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1. 发明授权

KR101564185B1 픽셀 반전 아티팩트 저감 有权
标题翻译：像素反演艺术减少
公开(公告)号：KR101564185B1
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：KR1020147024268
申请日：2013-03-01
申请人： 애플 인크.
发明人： 김,경욱 , 박영배 , 창,시흐창 , 후앙,천-야오 , 종,존제트.
IPC分类号： G02F1/1368 , G09G3/36
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F2001/13606 , G02F2001/136218 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2300/0434
摘要： 고해상도모니터상의아티팩트를저감시키면서고해상도모니터를구동하기위한시스템및 디바이스. 디스플레이(12) 내의픽셀들(60)을구동하기위한 Z-반전극성구동기술의활용은디스플레이(12)의전력소비를감소시키지만디스플레이(12)의데이터라인들(62)과픽셀들(60) 사이에존재하는커패시턴스들에기인한가시적인수평라인아티팩트를생성하는경향이있다. 픽셀(60)과데이터라인요소들(62) 사이에물리적차폐부(108)를도입함으로써, 그들사이의커패시턴스가감소될수 있고, 따라서수평라인아티팩트들의원인을제거할수 있다. 차폐부(108)는디스플레이(12)의공통전압라인(Vcom)일수 있다.

2. 发明公开

KR1020140056091A 백채널 식각 산화물 박막 트랜지스터 프로세스 아키텍처 无效
标题翻译：返回通道蚀刻氧化物薄膜晶体管工艺架构
公开(公告)号：KR1020140056091A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020130130192
申请日：2013-10-30
申请人： 애플 인크.
发明人： 헝,밍-친 , 김,경욱 , 후앙,천-야오 , 박,영배 , 창,시흐창 , 종,존제트.
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/66742 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/4908
摘要： Provided is a method for fabricating a back channel etching (BCE) oxide thin film transistor (TFT) for a liquid crystal display. The method comprises the steps of: forming a first metal layer having a first portion and a second portion over a substrate; depositing a gate insulator over the first metal layer; and disposing a semiconductor layer over the gate insulator. The method also includes a step of depositing a half-tone photoresist to cover a first portion of the semiconductor layer and the first portion of the first metal layer. The half-tone photoresist has a first portion and a second portion thicker than the first portion. The first portion has a via hole above the second portion of the first metal layer. The second portion of the half-tone photoresist covers the first portion of the first metal layer. The method further includes the steps of: etching a portion of the gate insulator through the via hole such that the second portion of the first metal layer is exposed; removing the first portion of the half-tone photoresist while remaining the second portion of the half-tone photoresist; and etching to remove a second portion of the semiconductor layer that is not covered by the half-tone photoresist.
摘要翻译：提供了一种制造用于液晶显示器的背沟道蚀刻（BCE）氧化物薄膜晶体管（TFT）的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成具有第一部分和第二部分的第一金属层; 在第一金属层上沉积栅极绝缘体; 以及在所述栅极绝缘体上方设置半导体层。该方法还包括沉积半色调光致抗蚀剂以覆盖半导体层的第一部分和第一金属层的第一部分的步骤。半色调光致抗蚀剂具有比第一部分厚的第一部分和第二部分。第一部分在第一金属层的第二部分上方具有通孔。半色调光刻胶的第二部分覆盖第一金属层的第一部分。该方法还包括以下步骤：通过通孔蚀刻栅绝缘体的一部分，使第一金属层的第二部分露出; 在保留半色调光致抗蚀剂的第二部分的同时移除半色调光致抗蚀剂的第一部分; 并且蚀刻以除去未被半色调光致抗蚀剂覆盖的半导体层的第二部分。

