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1. 发明公开

KR1020170051513A ＳｉＣ 단결정의 제조 장치 및 ＳｉＣ 단결정의 제조 방법 无效
标题翻译： SiC单晶的制造设备和SiC单晶的制造方法
公开(公告)号：KR1020170051513A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020177009696
申请日：2015-10-07
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 , 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 기시다유타카 , 가메이가즈히토 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B19/10 , C30B29/36 , C30B30/04 , H01L21/208
CPC分类号： C30B15/14 , C30B9/06 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/36 , C30B30/04
摘要： 단계흐름의방향과, 결정성장계면의근방에서 SiC 용액이흐르는방향을역방향으로할 수있는 SiC 단결정의제조장치및 SiC 단결정의제조방법을제공한다. 도가니는흑연으로이루어지고, SiC 용액을수용한다. 제1 유도가열코일및 제2 유도가열코일은도가니의주위에감겨진다. 제1 유도가열코일은, SiC 용액의표면보다상방에배치된다. 제2 유도가열코일은, 제1 유도가열코일의하방에배치된다. 전원은, 제1 교번전류를제1 유도가열코일에공급하고, 제1 교번전류와동일한주파수를가지며, 또한, 제1 교번전류와는역방향으로흐르는제2 교번전류를제2 유도가열코일에공급한다. 도가니가갖는측벽중 SiC 용액과접하는부분에서, 전원이제1 교번전류를제1 유도가열코일에공급하고또한제2 교번전류를제2 유도가열코일에공급함으로써발생하는자장의강도가최대가되는위치로부터 SiC 용액의표면까지의거리는, 소정의식을만족한다.
摘要翻译：与台阶流动的方向，它提供了用于生产SiC单晶制造装置的与SiC单晶，其中所述SiC溶液中的晶体生长表面在相反方向上的附近流动的方向的处理。坩埚由石墨制成并含有SiC溶液。第一感应加热线圈和第二感应加热线圈围绕坩埚缠绕。第一感应加热线圈设置在SiC溶液表面的上方。第二感应加热线圈配置在第一感应加热线圈的下方。电源，第一和供给的交流电流到所述第一感应加热线圈，其具有相同的频率作为第一交流电，并提供在相反方向上流动的多于一个的交流电流到所述第二感应加热线圈的第二交流电流。在与SiC溶液在侧壁坩埚具有，功率现在第一交变供应电流到所述第一感应加热线圈和接触的部分也第二交流电流到所述第二电感式位置，其中所述磁场的强度是通过将加热线圈发生的最大 SiC溶液的表面满足预定的公式。

2. 发明公开

KR1020170070154A ＳｉＣ 단결정의 제조 방법 및 ＳｉＣ 단결정의 제조 장치 无效
标题翻译：制造SiC单晶的方法和用于制造SiC单晶的设备
公开(公告)号：KR1020170070154A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020177012907
申请日：2015-10-13
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 , 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 구스노키가즈히코 , 가메이가즈히토 , 세키가즈아키 , 기시다유타카 , 모리구치고지 , 가이도히로시 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B29/36
摘要： 결정성장을장시간행하는경우여도, Si-C 용액의온도편차를저감할수 있는 SiC 단결정의제조방법을제공한다. 본실시형태에의한 SiC 단결정의제조방법은, Si-C 용액의원료가수납된도가니(7)와, 종결정(9)이하단에부착된시드샤프트(41)와, 시드샤프트(41)를통과시키는관통구멍(60A)을중앙에가지며, 도가니(7) 내에배치가능한안쪽덮개(60)를구비하는제조장치(100)를준비하는준비공정과, 도가니(7) 내의원료를가열하여, Si-C 용액(8)을생성하는생성공정과, Si-C 용액(8)에종결정(9)을접촉시켜, 종결정(9) 상에 SiC 단결정을제조하는성장공정과, 성장공정중에있어서, 안쪽덮개(60) 및도가니(7) 중어느한쪽을다른쪽에대해높이방향으로상대이동시켜, 안쪽덮개(60)와 Si-C 용액(8) 사이의높이방향거리의변동폭을제1 기준범위내로조정하는안쪽덮개조정공정을구비한다.
摘要翻译：本发明提供即使长时间进行晶体生长，也能够降低Si-C溶液的温度偏差的SiC单晶的制造方法。制造本实施例的SiC单晶的方法，该源材料容纳在SiC溶液中，籽晶9和附连到下面的阶段中，种子轴41的籽晶轴41的坩埚（7）准备制造装置100的准备工序，该制造装置100具有贯通坩埚7的贯通孔60A，并具有能够配置在坩埚7内的内盖60; 制备Si-C溶液8的步骤;通过使籽晶9与Si-C溶液8接触而在晶种9上制造SiC单晶的步骤; 成在盖60的内部和所述坩埚7，中国语言通过相对于相对移动在高度方向上的慢侧到另一侧，内盖60和Si-C溶液（8）之间的所述第一参考范围的高度方向georiui变化以及用于调节内盖的内盖调节过程。

