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1. 发明授权

KR100828112B1 다성분을 가지는 글라스 기판용 미세가공 표면처리액 失效
标题翻译：用于精细加工具有多种组分的玻璃基板的表面处理解决方案
公开(公告)号：KR100828112B1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：KR1020047002328
申请日：2002-08-26
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 미야시타마사유키 , 야부네다츠히로 , 오미다다히로
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C03C15/00
摘要： The object of the present invention is to provide a surface treatment solution for finely processing a glass substrate containing multiple ingredients as the one used for the construction of liquid crystal-based or organic electroluminescence-based flat panel display devices, without invoking crystal precipitation and surface roughness. An etching solution of the invention contains, in addition to hydrofluoric acid (HF) and ammonium fluoride (NH4F), at least one acid whose dissociation constant is larger than that of HF. The concentration of the acid in the solution is adjusted as follows. If such an acid-added etching solution with the concentration x of the acid varied is applied to a silicon oxide film heated to a temperature proper to etching, and the etching rate f(x) Ä ANGSTROM /minÜ is plotted as a function of the concentration x of the acid in the solution, and it is found that f(x) takes a maximum f(x1) when x = x1, and a minimum f(x2) when x = x2 (x1 x1.

2. 发明授权

KR100687214B1 고순도 6불화텅스텐의 정제방법 失效
标题翻译：硝基铁铵净化方法
公开(公告)号：KR100687214B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020027007773
申请日：2000-12-14
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 와키마사히데 , 후지모토가즈유키 , 나카가와요시노리
IPC分类号： C01G41/04
摘要： 본 발명은, 용이하게 저비용으로, 종래보다 고순도의 6불화 텅스텐을 제조할 수 있는 고순도 6불화 텅스텐의 정제방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 고순도 6불화 텅스텐 정제 방법은, 피정제 원료인 불순물로서 적어도 6불화 몰리브덴을 함유하는 6불화 텅스텐을, 몰리브덴, 텅스텐, 구리, 니켈, 철, 코발트, 아연, 티탄, 알루미늄, 칼슘, 및 마그네슘 중에서 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금에 0~100℃ 온도로 접촉시키는 것을 특징으로 한다.

3. 发明公开

KR1020070018764A 신틸레이터 및 방사선 검출기 그리고 방사선 검사장치 无效
标题翻译：扫描仪和辐射检测器，以及辐射检测装置
公开(公告)号：KR1020070018764A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020067003488
申请日：2004-08-25
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 후쿠다츠구오 , 기쿠야마히로히사 , 사토나가도모히코 , 고이케히카루
IPC分类号： G01T1/202 , C09K11/00 , C09K11/85 , G01T1/20
CPC分类号： G01T1/2023 , A61B6/037 , G01T1/1612 , G01T1/2018 , G01T1/2985
摘要： 발광 강도나 감쇠 속도에 대하여 성능이 높고, 게다가 결정 육성이 비교적 용이한 신틸레이터 재료를 제공하는 것. Pr
1
-
x Ce
x F
3 (0＜x＜0.5) 로 이루어지는 결정으로서, 광이나 방사선에 의해 자외 및 가시역에서 발광하는 신틸레이터.

