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1. 发明公开

KR1020150066458A 탄화규소의 결정 성장 방법 审中-实审
标题翻译：碳化硅晶体生长方法
公开(公告)号：KR1020150066458A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020140171881
申请日：2014-12-03
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 신야,나오후미 , 하마구찌,유 , 야마가따,노리오 , 미노와,다께히사
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/00
CPC分类号： C30B13/02 , C30B9/10 , C30B11/08 , C30B13/14 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/206 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B29/36
摘要： 본발명에서는, 용액법에의한탄화규소의결정성장방법에있어서, Si-C 용액의수용부로서 SiC를주성분으로하는도가니를사용한다. 이 SiC 도가니를가열하여, 예를들어도가니내에있어서의등온선이하측으로볼록해지는온도분포를형성하고, Si-C 용액과접촉하는도가니표면의고온영역으로부터해당도가니의주성분인 SiC를원으로하는 Si 및 C를 Si-C 용액내에용출하게하여, Si-C 용액과접촉하는도가니표면에서의 SiC 다결정의석출을억제한다. 이러한상태의 Si-C 용액에도가니의상부로부터 SiC 종결정을접촉시켜, 해당 SiC 종결정상에 SiC 단결정을성장시킨다. SiC를주성분으로하는도가니를사용함으로써, S-C 용액의조성변동이적고, 도가니의내벽에석출되는다결정이나첨가금속원소 M과탄소 C가결합하여형성되는금속탄화물의발생도억제된다.
摘要翻译：本发明涉及生长碳化硅晶体的方法，该方法使用溶液法和主要由SiC作为Si-C溶液的容纳单元组成的坩埚。根据本发明，可以加热SiC坩埚以形成其中恒温曲线在坩埚中向下膨胀的温度分布; 由SiC（坩埚的主要成分）生成的Si和C可以溶解在Si-C溶液中以抑制SiC多晶体在可与Si-C溶液接触的坩埚表面上的沉淀。在这种条件下的Si-C溶液可以从坩埚的上部与SiC晶种接触，以在SiC晶种上生长SiC单晶。此外，通过使用主要由SiC组成的坩埚，Si-C溶液的组成变化较小，在坩埚或金属碳化材料的内表面析出的多晶体的产生可由添加金属元素M和碳（C）的组合被抑制。

2. 发明公开

KR1020150066459A 탄화규소의 결정 성장 방법 审中-实审
标题翻译：碳化硅晶体生长方法
公开(公告)号：KR1020150066459A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：KR1020140171882
申请日：2014-12-03
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 신야,나오후미 , 하마구찌,유 , 야마가따,노리오 , 미노와,다께히사
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/00
CPC分类号： C30B13/02 , C30B9/10 , C30B11/08 , C30B13/14 , C30B15/02 , C30B15/10 , C30B15/206 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B29/36
摘要： 본발명에서는, 용액법에의한탄화규소의결정성장방법에있어서, Si-C 용액의수용부로서 SiC를주성분으로하는도가니를사용한다. Si-C 용액에금속원소 M(M은 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Lu로이루어지는제1군, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu로이루어지는제2군, Al, Ga, Ge, Sn, Pb, Zn으로이루어지는제3군중 적어도하나의군 중에서선택되는적어도 1종의금속원소)을함유시키고, 도가니를가열하여, Si-C 용액과접촉하는도가니표면의고온영역으로부터도가니의주성분인 SiC를원으로하는 Si 및 C를 Si-C 용액내에용출하게한다. 이에의해, Si-C 용액과접촉하는도가니표면에서의 SiC 다결정의석출을억제한다.
摘要翻译：本发明涉及生长碳化硅晶体的方法，该方法使用溶液法和主要由SiC作为Si-C溶液的容纳单元组成的坩埚。 Si-C溶液含有金属元素M（M是选自La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho或Lu的第一组中的至少一种），第二组Ti， V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni或Cu，以及第三组Al，Ga，Ge，Sn，Pb或Zn）。通过加热坩埚，由SiC（坩埚的主要成分）产生的Si和C可以在高温下与Si-C溶液接触的部分溶解在Si-C溶液中，从而抑制沉淀的SiC多晶体在可与Si-C溶液接触的坩埚表面上。

