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1. 发明公开

KR1020140091320A 반도체 패키지의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 패키지 有权
标题翻译：用于制造半导体封装的方法及其半导体封装
公开(公告)号：KR1020140091320A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020130003448
申请日：2013-01-11
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 정용현 , 김현구 , 정대현
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： Disclosed is a method of fabricating a semiconductor package, capable of securing economic properties by forming a UBM, which is located to the upper part when the UBM is formed, with a relatively cheap material; improving a coupling force between the upper UBM and a solder ball by forming the upper UBM and the solder ball with the same materials; and easily forming the solder ball, and a semiconductor package fabricated by the same. According to an embodiment of the present invention, the method of fabricating a semiconductor package comprising a semiconductor die providing step of providing a semiconductor die having a bond pad at an upper portion thereof; a UBM forming step of a UBM formed at an upper portion of the semiconductor die and electrically connected to the bond pad; and a solder ball forming step of forming a solder ball formed at an upper portion of the UBM and electrically connected to the UBM, wherein a first UBM and a second UBM are sequentially stacked in the UBM forming step, and a material of the second UBM is one selected from SnAg, SnAu, SnCu, SnZn, SnZnBi, SnAgCu, and SnAgBi which does not include lead (Pb) is disclosed.
摘要翻译：公开了一种制造半导体封装的方法，其能够通过形成具有相对便宜的材料而形成UBM时位于上部的UBM来确保经济性; 通过用相同的材料形成上UBM和焊球，改善上UBM和焊球之间的耦合力; 并容易地形成焊球，以及由其制造的半导体封装。根据本发明的实施例，制造半导体封装的方法包括半导体管芯提供步骤，其提供在其上部具有接合焊盘的半导体管芯; 形成在所述半导体管芯的上部并与所述接合焊盘电连接的UBM的UBM形成步骤; 以及形成焊锡球的焊球形成步骤，形成在UBM的上部并与UBM电连接的焊球，其中在UBM形成步骤中依次堆叠第一UBM和第二UBM，以及第二UBM的材料公开了不包括铅（Pb）的SnAg，SnAu，SnCu，SnZn，SnZnBi，SnAgCu和SnAgBi中的一种。

2. 发明公开

KR1020130137787A 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130137787A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：KR1020120061321
申请日：2012-06-08
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 이정석 , 김인태 , 박재식 , 정대현
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/0236 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05555 , H01L2224/056 , H01L2224/06133 , H01L2224/06135 , H01L2224/10126 , H01L2224/13006 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13076 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： The present invention relates to a semiconductor package and a method for manufacturing the same and, more particularly, to the semiconductor package and the method for manufacturing the same having a re-wire of a new structure forming a fine pitch. The present invention adopts a method that the re-wire extended from a bonding pad of a semiconductor chip is formed with a photo resist pattern in which seed layer is plated. The present invention omits a photo resist removal process and a seed layer removal process and plans manufacturing time reduction and manufacturing reduction according to the omission of process. The present invention provides the package and the method for manufacturing the same which makes that an input and output terminal is welded with a method of connecting a pair of re-wires and increases a contact area of the input and output terminal and prevents a stripping phenomenon.
摘要翻译：半导体封装及其制造方法技术领域本发明涉及一种半导体封装及其制造方法，更具体地说，涉及具有形成微细间距的新结构的再线的半导体封装及其制造方法。本发明采用从半导体芯片的接合焊盘延伸的再导线形成有电镀种子层的光致抗蚀剂图案的方法。本发明省略了光刻胶去除工艺和种子层去除工艺，并根据省略处理制造时间减少和制造减少。本发明提供一种封装及其制造方法，其使得通过连接一对重新连线的方法焊接输入和输出端子，并增加输入和输出端子的接触面积并防止剥离现象。

