专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100857039B1 박막 반도체 장치 및 액정 표시 장치와 그의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜半导体器件和液晶显示单元及其制造方法
公开(公告)号：KR100857039B1
公开(公告)日：2008-09-05
申请号：KR1020010048246
申请日：2001-08-10
申请人： 소니 주식회사
发明人： 하시모토마코토 , 사토타쿠세이
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368
摘要： 박막 반도체 장치는 절연 기판 상에 서로 교차하는 복수의 신호 및 게이트 배선들을 포함하고 있다. 화소들은 신호 및 게이트 배선들 사이의 교차점들(crossing points)에 배치된다. 각각의 화소는 적어도 하나의 화소 전극과, 화소 전극을 구동하기 위한 박막 트랜지스터와, 외광으로부터 박막 트랜지스터를 차폐하기 위한 차광 밴드를 갖는다. 박막 트랜지스터의 소스는 신호 배선에 접속되고, 그 드레인은 화소 전극에 접속되며, 그 게이트 전극은 게이트 배선에 접속된다. 차광 밴드는 제 1 도전층으로 형성되며, 차광 밴드(light shield band)의 적어도 일부는 게이트 배선으로서 사용된다. 게이트 전극은 제 1 도전층과는 상이한 제 2 도전층으로 형성된다. 게이트 배선을 위해 사용된 제 1 도전층은 콘택트 홀(contact hole)을 통해 각각의 화소 전극 내에서 게이트 전극을 형성하는 제 2 도전층에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치를 위한 구동 기판으로서 사용된 박막 반도체 장치의 화소 개구율(openning ratio)이 향상된다.
프로젝터, 화소 개구율, 보조 용량, 배선, 차광 밴드

2. 发明授权

KR100327943B1 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR100327943B1
公开(公告)日：2002-03-15
申请号：KR1020000050036
申请日：2000-08-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토히로시 , 오구보야스노리 , 마츠시다다케시 , 니시하라도시유키 , 하시모토마코토
IPC分类号： H01L29/772
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to effectively prevent a groove from being formed in the surface of a semiconductor substrate by making the thickness of a conductive layer smaller and by relatively reducing an error in an etch process of the conductive layer. CONSTITUTION: Wafers are brought into proximity in a state with one wafer a slight, substantially uniform clearance away from the other wafer. One point of at least one wafer of the two wafers is pressed against the other wafer so that a SOI(silicon on insulator) structure is formed.

3. 发明授权

KR100289346B1 ＳＯＩ 구조상의 반도체장치의 제조에서의 배치방법 失效
标题翻译：在SOI结构上制造半导体器件的布置方法
公开(公告)号：KR100289346B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1020000050034
申请日：2000-08-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토히로시 , 오구보야스노리 , 마츠시다다케시 , 니시하라도시유키 , 하시모토마코토
IPC分类号： H01L29/772

4. 发明授权

KR100725845B1 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：液晶显示器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100725845B1
公开(公告)日：2007-06-08
申请号：KR1020000025999
申请日：2000-05-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토다쿠세이 , 아베후미아키 , 하시모토마코토
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2202/104
摘要： 석영 유리 기판 상에 화소 전극 구동용 다결정SiTFT가 형성되고, 이 다결정 SiTFT의 상층이며 또한 화소 전극의 하층 위치에 도전성 차광층이 형성되어 있는 액정 표시 장치에 있어서 도전성 차광층의 차광 성능을 향상시키기 위해, 도전성 차광층을 평탄화된 층간 절연막 상에 형성한다. 층간 절연막의 평탄화는, 예를 들면, CMP 등에 의해 행한다.
액정 표시 장치, 석영 유리 기판, 화소 전극, 다결정 SiTFT, 도전성 차광층.