3. 发明公开

KR1020050007170A 자기 기록 매체용 기판 无效
标题翻译：用于磁性记录介质的基板，特别是在形成非磁性基板上的电影时具有良好的均匀性
公开(公告)号：KR1020050007170A
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1020040053260
申请日：2004-07-09
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 이시이,마사또시 , 쯔모리,도시히로 , 하마구찌,유
IPC分类号： G11B5/73 , G11B5/667
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7315 , G11B5/8404 , Y10T428/31
摘要： PURPOSE: A base plate for a magnetic recording medium is provided to have good uniformity, to have better adhesion capable of enduring a smoothing process in forming a film on a nonmagnetic substrate, and to enable the thickening of the film. CONSTITUTION: A substrate for a magnetic recording medium comprises a nonmagnetic substrate(1), a background deposit layer(2), a soft magnetic layer(3), a record layer(4), a protective layer(5) and a lubricative layer(6). The nonmagnetic substrate(1) has a surface which is made via a hydrophilic treatment process. The background deposit layer(2) is formed on the nonmagnetic base(1). The record layer formed on the soft magnetic layer(3) is made of Co, the protective layer(4) formed on the record layer(4) is made of cobalt, and the lubricative layer is made of fluorine material. All the layers are formed via e.g. a sputtering process.
摘要翻译：目的：提供一种用于磁记录介质的基板以具有良好的均匀性，以具有更好的粘合力，能够在非磁性基板上形成膜时耐受平滑处理，并且能够使膜变厚。构成：用于磁记录介质的基片包括非磁性基底（1），背景沉积层（2），软磁层（3），记录层（4），保护层（5）和润滑层（6）。非磁性基板（1）具有通过亲水处理工艺制成的表面。背景沉积层（2）形成在非磁性基体（1）上。形成在软磁性层（3）上的记录层由Co制成，记录层（4）上形成的保护层（4）由钴制成，润滑层由氟材料制成。所有层通过例如溅射工艺。

4. 发明公开

KR1020050002599A 자기 기록 매체용 기판 无效
标题翻译：用于磁记录媒体的基板和包括记录层的磁记录介质
公开(公告)号：KR1020050002599A
公开(公告)日：2005-01-07
申请号：KR1020040049286
申请日：2004-06-29
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 이시이,마사또시 , 쯔모리,도시히로 , 하마구찌,유 , 죠꼬,유끼미
IPC分类号： G11B5/73
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , Y10T428/24372 , Y10T428/24388 , Y10T428/24421 , Y10T428/265
摘要： PURPOSE: A base plate for a magnetic recording media is provided to have a better adhesion property for enduring a smoothing process like an abrasive machining and to be capable of being thickened in forming a film. CONSTITUTION: The base plate comprises a background deposit layer(4). The background deposit layer(4) includes an Si base(1), an amorphous layer(2), and a mixed crystallization layer(3). The mixed crystallization layer(3) includes a low crystallinity part(3a) and a metallic part(3b). Si oxide among the background deposit layer(4) is formed according as a surface of the Si base is oxidized. The Si oxide is formed in an etching process or a background depositing process. Metallic content in the background deposit layer(4) is increased according as it is away from the Si base(1).
摘要翻译：目的：提供用于磁记录介质的基板以具有更好的粘附性，以耐受如磨料加工的平滑处理，并且能够在形成膜时变稠。构成：底板包括背景沉积层（4）。背景沉积层（4）包括Si基（1），非晶层（2）和混合结晶层（3）。混合结晶层（3）包括低结晶度部分（3a）和金属部分（3b）。根据Si碱的表面氧化形成背景沉积层（4）中的Si氧化物。在蚀刻工艺或背景沉积工艺中形成Si氧化物。背景沉积层（4）中的金属含量随着离开Si基体（1）而增加。

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