3. 发明公开

KR1020110118866A 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110118866A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100038234
申请日：2010-04-26
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 이일학 , 이정석 , 김인태 , 정대현
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to minimize stress applied to a bonding pad by forming a copper filler at a position except the bonding pad of the semiconductor chip. CONSTITUTION: A semiconductor chip of a wafer state is provided. A seed metal layer(24) is extended from the bonding pad of the semiconductor chip. A copper filler is plated on the end of the seed metal layer. A rewiring plating line(38) is formed when the copper filler is plated. The rewiring conductive line is plated between the start part of the seed metal layer connected to the bonding pad and the copper filler. A buffer member(36) is attached to the surface of the seed metal layer and is inputted to the rewiring plating line and the copper filler.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过在半导体芯片的焊盘之外的位置处形成铜填料来最小化施加到焊盘的应力。构成：提供了晶片状态的半导体芯片。种子金属层（24）从半导体芯片的焊盘延伸。将铜填料镀在种子金属层的末端。当镀铜时，形成再布线电镀线（38）。重新布线导电线电镀在连接到焊盘的种子金属层的起始部分和铜填料之间。缓冲构件（36）附着在种子金属层的表面，并被输入到重新布线电镀线和铜填料。

4. 发明授权

KR101374148B1 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体及其制造方法
公开(公告)号：KR101374148B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020120061321
申请日：2012-06-08
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 이정석 , 김인태 , 박재식 , 정대현
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/0236 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05555 , H01L2224/056 , H01L2224/06133 , H01L2224/06135 , H01L2224/10126 , H01L2224/13006 , H01L2224/13008 , H01L2224/13023 , H01L2224/13076 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 본 발명은 반도체 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 파인피치를 이루는 새로운 구조의 재배선을 갖는 반도체 패키지 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명은 반도체 칩의 본딩패드으로부터 연장되는 재배선을 시드레이어가 도금된 포토레지스트 패턴으로 형성하는 방식을 채택하여, 포토레지스트 제거 공정 및 시드 레이어 제거 공정의 생략 및 그에 따른 제조시간 단축 및 제조 비용 절감을 도모할 수 있고, 입출력단자가 한 쌍의 재배선 간을 연결하는 방식으로 융착되도록 함에 따라 입출력단자의 접착면적을 증대 및 박리 현상을 방지할 수 있는 반도체 패키지 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.

5. 发明授权

KR101488580B1 반도체 패키지의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 패키지 有权
标题翻译：半导体封装及其半导体封装的制造方法
公开(公告)号：KR101488580B1
公开(公告)日：2015-02-02
申请号：KR1020130003448
申请日：2013-01-11
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 정용현 , 김현구 , 정대현
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11
摘要： 본 발명에서는 UBM 형성시 상부에 위치한 UBM을 비교적 값싼 재질로 형성함으로써 경제성을 확보하고, 동일한 재질로 상부 UBM과 솔더 볼을 형성하여 둘 사이의 결합력 증대 및 용이한 솔더 볼 형성이 가능한 반도체 패키지의 제조 방법 및 이에 따른 반도체 패키지가 개시된다.
일 예로, 상부에 본드 패드가 형성된 반도체 다이를 구비하는 반도체 다이 구비 단계, 반도체 다이의 상부에 형성되고, 본드 패드와 전기적으로 연결되는 UBM을 형성하는 UBM 형성 단계 및 UBM의 상부에 형성되고, UBM과 전기적으로 연결되는 솔더 볼을 형성하는 솔더 볼 형성 단계를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, UBM 형성 단계는 제 1 UBM 및 제 2 UBM이 순서대로 적층되도록 형성되고, 제 2 UBM의 재질은 납(Pb)을 포함하지 않는 SnAg, SnAu, SnCu, SnZn, SnZnBi, SnAgCu 또는 SnAgBi 중 선택된 하나로 형성되는 반도체 패키지의 제조 방법이 개시된다.

6. 发明授权

KR101111429B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装及其制造方法
公开(公告)号：KR101111429B1
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：KR1020100038234
申请日：2010-04-26
申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
发明人： 이일학 , 이정석 , 김인태 , 정대현
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/48
摘要： 본 발명은 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼 레벨 패키지의 입출력단자인 구리필러의 구조를 칩의 본딩패드에서 벗어난 위치에 형성하여, 구조적으로 취약한 반도체 칩의 본딩패드에 작용하는 스트레스를 최소화시킬 수 있도록 한 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명은 포지티브 포토레지스트와 네가티브 포토레지스트를 이용하여, 웨이퍼 레벨 패키지의 입출력단자인 구리필러를 스트레스의 영향을 받지 않는 위치인 반도체 칩의 본딩패드로부터 벗어난 위치에 형성하는 동시에 구리필러와 본딩패드가 재배선도금라인으로 연결되도록 함으로써, 외부 충격과 같은 스트레스로부터 구리필러 및 본딩패드를 보호할 수 있도록 한 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

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