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1. 发明授权

KR101375419B1 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：KR101375419B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020070023661
申请日：2007-03-09
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 오카자키사토시 , 하라구치다카시 , 사가다다시 , 고지마요스케 , 치바가즈아키 , 후쿠시마유이치
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/46 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616
摘要： 투명 기판 위에 배치되고 불소 건조 에칭에 대하여 내성을 가지고 염소 건조 에칭에 의해 제거될 수 있는 에칭 중지막, 에칭 중지막 위에 배치되고 전이 금속/규소 재료로 구성된 최소 1가지의 층을 포함하는 차광막, 및 차광막 위에 배치된 반사 방지막을 포함하는 포토마스크 블랭크를 제공한다. 차광막을 건조 에칭시켜서 패턴을 형성하는 경우, 패턴 밀도 의존으로 기인한 패턴 크기 변화가 감소되어, 포토마스크가 높은 정확도로 제조된다.
불소 건조 에칭, 염소 건조 에칭, 포토마스크 블랭크, 포토마스크

2. 发明公开

KR1020070092683A 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：KR1020070092683A
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：KR1020070023661
申请日：2007-03-09
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 오카자키사토시 , 하라구치다카시 , 사가다다시 , 고지마요스케 , 치바가즈아키 , 후쿠시마유이치
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/46 , G03F1/58 , G03F1/80 , Y10T428/31616 , G03F1/14 , G03F1/28 , G03F1/30
摘要： A photomask blank and a photomask are provided to obtain high resolution and fine photomask patterns of a photomask by performing an etching process with high precision. An etch stop film(9) is disposed on a transparent substrate(1). Another film is selectively inserted between the transparent substrate and the etch stop layer. The etch stop film is formed with a single layer structure or a multilayer structure. The etch stop layer is resistant to fluorine dry etching and is removable by chlorine dry etching. A light shielding film(2) is disposed adjacently to the etch stop film. The light shielding layer is formed with a single layer having a material containing a transition metal and silicon or multiple layers as at least one layer having the material containing the transition metal and the silicon. An anti-reflective film(3) is disposed adjacently to the light-shielding film and is formed with a single layer or multiple layers.
摘要翻译：提供光掩模坯料和光掩模，以通过高精度地进行蚀刻工艺来获得光掩模的高分辨率和精细光掩模图案。蚀刻停止膜（9）设置在透明基板（1）上。另一薄膜选择性地插入在透明基板和蚀刻停止层之间。蚀刻停止膜由单层结构或多层结构形成。蚀刻停止层耐氟干蚀刻，可通过氯干法蚀刻去除。遮光膜（2）设置成与蚀刻停止膜相邻。遮光层由具有包含过渡金属和硅或多层的材料的单层形成为具有含有过渡金属和硅的材料的至少一层。防反射膜（3）与遮光膜相邻设置，形成为单层或多层。

3. 发明授权

KR101540840B1 광 패턴 조사 방법, 하프톤 위상 시프트 마스크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 有权
标题翻译：光图案曝光方法，HALFTONE相位移屏蔽和HALFTONE相位移屏蔽区域
公开(公告)号：KR101540840B1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：KR1020120131590
申请日：2012-11-20
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 고이타바시류지 , 가네코히데오 , 고지마요스케 , 하라구치다카시 , 히로세도모히토
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26
摘要： 광패턴조사방법은하프톤위상시프트마스크를통해 ArF 엑시머레이저광을레지스트막에조사하는것이다. 상기마스크는, 투명기판과, 전이금속, 규소, 질소및 산소를포함하고원자비(Met/Si)가 0.18 내지 0.25, 질소함유율이 25 내지 50원자%, 산소함유율이 5 내지 20원자%인재료로이루어지는하프톤위상시프트막패턴을포함한다. 상기마스크는누적량 10kJ/cm이상의 ArF 엑시머레이저광이조사될수 있다.