3. 发明公开

KR1020140112092A 픽셀 반전 아티팩트 저감 有权
标题翻译：像素反演艺术减少
公开(公告)号：KR1020140112092A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：KR1020147024268
申请日：2013-03-01
申请人： 애플 인크.
发明人： 김,경욱 , 박영배 , 창,시흐창 , 후앙,천-야오 , 종,존제트.
IPC分类号： G02F1/1368 , G09G3/36
CPC分类号： G02F1/134363 , G02F2001/13606 , G02F2001/136218 , G09G3/3614 , G09G3/3648 , G09G2300/0426 , G09G2300/0434
摘要： 고해상도 모니터 상의 아티팩트를 저감시키면서 고해상도 모니터를 구동하기 위한 시스템 및 디바이스. 디스플레이 내의 픽셀들을 구동하기 위한 Z-반전 극성 구동 기술의 활용은 디스플레이의 전력 소비를 감소시키지만 디스플레이의 데이터 라인들과 픽셀들 사이에 존재하는 커패시턴스들에 기인한 가시적인 수평 라인 아티팩트를 생성하는 경향이 있다. 픽셀과 데이터 라인 요소들 사이에 물리적 차폐부를 도입함으로써, 그들 사이의 커패시턴스가 감소될 수 있고, 따라서 수평 라인 아티팩트들의 원인을 제거할 수 있다. 차폐부는 디스플레이의 공통 전압 라인(Vcom)일 수 있다.

4. 发明授权

KR101938102B1 수직 게이트 라인 연장부 및 최소화된 경계를 갖는 디스플레이 有权
公开(公告)号：KR101938102B1
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：KR1020177008464
申请日：2015-09-23
申请人： 애플 인크.
发明人： 찌우,하오-린 , 양,병덕 , 황,춘-야오 , 김,경욱 , 창,시창 , 리,수-시엔
IPC分类号： G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G06F3/041 , G06F3/044 , G09F9/30 , G09G3/36 , H01L27/12

5. 发明公开

KR1020170046748A 수직 게이트 라인 연장부 및 최소화된 경계를 갖는 디스플레이 审中-实审
标题翻译：显示垂直栅线延伸和最小边界
公开(公告)号：KR1020170046748A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020177008464
申请日：2015-09-23
申请人： 애플 인크.
发明人： 찌우,하오-린 , 양,병덕 , 황,춘-야오 , 김,경욱 , 창,시창 , 리,수-시엔
IPC分类号： G02F1/1345 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G06F3/041 , G06F3/044 , G09F9/30 , G09G3/36 , H01L27/12
CPC分类号： G09G3/3648 , G02F1/13338 , G02F1/134309 , G02F1/1345 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13456 , G06F3/0412 , G06F3/0416 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , G06F2203/04104 , G06F2203/04112 , G09F9/30 , G09G3/3666 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2300/0413 , G09G2300/0426 , G09G2310/0281 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 디스플레이는행들및 열들로배열된픽셀들의어레이를가질수 있다. 각픽셀은그 픽셀과연관된출력광의양을제어하기위한트랜지스터를가질수 있다. 트랜지스터들은활성영역들, 제1 및제2 소스-드레인단자들, 및게이트들을갖는박막트랜지스터들일수 있다. 게이트라인들은게이트제어신호를각각의행 내의트랜지스터들의게이트들에분배하는데 사용될수 있다. 게이트라인들에수직으로이어지는데이터라인들은픽셀들의열들을따라이미지데이터를분배하는데 사용될수 있다. 게이트라인들은데이터라인들에평행하게이어지는게이트라인연장부에접속될수 있다. 데이터라인들은게이트라인연장부들중 개개의하나에각각중첩될수 있다. 비아들은게이트라인연장부들을게이트라인들에접속하는데 사용될수 있다. 게이트라인연장부들은모두동일한길이를가질수 있다.
摘要翻译：显示器可以具有按行和列排列的像素阵列。每个像素可以具有用于控制与该像素相关联的输出光量的晶体管。晶体管可以是具有有源区的薄膜晶体管，第一和第二源极 - 漏极端子以及栅极。栅极线可用于将栅极控制信号分配到每行中的晶体管的栅极。垂直于栅极线延伸的数据线可以用来沿着像素列分布图像数据。栅极线可以连接到平行于数据线延伸的栅极线延伸。数据线可以分别叠加在其中一个栅极线延长线上。过孔可用于将栅极线延伸部连接到栅极线。栅极线延长线可以全部具有相同的长度。

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