3. 发明公开

KR1020170068554A 용액 성장법에 의한 SiC 단결정의 제조 장치, 및 그것에 이용되는 도가니 无效
标题翻译：通过溶液生长法制造SiC单晶的装置以及坩埚
公开(公告)号：KR1020170068554A
公开(公告)日：2017-06-19
申请号：KR1020177012760
申请日：2015-10-13
申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 , 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 가메이가즈히토 , 기시다유타카 , 구스노키가즈히코 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B29/36 , C30B35/00
CPC分类号： C30B19/062 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/002
摘要： Si-C 용액을교반및 가열하기쉬운 SiC 단결정의제조장치를제공한다. Si-C 용액(7)을수용가능한도가니(5)와, 시드샤프트(6)와, 유도가열장치(3)를구비한다. 도가니(5)는, Si-C 용액(7)의수용이가능하다. 도가니(5)는, 통부(51)와바닥부(52)를포함한다. 통부(51)는외주면(51A)과내주면(51B)을포함한다. 바닥부(52)는, 통부(51)의하단에배치된다. 바닥부(52)는, 도가니(5)의내부바닥면(52B)을형성한다. 시드샤프트(6)는, 하단에종결정(8)을부착가능하다. 유도가열장치(3)는, 도가니(5)의통부(51)의둘레에배치된다. 유도가열장치(3)는, 도가니(5) 및 Si-C 용액(7)을가열한다. 외주면(51A)은, 통부(51)의둘레방향과교차하여연장되는홈(10)을포함한다.
摘要翻译：提供了一种能够容易地搅拌并加热Si-C溶液的SiC单晶制造设备。能够容纳Si-C溶液7的坩埚5，种子轴6和感应加热装置3。坩埚5可以填充Si-C溶液7。坩埚5包括筒部51和背衬部52。圆筒部51具有外周面51A和内周面51B。底部52布置在筒51的下端。底部52形成坩埚5的内底面52B。种子轴6能够将晶种8附着到其下端。感应加热装置3配置在坩埚5的筒部51的周围。感应加热装置3加热坩埚5和Si-C溶液7。外周面51A具有在与筒状部51的周向交叉的方向上延伸的槽10。

4. 发明公开

KR1020170128527A SiC 단결정의 제조 방법 审中-实审
标题翻译： SiC单晶的制造方法
公开(公告)号：KR1020170128527A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020177029715
申请日：2016-03-16
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 세키가즈아키 , 구스노키가즈히코 , 가메이가즈히토 , 단노가쓰노리 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要： SiC 다결정의발생을억제가능한, SiC 단결정의제조방법을제공한다. 본실시형태에따른 SiC 단결정의제조방법은, 용액성장법에따른 SiC 단결정의제조방법이다. 본실시형태에따른 SiC 단결정의제조방법은, 출력상승공정(S1)과, 접촉공정(S2)과, 성장공정(S4)을구비한다. 출력상승공정(S1)에서는, 유도가열장치(3)의고주파출력을결정성장시의고주파출력으로올린다. 접촉공정(S2)에서는, SiC 종결정(種結晶)(8)을 Si-C 용액(7)에접촉시킨다. 접촉공정(S2)에있어서의유도가열장치(3)의고주파출력은, 결정성장시의고주파출력의 80%보다크다. 접촉공정(S2)에있어서의 Si-C 용액(7)의온도는, 결정성장온도미만이다. 성장공정(S4)에서는, 결정성장온도로 SiC 단결정을성장시킨다.
摘要翻译：一种制造能够抑制SiC多晶体生成的SiC单晶的方法。根据本实施方式的SiC单晶的制造方法是根据溶液生长法制造SiC单晶的方法。根据本实施例的SiC单晶的制造方法包括输出升高步骤（S1），接触步骤（S2）和生长步骤（S4）。在输出提升步骤（S1）中，感应加热装置（3）的高频输出在晶体生长时升高到高频输出。在接触步骤（S2）中，使SiC晶种（籽晶）8与Si-C溶液7接触。接触步骤（S2）中的感应加热设备3的高频输出大于晶体生长期间的高频输出的80％。接触步骤S2中的Si-C溶液7的温度低于晶体生长温度。在生长步骤（S4）中，在晶体生长温度下生长SiC单晶。

5. 发明授权

KR101983489B1 SiC 단결정의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101983489B1
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：KR1020177029323
申请日：2016-03-17
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 세키가즈아키 , 가메이가즈히토 , 구스노키가즈히코 , 단노가쓰노리 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10

6. 发明公开

KR1020170128475A SiC 단결정의 제조 방법 审中-实审
标题翻译： SiC单晶的制造方法
公开(公告)号：KR1020170128475A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020177029323
申请日：2016-03-17
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 세키가즈아키 , 가메이가즈히토 , 구스노키가즈히코 , 단노가쓰노리 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68
摘要： 본발명의실시형태의용액성장법에의한 SiC 단결정의제조방법은, 생성공정과성장공정을구비한다. 생성공정에서는, 도가니(5)에수용되는 Si-C 용액(7)의원료를용융하고, Si-C 용액(7)을생성한다. 성장공정에서는, 시드샤프트(6)에부착된 SiC 종결정(8)을 Si-C 용액(7)에접촉시키고, SiC 종결정(8)의결정성장면(8S)에 SiC 단결정을성장시킨다. 성장공정에서는, Si-C 용액(7)을승온시키면서 SiC 단결정을성장시킨다. 본발명의실시형태에의한 SiC 단결정의제조방법은, 원하는결정다형의 SiC 단결정을성장시키기쉽다.
摘要翻译：根据本发明实施例的通过溶液生长方法生产SiC单晶的方法包括生产步骤和生长步骤。在生产过程中，坩埚5中包含的Si-C溶液7被熔化并且生成Si-C溶液7。在生长步骤中，使附着于种子轴6的SiC晶种8与Si-C溶液7接触，并且在SiC晶种8的结晶场景8S上生长SiC单晶。在生长步骤中，在Si-C溶液7的温度升高的同时生长SiC单晶。根据本发明实施例的制造SiC单晶的方法容易生长所需的晶体SiC单晶。

7. 发明授权

KR101983491B1 SiC 단결정의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101983491B1
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：KR1020177029715
申请日：2016-03-16
申请人： 도요타지도샤가부시키가이샤
发明人： 세키가즈아키 , 구스노키가즈히코 , 가메이가즈히토 , 단노가쓰노리 , 다이코쿠히로노리 , 도이마사요시
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/02 , H01L21/324

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