5. 发明公开

KR1020060097124A 액정 표시 소자 및 투사형 표시장치 无效
标题翻译：液晶显示元件和投影显示
公开(公告)号：KR1020060097124A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020067009175
申请日：2004-11-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 도리야마아키코 , 가도타히사시 , 하시모토마코토 , 후쿠모토히로히데 , 후쿠모리히로미
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1337
CPC分类号： G02F1/1339
摘要： Disclosed is a high-quality liquid crystal display element which enables to prevent deterioration of a liquid crystal panel even when the liquid crystal panel used as a light bulb in a projector or the like is operated under high temperature, high humidity conditions. Also disclosed is a projection display using such a liquid crystal display element. The liquid crystal display element comprises a TFT array substrate (11) and a counter substrate (12) which are arranged opposite to each other at a certain distance and bonded together with a sealing material (15), and liquid crystal layer (16) interposed between the bonded substrates. The sealing material (15) contains a nonconductive filler having an average particle diameter of less than 0.5 mum, and a liquid crystal material used for the liquid crystal layer (16) has a refractive index anisotropy (Deltan) of not less than 0.16 at room temperature. A cell gap (d) which is the distance between the TFT array substrate (11) and the counter substrate (12) is not more than 3 mum.
摘要翻译：公开了即使在投影仪等中用作灯泡的液晶面板在高温，高湿度条件下操作的情况下，也能够防止液晶面板劣化的高品质液晶显示元件。还公开了使用这种液晶显示元件的投影显示。液晶显示元件包括TFT阵列基板（11）和相对基板（12），它们以一定距离彼此相对设置并且与密封材料（15）结合在一起，并且液晶层（16）插入在粘合的基底之间。密封材料（15）含有平均粒径小于0.5μm的非导电填料，液晶层（16）使用的液晶材料的室内折射率各向异性（Deltan）不小于0.16 温度。作为TFT阵列基板（11）和对置基板（12）之间的距离的单元间隙（d）不大于3μm。

6. 发明公开

KR1020020013774A 박막 반도체 장치 및 액정 표시 장치와 그의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜半导体器件，液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020013774A
公开(公告)日：2002-02-21
申请号：KR1020010048246
申请日：2001-08-10
申请人： 소니 주식회사
发明人： 하시모토마코토 , 사토타쿠세이
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F1/1368
摘要： PURPOSE: To improve the pixel aperture rate of a thin-film semiconductor device used as a drive substrate of an active matrix liquid crystal display. CONSTITUTION: The thin-film semiconductor device has a plurality of signal wirings 12 and a mutually intersected gate wiring, and a pixel is arranged at each intersection of both wirings on an insulating substrate. Each pixel contains at least a pixel electrode, a thin-film transistor for driving the pixel electrode, and a light shading belt 5 for shielding a thin-film transistor from the external light. The source of the thin film transistor is connected with the signal wiring 12, and a drain is connected with the pixel electrode. A gate electrode (G) is connected with the gate wiring. The light shading belt 5 consists of the first conductive layer and at least a part of the shading belt 5 is used to the gate wiring. The gate electrode (G) consists of a second conductive layer which is different from the first conductive layer. The first conductive layer used as the gate wire and the second conductive layer as the gate electrode G are connected mutually in each pixel electrically via a contact hole GCN.
摘要翻译：目的：提高用作有源矩阵液晶显示器的驱动基板的薄膜半导体器件的像素开口率。构成：薄膜半导体器件具有多个信号布线12和相互相交的栅极布线，并且在绝缘基板上的两条布线的每个交叉处布置像素。每个像素至少包含像素电极，用于驱动像素电极的薄膜晶体管，以及用于从外部光屏蔽薄膜晶体管的遮光带5。薄膜晶体管的源极与信号线12连接，漏极与像素电极连接。栅电极（G）与栅极配线连接。遮光带5由第一导电层构成，遮光带5的至少一部分用于栅极布线。栅电极（G）由与第一导电层不同的第二导电层构成。用作栅极线的第一导电层和作为栅极电极G的第二导电层通过接触孔GCN在每个像素中相互连接。

7. 发明授权

KR100289347B1 반도체 장치 失效
公开(公告)号：KR100289347B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1020000050035
申请日：2000-08-28
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토히로시 , 오구보야스노리 , 마츠시다다케시 , 니시하라도시유키 , 하시모토마코토
IPC分类号： H01L29/772

8. 发明公开

KR1020000077279A 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020000077279A
公开(公告)日：2000-12-26
申请号：KR1020000025999
申请日：2000-05-16
申请人： 소니 주식회사
发明人： 사토다쿠세이 , 아베후미아키 , 하시모토마코토
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/136227 , G02F2202/104
摘要： 석영유리기판상에화소전극구동용다결정SiTFT가형성되고, 이다결정 SiTFT의상층이며또한화소전극의하층위치에도전성차광층이형성되어있는액정표시장치에있어서도전성차광층의차광성능을향상시키기위해, 도전성차광층을평탄화된층간절연막상에형성한다. 층간절연막의평탄화는, 예를들면, CMP 등에의해행한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式