4. 发明公开

KR1020130056187A 광 패턴 조사 방법, 하프톤 위상 시프트 마스크 및 하프톤 위상 시프트 마스크 블랭크 有权
标题翻译：光图案曝光方法，HALFTONE相位移屏蔽和HALFTONE相位移屏蔽区域
公开(公告)号：KR1020130056187A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020120131590
申请日：2012-11-20
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 고이타바시류지 , 가네코히데오 , 고지마요스케 , 하라구치다카시 , 히로세도모히토
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/26
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/26 , G03F7/20
摘要： 광패턴조사방법은하프톤위상시프트마스크를통해 ArF 엑시머레이저광을레지스트막에조사하는것이다. 상기마스크는, 투명기판과, 전이금속, 규소, 질소및 산소를포함하고원자비(Met/Si)가 0.18 내지 0.25, 질소함유율이 25 내지 50원자%, 산소함유율이 5 내지 20원자%인재료로이루어지는하프톤위상시프트막패턴을포함한다. 상기마스크는누적량 10kJ/cm이상의 ArF 엑시머레이저광이조사될수 있다.
摘要翻译：目的：提供由过渡金属/硅基材料形成的半色调相移掩模，以便由于ArF准分子激光照射的积累而将劣化变化维度限制在可接受的范围内，并获得足够的蚀刻选择性。构成：光照曝光方法包括通过使用ArF准分子激光作为光源通过光掩模照射具有照片图案的抗蚀剂图案的步骤。光掩模是半色调相移掩模，其中积累量为10kJ / cm 2的ArF准分子激光。半色调相移掩模包括由透明基板和含有过渡金属，硅，氮和氧的材料制成的半色调相移图案。除了从表面延伸到10nm的最外表面部分之外，材料的过渡金属与硅的比例为0.18-0.25，氮含量为25-50原子％，氧含量为5-20 原子％。过渡金属是钼。（附图标记）（AA）线宽变化量（相对值）

5. 发明授权

KR101484821B1 광 패턴 조사 방법, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크 有权
标题翻译：光图案曝光方法，照片和照片空白
公开(公告)号：KR101484821B1
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020120131610
申请日：2012-11-20
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 고이타바시류지 , 가네코히데오 , 고지마요스케 , 하라구치다카시 , 히로세도모히토
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/32 , G03F1/60
摘要： 광 패턴 조사 방법은 포토마스크를 통해 ArF 엑시머 레이저광을 레지스트막에 조사하는 것이다. 포토마스크는, 투명 기판과, 특정 범위에 드는 함유율로 전이금속, 규소, 질소 및 산소를 포함하는 재료로 이루어지는 광학막 패턴을 포함한다. 포토마스크는 누적량 10kJ/cm
2 이상의 ArF 엑시머 레이저광이 조사될 수 있다.

6. 发明公开

KR1020130056188A 광 패턴 조사 방법, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크 有权
标题翻译：光图案曝光方法，照片和照片空白
公开(公告)号：KR1020130056188A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020120131610
申请日：2012-11-20
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 고이타바시류지 , 가네코히데오 , 고지마요스케 , 하라구치다카시 , 히로세도모히토
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/38
CPC分类号： G03F1/00 , G03F1/32 , G03F1/60
摘要： PURPOSE: An optical mask formed of a transition metal/silicon group material is provided to restrict deterioration changing dimension within an acceptable range, due to accumulation of ArF excimer laser irradiation, and to obtain sufficient etching selectivity. CONSTITUTION: A light pattern exposure method comprises a step of irradiating resist pattern with photo patterns, through a photo mask, by using ArF excimer laser light as a light source. The photo mask is that the ArF excimer laser light with an accumulation amount of 10kJ/cm^2 is irradiated. The photomask comprises a transparent substrate and an optical film pattern which is formed of a material containing transition metal, silicon, nitrogen, and oxygen. The transition metal is hexavalent. Contents of transition metal, silicon, nitrogen, and oxygen in the photo mask, except for the outermost surface part extended to 10 nm from the surface of a layer, satisfies following equations, equation 1: 6×C_M/100 - 4×CSi/100 = 0.094, wherein the equations, C_M is a content of transition metal(atom%), C_Si is a content of silicon(atom%), C_N is a content of nitrogen(atom%), and C_O is a content of oxygen(atom%). [Reference numerals] (AA) Line width changed amount(Relative value); (BB) Value of a mathematical equation 1
摘要翻译：目的：提供由过渡金属/硅基材料形成的光掩模，以通过ArF准分子激光照射的积累将劣化变化维度限制在可接受的范围内，并获得足够的蚀刻选择性。构成：光照曝光方法包括通过使用ArF准分子激光作为光源通过光掩模照射具有照片图案的抗蚀剂图案的步骤。光掩模是照射积聚量为10kJ / cm 2的ArF准分子激光。光掩模包括透明基板和由含有过渡金属，硅，氮和氧的材料形成的光学膜图案。过渡金属是六价的。光掩模中的过渡金属，硅，氮和氧的含量除了从表面延伸到10nm的最外表面部分满足以下等式，等式1：6×C_M / 100-4×CSi / 100 <= -0.89，等式2：6C_M×3C_N /（6C_M×6C_M + 6C_M×4C_Si + 6C_M×3C_N + 6C_M×2C_O + 4C_Si×4C_Si + 4C_Si×3C_N + 4C_Si×2C_O）> = 0.094，其中等式 C_M是过渡金属的含量（原子％），C_Si是硅的含量（原子％），C_N是氮的含量（原子％），C_O是氧的含量（原子％）。（附图标记）（AA）线宽变化量（相对值）; （BB）数学方程的值1