4. 发明公开

KR1020040039292A 다성분을 가지는 글라스 기판용 미세가공 표면처리액 失效
标题翻译： 다성분을가지는글라스기판용미세가공표면처리액
公开(公告)号：KR1020040039292A
公开(公告)日：2004-05-10
申请号：KR1020047002328
申请日：2002-08-26
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 미야시타마사유키 , 야부네다츠히로 , 오미다다히로
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C03C15/00
摘要： 본 발명의 목적은 다성분을 가지는 예를 들어, 액정이나 유기 EL 등의 플래트패널 디스플레이용 글라스 기판 자체를 결정의 석출 및 표면 거칠어짐을 일으키지 않고 가공할 수 있는 다성분을 가지는 글라스 기판용 균일 조성을 가지는 미세가공 표면처리액을 제공하는데 있다.
불화수소산 및 불화암모늄을 함유함과 동시에, 불화수소산보다도 산해리정수가 큰 산을 적어도 1종 이상 함유하는 것을 특징으로 한다. 불화수소산 및 불화암모늄을 함유함과 동시에, 불화수소산보다도 산해리정수가 큰 산을 적어도 1종 이상 함유하는 약액으로, 상기 불화수소산보다도 산해리정수가 큰 산의 함유량을 x로 하고, 글라스 기판을 에칭하는 액체 온도에서의 상기 약액의 열실리콘 산화막에 대한 에칭율을 f(x)[Å/min]으로 했을 때, 상기 약액은 x=x
1 에서 극대치 f(x
1 ), x=x
2 (단, x
1 ＜x
2 )에서 극소치 f(x
2 )를 가지고, x＞x
1 의 범위에서 상기 불화수소산보다도 산해리정수가 큰 산을 함유하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种表面处理液，其用于精细地处理含有多种成分的玻璃基板，作为用于构造液晶或有机电致发光的平板显示装置的玻璃基板，而不引起结晶沉淀和表面粗糙度。本发明的蚀刻溶液除了氢氟酸（HF）和氟化铵（NH 4 F）以外还含有至少一种其解离常数大于HF的酸。如下调整溶液中酸的浓度。如果将这种酸浓度为x的酸加入的蚀刻溶液施加到加热到适合于蚀刻的温度的氧化硅膜上，并且蚀刻速率为f（x）＆Auml; ANGSTROM / min＆Uuml; 被绘制为溶液中酸浓度x的函数，并且发现当x = x1时f（x）取最大值f（x1），当x = x2（x1）时取最小值f（x2）＆lt; x2），将溶液中酸的浓度x调整为x＆gt; X1。＆lt;图像＆GT;

5. 发明公开

KR1020030088431A 불화물중의 산소성분·탄소성분 저감방법 无效
标题翻译：氟化物中氧成分和碳成分的还原方法
公开(公告)号：KR1020030088431A
公开(公告)日：2003-11-19
申请号：KR1020037010269
申请日：2002-02-07
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 야자키히로후미 , 사토나가도모히코
IPC分类号： C30B29/12
CPC分类号： C30B31/06 , C01F11/22 , C01F17/0062 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2006/80 , C30B29/12 , C30B33/02 , Y10T436/19
摘要： 본 발명은 포토리소그래피용 노광장치 등의 스텝퍼 렌즈의 재료인 불화 칼슘과 불화 바륨 등의 고순도 불화문, 및 광화이버나 코팅 재료 등에 사용되고 있는 불화 이테르븀이나 불화 세륨 등의 희토류 불화물에 포함되는 산소·탄소 성분을 저감하는 방법이다.
본 발명에 의해, 예를 들면, 반도체 제조시의 포토리소그래프 공정에서 ArF나 F2 엑시머 레이저용 스텝퍼 렌즈로 사용되는 원재료로서 대표적인 고순도 불화 칼슘 안의 불순물인 산소나 탄소가 불소가스 처리에 의해 정제되고, 단결정 제조시의 탈산소 공정에서 스캐빈저 첨가량의 삭감되며, 여러 종류의 문제도 경감된다.

6. 发明公开

KR1020060015524A 불화물 결정의 제조 장치 无效
标题翻译：用于生产氟化物晶体的装置
公开(公告)号：KR1020060015524A
公开(公告)日：2006-02-17
申请号：KR1020057020051
申请日：2004-04-23
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션 , 가부시키가이샤 후쿠다켓쇼우기쥬츠겡큐쇼
发明人： 후쿠다츠구오 , 기쿠야마히로히사 , 사토나가도모히코
IPC分类号： C30B29/12 , C30B15/08
CPC分类号： C30B15/08 , C01B9/08 , C30B29/12 , Y10T117/10
摘要： An apparatus for producing a fluoride crystal, which has a chamber, a window material and the like capable of dealing with the fluoride, is equipped with facilities necessary for high vacuum evacuation, and uses a crucible in which the capillary portion of the hole formed in the bottom thereof is so controlled for a seed crystal and a molten material to be easily contacted to each other; and a method for producing a fluoride crystal comprising using the apparatus. The apparatus allows the production of a single crystal of a fluoride having high quality in a extremely short time with stability.
摘要翻译：具有能够处理氟化物的室，窗材料等的氟化物晶体的制造装置具有高真空排气所需的设备，并且使用坩埚，其中形成有孔的毛细管部分其底部被如此控制以使晶种和熔融材料彼此容易接触; 以及使用该装置的氟化物晶体的制造方法。该装置允许在极短的时间内稳定地生产具有高质量的氟化物的单晶。

