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1. 发明公开

KR1020020032397A 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착을 이용하는 실리콘 리치산화물 증착 제어 방법 失效
标题翻译：使用HDP-CVD沉积含硅氧化物的控制方法
公开(公告)号：KR1020020032397A
公开(公告)日：2002-05-03
申请号：KR1020010066046
申请日：2001-10-25
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 카푸어비크람 , 로스맨켄트
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/0209 , C23C16/402
摘要： PURPOSE: A controlled method for depositing silicon-rich oxide using HDP-CVD and its apparatus are provided to achieve increased consistency in layer uniformity. CONSTITUTION: A high density plasma chemical vapor deposition(HDP-CVD) system(10) in which a dielectric layer can be deposited. The system(10) includes a chamber(13), a vacuum system(70), a source plasma system(80A), a bias plasma system(80B), a gas delivery system(33), and a remote plasma cleaning system(50). The upper portion of chamber(13) includes a dome(14), which is made of a ceramic dielectric material, such as aluminum oxide or aluminum nitride. Dome(14) defines an upper boundary of a plasma processing region(16). Plasma processing region(16) is bounded on the bottom by the upper surface of a substrate(17) and a substrate support member(18). A heater plate(23) and a cold plate(24) surmount, and are thermally coupled to, dome(14). Heater plate(23) and cold plate(24) allow control of the dome temperature to within about +/- 10 deg.C over a range of about 100 deg.C to 200 deg.C. This allows optimizing the dome temperature for the various processes.
摘要翻译：目的：提供使用HDP-CVD沉积富硅氧化物的受控方法及其装置，以实现层均匀性的增加的一致性。构成：可以沉积介电层的高密度等离子体化学气相沉积（HDP-CVD）系统（10）。系统（10）包括室（13），真空系统（70），源等离子体系统（80A），偏压等离子体系统（80B），气体输送系统（33）和远程等离子体清洁系统 50）。室（13）的上部包括由诸如氧化铝或氮化铝的陶瓷电介质材料制成的圆顶（14）。圆顶（14）限定等离子体处理区域（16）的上边界。等离子体处理区域（16）由衬底（17）的上表面和衬底支撑构件（18）限定在底部。加热板（23）和冷板（24）超越，并且热耦合到圆顶（14）。加热板（23）和冷板（24）允许在约100℃至200℃的范围内将圆顶温度控制在约+/- 10摄氏度内。这允许优化各种工艺的圆顶温度。

2. 发明授权

KR100870852B1 배면 오염의 저감을 위한 인 시츄 웨이퍼 열처리 失效
标题翻译：用于减少后备污染的现场加热
公开(公告)号：KR100870852B1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：KR1020020004641
申请日：2002-01-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 로스맨켄트
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/0209 , C23C14/022 , C23C16/0245 , H01J2237/022
摘要： 기판 수용부를 갖는 챔버 내에서 처리하기 위해 기판을 준비하는 방법이 제공된다. 기판은 기판 수용부 상이 아닌 위치에서 챔버 내에 배치된다. 가스 흐름이 챔버로 제공되며, 이로부터 플라즈마가 발생하여 기판을 가열한다. 기판이 가열된 후에, 기판은 처리를 위해 기판 수용부로 이동한다.
웨이퍼 열처리

3. 发明授权

KR100990086B1 고밀도 플라즈마 화학 기상 증착을 이용하는 실리콘 리치산화물 증착 제어 방법 失效
标题翻译：使用HDP-CVD的硅氧化物沉积的控制方法
公开(公告)号：KR100990086B1
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020010066046
申请日：2001-10-25
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 카푸어비크람 , 로스맨켄트
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/0209 , C23C16/402
摘要： 공정 챔버내의 기판상에 층을 형성하는 방법 및 시스템이 제공된다. 증착 가스는 공정 챔버에 제공되고 증착 단계 이전에 필요한 상대 농도로 혼합하도록 허용되며, 이에 따라 층의 구성이 균일하게 개선된다. 이것은 제 1 가스 혼합물로부터 가열 플라즈마를 발생시킴으로써 달성될 수 있다. 이후, 플라즈마는 종료되고 제 2 가스 혼합물이 거의 균일하게 혼합되도록 공정 챔버에 제공된다. 이후, 기판상에 층을 증착하도록 제 2 플라즈마가 제 2 가스 혼합물로부터 발생한다.
공정 챔버, 가스 혼합물, 플라즈마, 컴퓨터로 판독가능한 저장매체

4. 发明公开

KR1020020063141A 배면 오염의 저감을 위한 인 시츄 웨이퍼 열처리 失效
标题翻译：在减少后备污染的现场加热
公开(公告)号：KR1020020063141A
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：KR1020020004641
申请日：2002-01-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 로스맨켄트
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/0209 , C23C14/022 , C23C16/0245 , H01J2237/022
摘要： PURPOSE: In-situ wafer heating for reduced backside contamination is provided to prepare a substrate for processing in a chamber. CONSTITUTION: A method for preparing a substrate for processing in a chamber having a substrate receiving portion comprises; positioning the substrate within the chamber(13) not on the substrate receiving portion; providing a gaseous flow to the chamber; striking a plasma from the gaseous flow to heat the substrate; and moving the substrate to the substrate receiving portion for processing after the substrate has been heated by the plasma.
摘要翻译：目的：提供用于减少背面污染的原位晶片加热，以制备用于在室中加工的基板。构成：一种用于制备在具有基板接收部分的室中进行处理的基板的方法，包括：将基板定位在不在基板接收部分上的室（13）内; 向腔室提供气流; 从气流冲击等离子体以加热基底; 并且在衬底被等离子体加热之后，将衬底移动到衬底接收部分进行处理。

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