7. 发明授权

KR100947166B1 포토마스크 블랭크와 포토마스크 제조 방법 有权
标题翻译：照片空白和光电制作方法
公开(公告)号：KR100947166B1
公开(公告)日：2010-03-12
申请号：KR1020090053354
申请日：2009-06-16
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 오카자키사토시 , 하라구치다카시 , 사가다다시 , 고지마요스케 , 치바가즈아키 , 후쿠시마유이치
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/50 , G03F1/46
CPC分类号： G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
摘要： 포토마스크 블랭크는 투명 기판, 기판 위에 부착되고 불소 드라이 에칭가능한 금속 또는 금속 화합물을 포함하는 차광막, 및 차광막 위에 부착되고 불소 드라이 에칭에 저항성인 또다른 금속 또는 금속 화합물을 포함하는 에칭 마스크막을 포함한다. 차광막은 드라이 에칭되어 패턴을 형성할 때, 패턴 밀도 의존성으로부터 기인하는 패턴 크기 변이가 감소하여, 따라서 포토마스크가 높은 정확도로 제조되도록 한다.
포토마스크, 블랭크, 투명 기판, 에칭, 불소, 패턴, 레벤슨형 마스크, 레지스트

8. 发明公开

KR1020090077031A 포토마스크 블랭크와 포토마스크 제조 방법 有权
标题翻译：照片空白和光电制作方法
公开(公告)号：KR1020090077031A
公开(公告)日：2009-07-14
申请号：KR1020090053354
申请日：2009-06-16
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 , 도판 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 요시카와히로키 , 이나즈키유키오 , 오카자키사토시 , 하라구치다카시 , 사가다다시 , 고지마요스케 , 치바가즈아키 , 후쿠시마유이치
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/50 , G03F1/46
CPC分类号： G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616 , G03F1/14 , H01L21/0332 , H01L21/0337
摘要： A photo mask blank and a photo mask manufacturing method are provided, which enable to manufacture photomask at the high accuracy by reducing the pattern size variation. The light-shielding layer(2), the reflection barrier layer(3), and etching mask film(4) are layered in order on the transparent substrate(1). The light-shielding layer contains silicide and transition metal silicide. Silicide contains one kind or more selected from the silicon group including silicon, oxygen, nitrogen, and carbon. The transition metal silicide contains alloy of the transition metal and silicon and one kind or more selected from transition metal, silicon, oxygen, nitrogen, and carbon. The reflection barrier layer comprises silicide or the transition metal silicide. The etching mask film contains the chromic compound, chrome substance, tantalum compound, and tantalum substance.
摘要翻译：提供了一种光掩模空白和光掩模制造方法，其能够通过减小图案尺寸变化而以高精度制造光掩模。在透明基板（1）上依次层叠遮光层（2），反射阻挡层（3）和蚀刻掩模膜（4）。遮光层含有硅化物和过渡金属硅化物。硅化物含有选自硅，氧，氮和碳的硅基中的一种或多种。过渡金属硅化物包含过渡金属和硅的合金，并且选自过渡金属，硅，氧，氮和碳中的一种或多种。反射阻挡层包括硅化物或过渡金属硅化物。蚀刻掩模膜包含铬化合物，铬物质，钽化合物和钽物质。

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