7. 发明公开

KR1020020086865A 고순도 6불화텅스텐의 정제방법 失效
标题翻译：高纯度六氟化钨的纯化方法
公开(公告)号：KR1020020086865A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：KR1020027007773
申请日：2000-12-14
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 와키마사히데 , 후지모토가즈유키 , 나카가와요시노리
IPC分类号： C01G41/04
摘要： 본 발명은, 용이하게 저비용으로, 종래보다 고순도의 6불화 텅스텐을 제조할 수 있는 고순도 6불화 텅스텐의 정제방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 고순도 6불화 텅스텐 정제 방법은, 피정제 원료인 불순물로서 적어도 6불화 몰리브덴을 함유하는 6불화 텅스텐을, 몰리브덴, 텅스텐, 구리, 니켈, 철, 코발트, 아연, 티탄, 알루미늄, 칼슘, 및 마그네슘 중에서 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금에 0~100℃ 온도로 접촉시키는 것을 특징으로 한다.

8. 发明授权

KR100814451B1 6불화인산리튬의 제조 장치 有权
标题翻译：用于生产十六烷基磷酸盐的装置
公开(公告)号：KR100814451B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020077010563
申请日：2000-12-11
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 후쿠도메도시로우 , 와키마사히데 , 데구치도모유키
IPC分类号： C01B25/445 , C01B25/455
CPC分类号： C01D15/005
摘要： 불순물 제거를 위한 후처리를 행하지 않고도 종래보다 순도가 높은 6불화인산리튬을 제조하는 것이 가능한 6불화인산리튬의 제조방법 및 제조장치를 제공한다.
용매와 공존하는 6불화인산리튬의 여과와, 상기 여과후의 건조를 PF
5 를 포함한 가스 분위기중에서 행하는 것을 특징으로 한다.
6불화인산리튬, 여과

9. 发明公开

KR1020070055638A 6불화인산리튬의 제조 장치 有权
标题翻译：用于生产十六烷基磷酸盐的装置
公开(公告)号：KR1020070055638A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：KR1020077010563
申请日：2000-12-11
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 후쿠도메도시로우 , 와키마사히데 , 데구치도모유키
IPC分类号： C01B25/445 , C01B25/455
CPC分类号： C01D15/005
摘要： 불순물 제거를 위한 후처리를 행하지 않고도 종래보다 순도가 높은 6불화인산리튬을 제조하는 것이 가능한 6불화인산리튬의 제조방법 및 제조장치를 제공한다.
용매와 공존하는 6불화인산리튬의 여과와, 상기 여과후의 건조를 PF
5 를 포함한 가스 분위기중에서 행하는 것을 특징으로 한다.
6불화인산리튬, 여과

10. 发明公开

KR1020020074454A 6불화인산리튬의 제조 방법 有权
标题翻译：六氟磷酸锂的制备方法
公开(公告)号：KR1020020074454A
公开(公告)日：2002-09-30
申请号：KR1020027007288
申请日：2000-12-11
申请人： 스텔라 케미파 코포레이션
发明人： 기쿠야마히로히사 , 후쿠도메도시로우 , 와키마사히데 , 데구치도모유키
IPC分类号： C01B25/445
摘要： 불순물 제거를 위한 후처리를 행하지 않고도 종래보다 순도가 높은 6불화인산리튬을 제조하는 것이 가능한 6불화인산리튬의 제조방법을 제공한다.
용매와 공존하는 6불화인산리튬의 여과와, 상기 여과후의 건조를 PF
5 를 포함한 가스 분위기중에서 행하는 것을 특징으로 한다.

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