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1. 发明公开

KR1020070003888A 나노전자 및 마이크로전자 세정 조성물 有权
标题翻译：纳米电子和微电子清洁组合物
公开(公告)号：KR1020070003888A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020067017617
申请日：2005-02-11
申请人： 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
发明人： 수,치엔핀셔먼
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/50 , C11D7/34 , B82Y40/00 , G03F7/42
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/22 , C11D7/261 , C11D7/34 , C11D7/5004 , C11D7/5009 , C11D7/5022 , G03F7/422 , G03F7/425 , G03F7/426 , C11D11/0005 , B82Y40/00 , C11D7/5013 , G03F7/42
摘要： Nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions for cleaning nanoelectronic and microelectronic substrates under supercritical fluid state conditions, and particularly cleaning compositions useful with and having improved compatibility with nanoelectronic and microelectronic substrates characterized by silicon dioxide, sensitive low-kappa or high-kappa dielectrics and copper, tungsten, tantalum, nickel, gold, cobalt, palladium, platinum, chromium, ruthenium, rhodium, iridium, hafnium, titanium, molybdenum, tin and other metallization, as well as substrates of Al or Al(Cu) metallizations and advanced interconnect technologies, are provided by nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions comprising nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions of this invention are provided by compositions comprising: (1) a supercritical main fluid reaching a supercritical fluid state at a temperature of 250‹C or less and a pressure of 600 bars or less (592.2 atm, 8702.3 psi), and (2) as a secondary fluid, a modifier formulation selected from the following formulations: a) a formulation comprising: an oxidizing agent; a polar organic solvent selected from the group consisting of amides, sulfones, sulfolenes, selenones and saturated alcohols; and optionally other components; b) a silicate free formulation comprising: a polar organic solvent selected from the group consisting of amides, sulfones, selenones and saturated alcohols; a strong alkaline base; and optionally other components; c) a formulation comprising: from about 0.05% to 30% by weight of one or more non-ammonium producing strong base containing non-nucleophilic, positively charged counter ions; from about 0.5 to about 99.95% by weight of one or more corrosion inhibiting solvent compounds, said corrosion inhibiting solvent compound having at least two sites capable of complexing with metals; and optionally other components; d) a formulation comprising: from about 0.05 to 20% by weight of one or more non-ammonium producing, non-HF producing fluoride salt; from about 5 to about 99.95% by weight of water, organic solvent or both water and organic solvent; and optionally other components; and e) a formulation comprising: from about 0.05% to 30% by weight of one or more non-ammonium producing strong base containing non-nucleophilic, positively charged counter ions; from about 5 to about 99.95% by weight of one or more steric hindered amide solvents; and optionally other components. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：用于在超临界流体状态条件下清洁纳米电子和微电子衬底的纳米电子和微电子清洁组合物，特别是与二氧化硅，敏感的低kappa或高kappa电介质以及铜，钨的纳米电子和微电子衬底有用并具有改进的相容性的清洁组合物，钽，镍，金，钴，钯，铂，铬，钌，铑，铱，铪，钛，钼，锡等金属化，以及Al或Al（Cu）金属化和先进互连技术的基板由包括本发明的纳米电子和微电子清洁组合物的纳米电子和微电子清洁组合物提供由以下组合物提供，所述组合物包含：（1）在250℃或更低的温度和600巴的压力下达到超临界流体状态的超临界主流体，少（592.2 atm，8702.3 psi），和（2）作为第二流体，选自以下配方的改性剂制剂：a）制剂，其包含：氧化剂; 选自酰胺，砜，环丁烯砜，硒酮和饱和醇的极性有机溶剂; 和任选的其它组分; b）无硅酸盐制剂，其包含：选自酰胺，砜，硒酮和饱和醇的极性有机溶剂; 强碱性碱; 和任选的其它组分; c）一种制剂，其包含：约0.05％至30％重量的一种或多种含非亲核带正电荷的抗衡离子的产生非铵的强碱; 约0.5-约99.95％（重量）的一种或多种腐蚀抑制溶剂化合物，所述腐蚀抑制溶剂化合物具有至少两个能与金属络合的位点; 和任选的其它组分; d）一种制剂，其包含：约0.05至20重量％的一种或多种非铵生产的非HF产生氟化物盐; 约5至约99.95重量％的水，有机溶剂或水和有机溶剂; 和任选的其它组分; 和e）一种制剂，其包含：约0.05％至30％重量的一种或多种含非亲核带正电荷的抗衡离子的产生非铵的强碱; 约5至约99.95重量％的一种或多种空间位阻酰胺溶剂; 和任选的其它组分。 ®KIPO＆WIPO 2007

