가열된 후, 기판의 온도 및 기판 가공 챔버내의 상태는 증기 환경내에서 BPSG 층을 환류시키기에 충분한 상태로 유지된다. 보다 바람직한 구체예에서, 다단계 평탄화 방법은 제 2 단계 이후의 제 3 평탄화 단계를 또한 포함한다. 제 3 평탄화 단계에서, 산소의 흐름은 유지되는 반면 수소의 흐름은 중지되고 그리하여 기판 가공 챔버내에 산소 환경을 형성한다. 기판의 온도는 산소 환경내에서 BPSG 층의 환류 온도보다 높게 유지된다. 이러한 추가적 단계는 환류된 BPSG 층내로 혼입되는 수분량을 최소화시킬 것으로 여겨진다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式