2. 发明授权

KR101154692B1 나노전자 및 마이크로전자 세정 조성물 有权
标题翻译：纳米电子学和微电子清洗组合物
公开(公告)号：KR101154692B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020067017617
申请日：2005-02-11
申请人： 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크.
发明人： 수,치엔핀셔먼
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/50 , C11D7/34 , B82Y40/00 , G03F7/42
摘要： 초임계 유체 상태 조건하에서 나노전자 및 마이크로전자 기판을 세정하기 위한 나노전자 및 마이크로전자 세정 조성물, 특히 산화 규소, 민감한 저 k 또는 고 k 유전체 및 구리, 텅스텐, 탄탈, 니켈, 금, 코발트, 팔라듐, 백금, 크롬, 루테늄, 로듐, 이리듐, 하프늄, 티타늄, 몰리브덴, 주석 및 다른 금속화를 특징으로 하는 나노전자 및 마이크로전자 기판뿐만 아니라 Al 또는 Al(Cu) 금속화 및 진보된 상호연결 기법의 기판에 대해 유용하고 상기 기판들과의 상용성이 개선된 세정 조성물은 (1) 250 ℃ 또는 그 미만의 온도 및 600 bar(592.2 atm, 8702.3 psi) 또는 그 미만의 압력에서 초임계 유체 상태에 도달하는 초임계 주요 유체, 및 (2) a) 산화제, 및 아미드, 술폰, 술폴렌, 셀레논 및 포화 알코올로 이루어진 군으로부터 선택된 극성 유기 용매, 및 임의로는 다른 성분을 포함하는 제형물, b) 아미드, 술폰, 셀레논 및 포화 알코올로 이루어진 군으로부터 선택된 극성 유기 용매, 강알칼리성 염기, 및 임의로는 다른 성분을 포함하는 실리케이트 무함유 제형물, c) 비친핵성 양전하 반대 이온을 함유하는 1종 이상의 비암모늄 생성 강염기 약 0.05 중량％ 내지 30 중량％, 금속과 착화될 수 있는 자리가 둘 이상 있는 1종 이상의 부식 억제 용매 화합물 약 0.5 내지 약 99.95 중량％, 및 임의로는 다른 성분을 포함하는 제형물, d) 1종 이상의 비암모늄 생성 비HF 생성 플루오라이드 염 약 0.05 내지 20 중량％, 물, 유기 용매 또는 물 및 유기 용매 모두 약 5 내지 약 99.95 중량％, 및 임의로는 다른 성분을 포함하는 제형물, 및 e) 비친핵성 양전하 반대 이온을 함유하는 1종 이상의 비암모늄 생성 강염기 약 0.05 중량％ 내지 30 중량％, 1종 이상의 입체 장애 아미드 용매 약 5 내지 약 99.95 중량％, 및 임의로는 다른 성분을 포함하는 제형물로부터 선택된 부차적 유체로서의 개질제 제형물을 포함하는 조성물에 의해 제공되는 본 발명의 나노전자 및 마이크로전자 세정 조성물을 포함하는 나노전자 및 마이크로전자 세정 조성물에 의해 제공된다.
나노전자, 마이크로전자, 세정 조성물, 초임계 유체, 개질제 제형물
摘要翻译：超临界流体和纳米电子微电子清洗组合物，特别是氧化硅，敏感低k或高k电介质和铜，钨，钽，镍，金，钴，钯的状态的条件下清洗纳米电子和微电子衬底，铂，铬，钌，铑，铱，铪，钛，钼，锡，和以及纳米电子和微电子衬底的衬底，其特征在于所述金属化其他Al或Al（Cu）的金属化和互连先进技术有用和在压力达到超临界流体状态所述清洁与基板的改善兼容的组合物（1）和250℃或更低的温度和600巴（592.2大气压，8702.3 PSI）或更小约秒阈值主要流体，和（2）a）一种氧化剂，和酰胺，砜，花粉，细胞芴和极性有机溶剂，和任选的其它成分从选自饱和醇的也制剂，b）一种酰胺，砜，选自细胞芴的基团和饱和醇，强碱性基，并且任选地含有硅酸盐的自由，包括其他成分的制剂，c）中的非亲核带正电的抗衡离子中的极性有机溶剂一个或多个非铵创建（重量），金属和在至少位置的两个，其可以是络合一种或多种腐蚀重量抑制溶剂化合物从约0.5至约99.95％，并且任选地，含有其它成分的约0.05％至30％的强碱制剂，d）1或多个非铵和从约0.05％至20％至约99.95％的比例HF生成的氟化物盐（重量），水，有机溶剂或水以及约5的有机溶剂都按重量计，和任选的其它成分，包括制剂，以及e）非亲核正电荷的抗衡离子的一种或按重量计从约0.05％到产生30％以上的非铵强碱含有至少一种包括身体病症酰胺溶剂是从约5至约99.95％（重量），和任选地包含由包括改性剂制剂从制剂包含其它组分的选择的辅助流体的组合物提供本发明的纳米电子和微电子清洗组合物它是由纳米电子和微电子清洗组合物提供。

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